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本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。
关键词: 相似文献
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关于丛属函数的几个不等式 总被引:2,自引:0,他引:2
<正> 1.引言.设(?)是单位圆中的正则函数,函数w=F(z)将|z|<1映照成黎曼面S_F.设函数(?)在单位圆中是正则的.假如w=f(z)的一切函数值都落在 S_F,上,那末说 f(z)丛属于 F(z),记此关系为 f(z)(?)F(z).我们知道 f(z)(?)F(z)的充要条件是存在|z|<1上的正则函数ω(z),适合|ω(z)|<1,ω(0)=0,和 f(z)≡F(ω(z)). 相似文献
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A theoretical model for describing H2 dissociative chemisorption on Cu surfaces is proposed. The sticking probability S is calculated as a function of vibrational state, average kinetic energy and incident angle of hydrogen molecular beam. Within the theoretical frame of this model, the different contributions to S from H2(v = 0) and H2(v = 1) can be clearly distinguished. The calculated results indicate that vibrational energy significantly promotes the chemisorption of H2 on Cu surfaces in the region of low translational energy. The equations derived can be used to analyze the experimental data for both pure and seeded molecular beams. 相似文献
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