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1.
文章从理论上分析了X切铌酸锂换能器质点偏振方向与横渡二氧化碲晶体的[110]轴不平行,则晶体中将存在两种剪切波,且同时发生声光衍射,还分析了上述情况下对声光衍射效率的影响。实验结果与理论分析相吻合。 相似文献
2.
A subwavelength plasmonic indented waveguide with an active InGaAsP core is proposed.The characteristics of the gap plasmon mode and gain required for lossless propagation are investigated and analyzed by the finite element method.We numerically calculate the normalized mode areas and percentages of energy confined in InGaAsP and metal for plasmonic nanolaser applications.It is shown that the indentation of the sidewalls has an optimal value for which the lasing threshold gain is minimal.The structure could enable low-threshold subwavelength lasing and applications for optoelectronic integrated circuits. 相似文献
3.
4.
证明自然界只有两种电荷及其分析、 归纳及推理的逻辑过程历来是教学难点、 重点, 大多数教师仅是演
示被丝绸( 毛皮)摩擦过的玻璃棒( 橡胶棒)互相排斥, 以及两者之间互相吸引, 就得出了自然界只有两种电荷及电
荷间相互作用的规律 . 本文将给出详实的证明过程 相似文献
5.
6.
7.
Holographic lithography coupled with the nonlinear response of photoresist to the exposure is adopted to fabricate porous photoresist (PR) mask. Conventional dot PR mask is also generated, and both patterns are transferred into a underlying GaAs substrate by the optimal dry etching process to obtain tapered subwavelength crossed gratings (SWCGs) to mimic the moth-eye structure. In comparison of the experiment and simulation, the closely-packed pseudo-rhombus-shaped GaAs SWCGs resulting from the porous mask outperforms the conical counterpart which comes from the dot mask, and achieves a reported lowest mean spectral reflectance of 1.1%. 相似文献
8.
9.
通过水热反应合成了Sb2WO6改性的g-C3N4复合材料(Sb2WO6 /g-C3N4). 通过X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)、 紫外-可见漫散射反射光谱(UV-Vis DRS)和光致发光光谱(PL)等表征了样品的性质. 结果表明, Sb2WO6在g-C3N4的表面上生长, 并且复合材料光吸收能力有一定的增强, 光生电子-空穴的重组率降低. 通过罗丹明B(RhB)的光降解评价了Sb2WO6/g-C3N4复合材料的光催化性能. 结果表明, 模拟日光下Sb2WO6质量分数为10%的Sb2WO6/g-C3N4复合材料在60 min内对RhB的降解率为99.3%, 高于纯g-C3N4和Sb2WO6. Sb2WO6/g-C3N4复合材料的这种高度增强的光催化活性主要归因于强的界面相互作用促进了光生电子-空穴分离和迁移. 添加自由基清除剂的实验结果表明, ·O2-和h+是光催化反应中的主要活性物质. Sb2WO6/g-C3N4复合材料在几个反应周期内表现出优异的稳定性. 根据实验结果提出了一种可能的Z型光催化机理. 相似文献
10.
阻垢剂阻BaSO4垢性能的电导滴定评价法 总被引:1,自引:1,他引:1
采用一种基于电导滴定原理的评价方法,通过测定电导滴定过程中不同阻垢剂在相同浓度下所能维持的BaSO4的最大相对过饱和度来评价阻垢性能。实验对阻垢剂聚环氧琥珀酸(PESA)、聚天冬氨酸(PASP)、二亚乙基三胺五亚甲基膦(DEPTMP)、六偏磷酯钠(SHMP)阻BaSO4垢的性能分别采用了电导滴定法及静态阻垢法进行测定并比较。电导滴定法对阻垢剂阻BaSO4垢性能的测试结果表明,阻垢剂PESA、PASP、DTPMP和SHMP对BaSO4垢的阻垢能力大小为:PESA>PASP>DEPTMP>SHMP,这与静态阻垢法的实验结果一致,表明电导滴定法与静态阻垢法对阻垢剂阻BaSO4垢的评价结果具有一致性,电导滴定法评价阻垢剂对BaSO4垢的阻垢性能具有快速、简单、易行的优点。而且实验表明,电导滴定法的RSD为0.020,而静态阻垢法为0.069,说明电导滴定法的重现性优于静态阻垢法。该法还可用于评价阻垢剂对BaSO4垢的协同阻垢效应。 相似文献