硫对F—T合成反应的影响

本文综述了硫对Co、Ni、Fe、Mo催化剂F—T合成反应性能的影响。不同硫中毒方式对催化剂性能影响结果有所不同。催化剂中少量硫的引入对催化剂活性影响较小,而对某些催化剂其活性甚至增加。但当催化剂中硫含量超过某一值时,催化剂的活性明显降低。不同催化剂的抗硫能力与其组成、还原方式及反应条件等多种因素有关。     

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词： 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型     

高中物理探究教学模式实践的探析

创新乃时代发展之必需,在教学过程中如何运用初中物理的优势培养学生的创新意识成为教师的伟大历史使命,本文旨在探索初中物理中学生创新意识的培养.     

利用FEL康普顿背散射实现对NSRL辐射波段的扩展

 针对NSRL同步辐射光源不能开展硬X射线领域实验研究的缺点,提出了利用FEL康普顿背散射产生高亮度极化的硬X射线,并利用FEL波长可调的特点来连续调节硬X射线的波长。同时还针对NSRL光源的参数,提出了一个初步可行的远红外FEL参数和背散射工作方式,并给出了理论结果。     

光声量热法测定辅酶B12的光解量子产率

时间可分辨的光声最热法（Time－resolvedphotoacousticcalorimetry；简称PAC）是研究脉冲激光诱发的快速光化学和光生物化学反应过程动力学和热力学信息的一种有效方法[1－5]。本文采用压电陶瓷圆管同时作为样品油和换能器组成的PAC探测系统[6]，以波长λ＝355nm的脉冲激光（脉冲宽度8ns，脉冲重复频率10Hz）为光源激发辅酶B12甲醇溶液；研究其解量子产率，获得了满意的结果．1实验被测溶液注入两端用石英玻璃封口的压电陶瓷圆管内腔，激光束透过石英窗照射溶液（如图］所示）为标定被测样品的非辐射放热量，利用能在极短的时间内（＜l…     

天然水中金属离子化学状态的研究 Ⅱ.铅离子的测定

玻璃碳汞膜电极阳极溶出伏安法近年来开始应用于水环境化学中金属离子存在状态的研究。我们应用此法对天然水中“自由”铅离子和络合铅离子以及铅的总量进行了测定。 (一)仪器、试剂和汞膜镀法所用极谱仪为AD-1型,玻璃碳电极为XBD-1型。参比电极和电解池见文献。蒸馏水经石英亚沸蒸馏器纯化三次。所用试剂除特别注明的而外,均为分析纯。电极镀汞膜方法:将玻璃碳电极用细金相砂纸抛光至表面光滑无裂纹。将电极用1:1硝酸浸泡后,用蒸馏水洗涤。在     

竞争非局域非线性向列相液晶中亮孤子

针对热效应的非局域程度和分子取向效应的非局域程度不等的情况,利用JUNG P S等提出的模型研究了具有竞争非局域非线性效应的向列相液晶中的亮孤子特性.通过变分法得到光束振幅、宽度、啁啾和位相等参数随传输距离的变化规律,即光束振幅和宽度与入射光的功率息息相关,光束宽度随热非局域程度增加单调递减,随热非线性系数增加单调递增.在此基础上给出和入射光束功率密切相关的势能函数.利用势能函数预言了入射光束功率越大亮孤子宽度越小.通过解变分方程组可得,入射光功率为4或8时,光束宽度均随传输距离周期性震荡.这两个震荡趋势有明显的区别,功率为4时光束传输过程中宽度始终大于或等于初始宽度,功率为8时光束传输过程中宽度始终小于或等于初始宽度.该变化规律与数值仿真结论一致.     

有机化学实验教学资源的建设与实践

教学资源建设是高校教学改革的一项重要工作。以提高实验教学质量和培养创新能力为目标,探索了我校有机化学实验教学资源的建设内容,并通过网络平台用于辅助教学。视频资源,有效地提高了课前预习效果;课件资源,培养了学生的实验设计思想和创新能力;拓展资源,开拓了学生的视野,提高了化学实验兴趣;在线测试题库资源,有效准确地检验了学生的理论水平。教学资源通过实践应用,教学效果明显,切实提高了教学质量。     

荧光猝灭研究溴乙锭与三链DNA的相互作用

荧光猝灭研究溴乙锭与三链ＤＮＡ的相互作用方晔，白春礼，张平城，曹恩华，何裕建，唐有祺（中国科学院化学研究所，北京１０００８０；中国科学院生物物理所，北京００１０１）三链ＤＮＡ作为ＤＮＡ结构多样性的一个主要研究方向，由于越来越多的证据表明：它能在细胞内...     

带陡化间隙的触发真空开关触发源研制北大核心CSCD

针对主电极间距20mm以上的沿面击穿型多棒极触发真空开关(TVS),研制了开关触发源。触发源利用脉冲变压器产生脉冲高压输出,在脉冲变压器高压侧并联小容值电容并在电容后串联陡化间隙。陡化间隙的加入可以使触发源输出不受触发沿面金属蒸气沉积的影响。通过调节间隙击穿电压也可以提高电容充电电压及储存能量,从而增加TVS触发沿面被击穿时注入到其中的触发能量。使用该触发源对TVS进行导通实验,结果表明,加入陡化间隙后的触发源输出能量大幅提高且不受触发沿面金属蒸气沉积的影响,能够实现TVS的100%可靠导通。