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用HF和DFT的B3LYP方法,在6-31G*水平上,首次对X~mAl~nH~m(X=Cl,H;n=3,5,7,8,10,12;m=3,4,5,6,)稠环类苯化合物的几何构型、红外光谱和化学键性质进行了研究,并与相应的X~mC~2nH~m稠环化合物苯、萘、菲、芘、苝和蔻的结?
棺髁吮冉希峁砻鳎琗~mAl~nH~m与X~mC~2nH~m具有相同的几何构型,随着配?
辉佑牍羌茉邮萊的增大,Al--N键能逐渐增大,键长逐渐减小位原子X对?
羌芑Ъ麬l----N或C-C的影响较小。 相似文献
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为确定蜂窝夹芯板贯穿孔损伤能修与不能修理的理论界限(即修理容限上限),提出了一种基于参数化建模与遗传算法搜索的修理容限上限确定方法。首先采用ABAQUS有限元软件创建蜂窝夹芯板贯穿孔损伤修理分析模型,其中使用Hashin失效准则分析复合材料面板的损伤起始与扩展,并在修理铺层与母板间设置了cohesive内聚力单元,以预测修理结构的强度。同时开展了无损伤、含穿透损伤、修理板的对比压缩试验,验证有限元模拟结果的准确性。在此基础上,采用Python编程语言对结构修理模型进行参数化建模,并与基于NSGA-II遗传算法的modeFRONTIER优化软件进行集成,快速搜索出优化修理方案,再采用二分法最终确定蜂窝夹芯板贯穿孔损伤的修理容限上限。结果表明:蜂窝夹芯板修理分析模型的预测结果与试验值吻合较好,证明了建模方法的准确性;参数化建模结合遗传算法的方法能够快速确定蜂窝夹芯板贯穿孔损伤的修理容限上限,可大幅度减少计算工作量。 相似文献
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精准调控不同维度和拓扑的结构,特别是具有同组分的手性结构代表了当今合成化学所面临的最具挑战性的问题之一.基于配位化学的不同维度杂化材料的自组装被认为是能够解决上述问题的一种有效途径.本工作采用了已报道的一维管(HMOF-2)和二维层(HMOF-3)合成所需的5,5’-N,N-二间苯二甲酸-(1R,2R)-环己烷二酰胺(R,R-CHCAIP)配体和锌盐(Zn2+),在高温(100℃)溶剂热反应条件下自组装而成新的三维孔MOFs(HMOF-4).提出了辅助配体和反应温度协同作用的策略,进而精准调控获得了这三个结构多样化、维度不同的手性MOFs,在目前已报道的多维MOFs中,这类具有同组分的多维手性MOFs是极为罕见的.研究了其荧光性质,用时间依赖的密度泛函理论(TDDFT)计算解释了其发光机理.它们发射光谱的微小差异说明Zn-MOFs的维度对荧光的影响较小.这项工作为精准调控不同维度的同手性MOFs提供了一个有特色的构筑方法. 相似文献
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近年来,海洛因问题成为我国面临的重大难题之一.缰核作为边缘系统与脑干联络的中继站,与药物成瘾密切相关.但是目前国际国内缰核对海洛因成瘾作用的研究很少,为此将缰核和海洛因成瘾联系的研究进展做一综述,旨在为海洛因成瘾提供一些有价值的线索. 相似文献
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用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法, 在6-31G*水平上, 对(AIN)+n和(AIN)-n(n = 1~15) 团簇的几何构型、红外光谱和热力学稳定性进行了研究, 并对它们的电离能及电子亲和能进行了讨论. 结果表明: (AIN)n团簇的电荷状态对簇合物的结构有较大影响, 随着n的增大影响逐渐减小; 所有平衡结构中不存在Al-Al和N-N键, Al-N键是惟一键型;(AIN)+n和(AIN)-n结构稳定性幻数与(AIN)n相同, 即n = 2, 4, 6, …等偶数结构较为稳定; (AlN)10团簇具有最大的电离能(IP = 9.14 eV)和最小的电子亲和能(EA = 0.19 eV), 较其他团簇更稳定. 相似文献
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Si_2C_(m-2)(m=4~15)团簇的结构与稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-31G*方法, 对Si2Cm-2(m = 4~15)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了研究, 讨论了化学键的特征和热力学稳定性, 比较了Si2Cm-2团中环状和线状结构的差异。结果表明, m = 4~13的团簇为线状结构, m=14~15的团簇为环状结构。在线状结构中, 随着m增大, 自旋多重度出现1、3交替变化, 并且Si原子倾向于在C链端部成键;环状结构中, C原子形成环状, 2个Si原子处于椭圆环状构型的两端。m 为奇数的Si2Cm-2团簇比m为偶数的更为稳定。 相似文献
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氮化铝薄膜的组成分析 总被引:2,自引:0,他引:2
Al N是一种无机非铁性压电材料 ,具有宽的带隙、高的电阻率、高的抗击穿电压、高的声传播速率和低的传输损耗 ,在微电子器件中有着广泛的应用前景 [1] .由于 Al N薄膜的声速在整个无机非铁性材料中最高 ,因而成为 GHz级声表面波器件的首选材料 [2 ] .要实现 Al N薄膜的表面声波器件应用 ,不但结构重要 [1] ,组成也很重要 [3] ,因为薄膜的组成对其性质影响很大 .Al N压电薄膜要求整个膜层的 Al/N比一致 .富 Al会使薄膜介电性能变差 ,富 N会使薄膜结构致密度变差 .因而对其组成研究是非常重要的 .Penza等 [3] 采用X射线光电子能谱 ( X… 相似文献