全文获取类型
收费全文 | 6781篇 |
免费 | 2014篇 |
国内免费 | 2758篇 |
专业分类
化学 | 4478篇 |
晶体学 | 175篇 |
力学 | 645篇 |
综合类 | 336篇 |
数学 | 1501篇 |
物理学 | 4418篇 |
出版年
2024年 | 55篇 |
2023年 | 197篇 |
2022年 | 295篇 |
2021年 | 265篇 |
2020年 | 215篇 |
2019年 | 235篇 |
2018年 | 256篇 |
2017年 | 242篇 |
2016年 | 246篇 |
2015年 | 264篇 |
2014年 | 471篇 |
2013年 | 322篇 |
2012年 | 339篇 |
2011年 | 335篇 |
2010年 | 351篇 |
2009年 | 410篇 |
2008年 | 409篇 |
2007年 | 384篇 |
2006年 | 452篇 |
2005年 | 430篇 |
2004年 | 390篇 |
2003年 | 346篇 |
2002年 | 287篇 |
2001年 | 313篇 |
2000年 | 307篇 |
1999年 | 348篇 |
1998年 | 301篇 |
1997年 | 342篇 |
1996年 | 273篇 |
1995年 | 295篇 |
1994年 | 272篇 |
1993年 | 271篇 |
1992年 | 261篇 |
1991年 | 260篇 |
1990年 | 193篇 |
1989年 | 168篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 84篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 78篇 |
1984年 | 87篇 |
1983年 | 75篇 |
1982年 | 62篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 24篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 11篇 |
1965年 | 9篇 |
1958年 | 9篇 |
1957年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
161.
162.
董石孟川民谷伟彭旭升张波涛肖元陆方茂林向耀民王翔 《高压物理学报》2018,(5):53-57
通过实验确定了20/57mm构型反应气体驱动二级轻气炮的气体装填参数与弹丸动能的关系。实验结果表明,反应气体驱动二级轻气炮的弹丸动能与气体反应化学能之间基本满足二次函数关系,系统发射稳定性满足加载实验要求。发展了基于气体爆轰模型的计算方法,通过数值计算获得了反应气体驱动二级轻气炮的发射特性,弹丸速度的计算结果与实测结果吻合较好。 相似文献
163.
164.
165.
将遗传算法优化得到的权值赋予神经网络,以消除神经网络的局部最优性。再将这种算法应用到超导储能系统(Superconducting Magnetics Energy Storage,SMES)中,得到一种能够改善超导储能系统响应时间,提高超导储能装置稳定性的直接功率控制策略。仿真结果表明,本文提出的控制策略获得了较好的控制效果,适用于超导储能系统。 相似文献
166.
Silicon germanium(SiGe) heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin silicon-on-insulator(SOI) has recently been demonstrated and integrated into the latest SOI BiCMOS technology.The Early effect of the SOI SiGe HBT is analysed considering vertical and horizontal collector depletion,which is different from that of a bulk counterpart.A new compact formula of the Early voltage is presented and validated by an ISE TCAD simulation.The Early voltage shows a kink with the increase of the reverse base-collector bias.Large differences are observed between SOI devices and their bulk counterparts.The presented Early effect model can be employed for a fast evaluation of the Early voltage and is useful to the design,the simulation and the fabrication of high performance SOI SiGe devices and circuits. 相似文献
167.
The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and
n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary
ion mass spectrometry (SIMS).
Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the
sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p-
and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the
characterization of
surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows
running in one direction across the wafer surface after 1650℃
annealing. The surface roughness results from the
evaporation and re-deposition of
Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of
sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to
demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO2
on the sample surface during annealing. 相似文献
168.
依据最弱受约束电子势模型理论,计算了铕原子4f76snd6D9/2(n≥13)、4f76snd8D9/2(n≥17)、4f76snd8D5/2(n≥15)和4f76snd8D3/2(n≥21)里德堡系列能级.计算结果与实验值的最大相对误差为4×10-5,最大绝对误差是1.91cm-1,达到了较高精度,这表明文中的外推数据是可信的. 相似文献
169.
170.
基于自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波模守恒赝势方法,确定了准确计算Zn_(16)O_(16)超晶胞各原子对应的U值;通过计算形成能和化学键的布局分析了掺杂结构的稳定性;通过原子电荷布局和自旋电子态密度的计算分析了掺杂结构的能带结构和磁性状态;讨论了各稀土原子掺杂对ZnO吸收光谱的影响.结果表明:稀土元素的引入使晶格膨胀,Zn-O键最长键增大而最小键减小,导致氧四面体畸变;Y/La/Ce掺杂的ZnO具有亚铁磁性,Th掺杂ZnO则呈弱铁磁性,Ac掺杂ZnO为顺磁体;稀土元素使ZnO的价带和导带下移,费米能级进入导带,增强了体系的电导率;Y/La/Ac掺杂对ZnO带隙宽度的影响较小,吸收光谱略微蓝移,而Ce/Th掺杂则有效提升了ZnO对可见光的吸收. 相似文献