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利用密度泛函理论和非平衡格林函数的方法对硅桥调控后的聚茂钒体系([V(Cp)2(SiH2)n]m(n=1(a),n=2(b),n=3(c);m=∞;Cp=环戊二烯基))的电子结构和输运性质进行了研究。研究结果表明:随着硅桥的增长,V-V的铁磁性耦合变弱而反铁磁性耦合增强。a和b证实为铁磁性基态,而c更倾向为反铁磁性基态。a和b的铁磁性基态中的每个钒原子的磁距为3.0μB,超过钒-苯络合物或者纯聚茂钒体系的3倍。a-c的输运性质同它们的电子结构相一致,导电性变化规律为c > b > a。对于a和b,自旋向下状态的导电性略强于自旋向上状态。a和c都发生了明显的负微分电阻效应而b却没有,这主要是由于两个二茂钒的排列取向不同:a和c(SiH2为奇数)中二茂钒呈V-型取向排列,进而导致了类似于离子键的量子点耦合,而b(SiH2是偶数)中二茂钒是平行-型取向排列,从而导致了类似于共价键的量子点耦合。此外,由于散射区和两个电极之间的不对称耦合,a-c的导电性对电压施加方向较敏感。 相似文献
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设计并合成了两个五员瓜环(Q[5])桥联K+和Na+形成的新型配合物[K(H2O)2Na(H2O)Q[5]](ClO4)2·6H2O(1),[KNaH(H2O)4Q[5]]n(ClO4)3n·3nH2O(2)。利用单晶X射线衍射进行结构测定,结果表明,配合物1中Q[5]起着一个双五齿配体的作用,每个端口的5个羰基氧原子分别和钾离子和钠离子配位,形成分子胶囊;配合物2中每个钾离子分别通过与相邻的2个Q[5]端口的相邻一对羰基氧原子配位,使得配合物形成一维链状结构,同时Q[5]还提供1个羰基氧原子与Na+配位,氢键使得配合物形成三维超分子结构。 相似文献
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目前导电高分子材料主要集中在π-共轭的碳链体系和σ-共轭的聚硅烷体系.后来人们在聚合物主链或侧链同时引入π共轭性和σ共轭性的基团,形成σ-π共轭高聚物.这类材料掺杂后电导率能在较宽的范围内变化,从而赋予它们非常独特的光化学和光物理性质,可用作导体与半导体、光导体材料,以及非线性光学材料、光致抗蚀剂、电致发光装置中的发光二级管等,有可能成为方兴未艾的信息技术所必需的集成电子器件或集成光子器件中的关键材料之一.同π共轭和σ共轭体系相类似,σ-π共轭体系也只有在掺杂引入载流子的情况下才能导电.相比之下,对依赖于σ-π共轭体系的导电机理研究很少.例如,实验发现nSix(C=C)y掺杂后电导率先升高到10-3Scm-1后又降低到10-7Scm-1,这种现象在π共轭和σ共轭体系中并没有发现,至今也没有理论和实验解释.这类材料的导电性主要依赖于σ-共轭与π-共轭的组合程度以及它们的内部电子结构,因此开展这方面的理论研究工作是很必要的.本文选用了主链含有30个原子的nSix(C=C)y+进行了理论研究,以期为有目的地组合配置σ-共轭和π-共轭的组合结构开发新型光电功能材料提供理论支持.从能量最低稳定单元出发建立了计算模型并根... 相似文献
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PMBP缩2-氨基苯并噻唑席夫碱及其稀土配合物的合成与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
在非水溶剂中合成出1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-吡唑啉酮-5(PMBP)缩2-氨基苯并噻唑席夫碱(HL)及其8种稀土元素配合物.由元素分析、络合滴定法和摩尔电导值推测出配合物的组成通式为RE(L)2·2H2O[RE=Eu,Tb,Sm,Dy,La,Nd,Pr,Gd],通过红外光谱、紫外光谱、热重谱和液相色谱-质谱联用技术对配体和配合物进行了结构表征.表征结果显示:配体在测试条件下以酮式和烯醇式结构共存,配位时酮式可能转化为烯醇式结构按去质子的方式以两分子吡唑啉酮环羟基上的两个O原子和两分子H2O上的两个O原子以及亚胺基和苯并噻唑环上的4个N原子与稀土中心离子成键,配合物的配位数均为8. 相似文献
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