光学层析技术中常见迭代重建算法的误差分析

为了得到较好的重建结果,对光学层析技术中常见迭代重建算法中的代数重建算法(ART)和同时迭代重建算法(SIRT)的重建参数进行分析,通过选择重建参数和计算机数值模拟达到重建要求.计算机数值模拟证明了松弛因子的选择对迭代重建算法的重建结果有非常重要的影响.在ART算法中,其他重建条件一定,松弛因子太大或太小时重建误差都会增大,松弛因子在0.4～1.5范围内时重建精度基本满足要求,最优松弛因子约为0.8;在SIRT算法中,松弛因子在4～12范围内时重建精度基本满足要求,最优松弛因子约为12.总结出代数重建算法和同时迭代重建算法不同条件下松弛因子选择的规律.在ART算法中,投影方向数增加松弛因子减小, 每方向投影数与重建分辨率对松弛因子无影响,松弛因子一定的情况下,投影数太小或太大误差会增大.在SIRT算法中,投影方向数增加松弛因子减小,并且投影方向数增加一倍最优松弛因子约减小为原来的50%; 每方向投影数增加最优松弛因子减小,且投影数增加一倍,最优松弛因子约减小原来的50%; 重建分辨率增加,最优松弛因子增加.     

利用光测影像测量飞行目标姿态方法的误差分析

针对一种利用光测图像获取飞行目标空中姿态的方法,建立数学模型,并基于该模型,深入研究了目标姿态角的测量误差问题.结论：像面直线的截距提取误差对交会结果影响很小,倾角提取误差影响较大;两交会平面之间夹角过小将大大降低交会结果的可靠程度,实际测量时必须保证交会角足够大.考虑了该方法使用中的一些细节,为该方法的具体实现提供了依据.     

半导体激光光栅外腔光谱合束压窄光谱的理论研究

介绍了一种减少半导体激光器阵列光栅外腔光谱合束(SBC)整体光谱展宽的方法,通过加入一组变形棱镜对传统光谱合束结构进行了改善。变形棱镜的作用实现减小半导体激光线阵输出光斑宽度,减小入射到光栅上的入射角度进而减小整体的光谱线宽。采用发光单元宽度为100 m、周期为500 m、由19个发光单元组成的常规CM-Bar条进行光栅-外腔光谱合束技术的理论推导及软件模拟,得到了光谱线宽为3.2 nm。与通过增大柱透镜焦距来减小光谱线宽的方法相比,此方法的优势是保证了整体光谱合束的整体结构在500 mm以内,使得各个发光单元有足够反馈量,抑制光束间串扰,保证合束后的光束质量和效率。     

Performance of La203/InA1N/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors

We report on the performance of La203/InA1N/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors （MOSHEMTs） and InA1N/GaN high electron mobility transistors （HEMTs）. The MOSHEMT presents a maximum drain current of 961 mA/mm at Vgs = 4 V and a maximum transconductance of 130 mS/mm compared with 710 mA/mm at Vgs = 1 V and 131 mS/mm for the HEMT device, while the gate leakage current in the reverse direction could be reduced by four orders of magnitude. Compared with the HEMT device of a similar geometry, MOSHEMT presents a large gate voltage swing and negligible current collapse.     

有交货时间限制的大规模实用下料问题

研究的是有交货时间限制的单一原材料下料问题(规模较大).对于一维下料问题,本文得到一个有各自交货时间的模型.针对该模型提出一种新的算法:DP贪婪算法.计算结果是总用料800根即可完成需求任务,材料利用率为99.6%.对于二维下料问题,在一维的基础上建立了二维的求解模型,运用我们自己设计的降维思想结合一维的DP贪婪算法,给出解决该模型的算法.计算结果是总用料451块即可完成需求任务,材料利用率位99.2%.算法设计时考虑了普遍的情况,所以算法在解决大多数实际下料问题,特别是大规模下料问题时是切实有效的.     

YAG:Ce,Mn微晶玻璃的制备及光谱性能研究

由于YAG:Ce微晶玻璃缺乏红色发光成分,导致其封装的白光LED显色指数低.以Y2O3-Al2 O3-SiO2-Li2O作为Ce,Mn掺杂的基质,制备了可提高显色指数的白光LED用YAG:Ce,Mn微晶玻璃.通过XRD测试、荧光测试和电光源测试表征了玻璃的晶相结构、光谱性能及荧光寿命,研究了Mn2+对YAG:Ce微晶玻璃发光的影响,并对其增红机制进行了探讨.结果表明:基玻璃在1400℃热处理可析出纯YAG晶相;YAG:Ce,Mn微晶玻璃在460 nm光激发下,在530 nm处有Ce3+的特征发射峰,由于Ce3+-Mn2+之间的能量传递,在585 nm处有Mn2的特征发射峰,从而使得YAG:Ce,Mn微晶玻璃的发光峰比YAG:Ce微晶玻璃的发光峰向红光方向宽化,有效地提高了白光LED的显色性能.     

稀土（Tb，Gd）掺杂多孔硅的光致发光性能研究

用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土（Tb，Gd）离子的化学掺杂.利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性.用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌.用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况.结果表明，Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度，并且发光峰位出现蓝移.这是由于Tb³⁺的4f能级⁵D_{4—⁷F3，⁵D4—⁷F关键词： 多孔硅 稀土掺杂 光致发光}     

一款支持高品质CCD图像传感器的高性能SoC芯片的设计

介绍了支持CCD图像传感器的高性能SoC芯片的设计,芯片基本结构,与图像处理相关的功能部件的工作原理以及相关算法的硬件实现方法,以及相关的低功耗策略。在设计验证阶段,该设计采用基于平台的软硬件协同应验的方法,使得软件和硬件同时得到验证并缩短了整机系统的设计和联调周期,验证的结果表明其设计是基本正确的。这种设计验证方法对于其他领域的应用也具有重要的借鉴意义。     

白光LED用Ce∶YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析

采用提拉法生长Ce∶YAG单晶, 通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征, 研究了Ce∶YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度. 在455 nm蓝光激发下, Ce∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d¹²E_gГ_8g→4f ¹²F_7/2Г_8u)的宽发射带(500~650 nm)组成; 激发光谱由343 nm(4f ¹²F_5/2Г_7u→5d^{1 2}E_gГ_7g)和466 nm(4f ¹²F_5/2Г_7u→5d^{1 2}E_gГ_8g)2个激发峰组成; Stokes位移为2448 cm^-1, Huang-Rhys因子为6.12. 研究结果表明, Ce∶YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系, 在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066.     

气相色谱-甲基化-α-D-甘露糖苷内标法测定变异黄芪中的苦马豆素

建立以甲基化-α-D-甘露糖苷为内标物,用气相色谱测定变异黄芪中苦马豆素的方 法。植物样品经甲醇超声提取、氯仿去除杂质后,将碱性正丁醇萃取物用硅烷化试剂进行 衍生化,通过AT.SE-54毛细管柱分离,氢火焰离子化检测器检测,测得变异黄芪干草粉中 苦马豆素含量为115.7 mg/kg,加标回收率为82.6%~94.0%,相对标准偏差为2.8%。该方 法能用于疯草样品中苦马豆素的含量检测。