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71.
在水热条件下合成了两种配合物[Zn(bpdc)(pyip)2].3H2O(1)和[Zn(pip)2(Hpip)].3H2O(2)(H2bpdc=2,2′-联吡啶-3,3′-二羧酸,pyip=2-(3-吡啶基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]邻菲咯啉,Hpip=2-苯基-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]邻菲咯啉),并利用红外和X射线单晶衍射对其结构进行了表征。配合物1属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.656 9(5)nm,b=1.3614(4)nm,c=1.863 7(6)nm,β=93.128(6)°,V=4.198(2)nm3,Z=4,ZnC48H34N12O7,Mr=955.99,Dc=1.513 g.cm-3,μ(Mo Kα)=0.657 mm-1,F(000)=1 968,GOOF=1.008,R=0.057 7,wR=0.107 5,其中4 622个可观测衍生点(I>2σ(I))。配合物2属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.797 7(4)nm,b=1.527 0(3)nm,c=1.767 6(4)nm,β=102.84(3)°,V=4.730 9(19)nm3,Z=4,ZnC57H40N12O3,Mr=1 006.36,Dc=1.410 g.cm-3,μ(Mo Kα)=0.581mm-1,F(000)=2 072,GOOF=1.134,R=0.089 5,wR=0.208 4,其中6 558个可观测衍射点(I>2σ(I))。结构分析表明配合物1和2均为零维结构,氢键和π-π相互作用在加固配合物的结构中起到重要作用。此外,对化合物的热稳定性和荧光性质也进行了研究。 相似文献
72.
以非线性Rosen-Zener隧穿理论为基础, 用平均场近似的方法, 通过考虑高阶非线性项的影响, 研究了非线性两能级系统中费米超流气体的Rosen-Zener隧穿现象. 研究发现粒子间的非线性相互作用能够显著地影响量子隧穿. 分别在快扫描极限和绝热极限的条件下, 解释了Rosen-Zener隧穿现象, 并给出了矩形振荡周期与非线性参数之间的依赖关系. 这为更深入认识费米气体的基本属性提供了理论基础. 相似文献
73.
在平均场理论和两模近似下,通过观察布居数差随时间的演化, 以及布居数差的平均随非线性相互作用参数的变化, 研究了对称双势阱以及势阱间高频调制时Fermi超流气体在unitarity区域和Bose-Einstein凝聚区域的自俘获现象. 给出了出现自俘获现象的边界条件;发现高频调制在一定调制范围内使自俘获现象更容易实现. 最后研究了初值对自俘获的影响, 发现初值的绝对值|s(0)|的增加更有利于自俘获的实现. 相似文献
74.
75.
光谱法研究稀土离子钇(Ⅲ)与牛血清白蛋白的相互作用 总被引:1,自引:0,他引:1
用荧光光谱和紫外-可见吸收光谱研究了稀土金属离子Y3+与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。实验结果发现:Y3+对BSA的紫外吸收光谱具有增强作用,而对荧光光谱具有较强的荧光猝灭作用且峰位明显蓝移20~25 nm。用Stern-Volmer方程分别对实验数据进行分析,得出结论:Y3+对BSA的荧光猝灭作用是属于静态荧光猝灭,Y3+与BSA反应生成了新的复合物,发生了分子内的非辐射能量转移。求得相互作用过程的结合常数(KA)和热力学参数(ΔΗ、ΔS、ΔG),确定了它们之间的主要作用力是范德华力、氢键等,但静电作用力也不可忽略。同步荧光光谱法表明Y3+对牛血清白蛋白的构象有影响。 相似文献
76.
采用动电位极化、循环伏安、交流阻抗和扫描电镜等技术研究了钽在四乙基氯化铵(TEA)乙醇溶液中的腐蚀行为.在循环伏安曲线的扫描初期,电极表面因存在一薄层氧化物膜而使得电流密度缓慢增加.后来钝化膜因受到氯离子的攻击而被击穿,即点蚀.扫描电镜图很好地显示出蚀孔的生长过程.点蚀电位随着TEA浓度的增加而下降,随着水含量的增加而上升.在所研究的温度范围内,电化学反应的活化能为36kJ/mol.所有电极电位下的交流阻抗图谱都包含两个时间常数,钝化膜电阻和电荷传递电阻均随电极电位的增加而下降. 相似文献
77.
采用激光分子束外延技术,在玻璃衬底上制备了La067Sr033MnO3 (LSMO) 薄膜,X射线衍射测量结果表明在玻璃衬底上生长的LSMO薄膜沿c轴择优取向生长.在外磁场3 T和88, 220, 300 K条件下,LSMO薄膜的磁电阻变化率分别达到-378%, -268%和-607%.实验结果表明,在廉价的玻璃衬底上制备大面积和具有应用价值的锰氧化物薄膜是可行的.
关键词:
锰氧化物薄膜
玻璃衬底
外延生长 相似文献
78.
磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高, 其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1, 表现出较高的放电容量和较好的循环性能. 相似文献
79.
80.