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951.
952.
报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系. 相似文献
953.
有限秩的幂零p-群的p-自同构 总被引:2,自引:0,他引:2
设G是一个有限秩的幂零p-群,α和β是G的两个p-自同构,记I= ((αβ(g))(βα(g))-1)|g∈G),则(i)当I是有限循环群时,α和β生成一个有限P-群; (ii)当I是拟循环p-群时,α和β生成一个可解的剩余有限P-群,它是有限生成的无挠幂零群被有限p-群的扩张. 相似文献
954.
955.
956.
利用包含瞬子效应的QCD求和规则计算了0++胶球的质量上限,结果为1.3GeV.还探讨了变动瞬子参量时对QCD求和规则的影响,发现包含瞬子修正的QCD求和规则在瞬子大小为1/3fm时变得很稳定 相似文献
957.
958.
Growth and Characterization of CIS Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Copper indium diselenide (CuInSe2) thin films were prepared by ion beam sputtering Cu, In and Se targets continuously on BK7 glass substrates and the three-layer film was then annealed in the same vacuum chamber. X-ray diffraction shows that the CuInSe2 thin films have a single chalcopyrite structure with preferential (112) orientation. Scanning electron microscopy reveals that the CIS thin films consist of uniform and densely packed grain clusters. Energy dispersive x-ray spectroscopy demonstrates that the elemental composition of CIS films approaches the stochiometric composition ratios of 1:1:2. Raman measurement shows that the main peak is at about 174cm^-1 and this peak is identified as the A1 vibrational mode from chaicopyrite ordered CulnSe2. Optical transmission and absorption spectroscopy measurement reveal an energy band gap of about 1.05 eV and an absorption coefficient of 10^5 cm^-1. The film resistivity is about 0.01 Ωcm. 相似文献
959.
Ce3+,Tb3+氟化物磷光体的发光性质比较 总被引:2,自引:1,他引:2
采用溶液反应和固相反应分别合成了K3AlF6基质化合物及KBF4:Ce,Tb和K3AlF6:Ce,Tb等磷光体,研究了它们的光谱特性,并与KAlF4:Ce,Tb、CaF2:Tb和AlF3:Ce,Tb等磷光体的发光特性进行了比较。结果发现,CaF2:Ce,Tb、AlF3:Ce,Tb、KBF4:Ce,Tb和K3AlF6:Ce,Tb等磷光体中Ce^3+对Tb^3+的能量传递不能有效进行,有时Tb^3+起 相似文献
960.