排叉链环的多边形表示

本文通过整数缠绕的棒表示与排叉链环对应的整数缠绕连通和分解,给出排叉链环的一类多边形表示,对排叉链环的棍棒数进行估计.     

STUDY OF XPS AND EHMO CALCULATION ON SILATRANE COMPOUNDS

Twenty silatrane compounds with different substituents(R) on the silicon atom are studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and EHMO(extended Hückel molecular orbitals) theoretical calculation of the nine compounds in which substituents(R), F, Cl, Br, I, CH_3, H, CH=CH_2, CH_2Cl and CHCl_2, are carried out. By the X-ray photoelectron spectra of the component elements in these compounds, the existence of N→Si dative bond in these molecules is not only confirmed, but the affection of the different substituents on the strength of N→Si dative bond is also obtained. A linear correlation exists between atomic netcharge(Q) obtained by EHMO calculation and the binding energy shifts of N_1_g and Si_(2p) due to different substituents. The calculated bond orders can well predict the effect ou the strength of N→Si dative bond due to the change of substituents in the experiment. Meanwhile, the calculations indicate that the strength of N→Si dative bond in molecules of all substituents is about h     

建筑织物膜材双轴剪切试验与分析

为了研究建筑织物膜材的剪切力学性能,提出一种新的剪切测试方法。采用中心区域宽度和四臂长度均为16cm的十字形试件,试件纱线的经纬向与加载方向呈45°角。根据膜材变形和应力关系,推导了剪应力和剪应变的计算方法。定义了使试件中心区域产生三个循环剪应力场的加载谱,循环产生正负交替的剪切应力。试验采用表面抛光的(Polyvinylidene Fluoride,聚偏氟乙烯)涂层膜材,测量x、y两个方向的应力和应变,通过计算得到剪切应力应变曲线,并对试验结果进行分析。结果表明,新的剪切测试方法能够反映建筑织物膜材剪切力学性能。最后通过有限元方法模拟材料受剪状态下的应力和应变,与试验得到的应力值和应变值相近。     

一种长链结构稳态氮氧自由基的合成

从提高光稳定剂与聚合物的相容性及光稳定效能的目的出发,以受阻胺为原料,H2O2为氧化剂,合成了具有高分子长链结构的新型稳态氮氧自由基,其结构经IR,ESR,GPC及元素分析表征。     

色散方程的一类具任意稳定性的显格式

本文对色散方程u_r=au_xxx构造了一类中间层包含四个结点,带两个参数m和θ的三层显式差分格式。当m和θ满足一定的关系时,其稳定性条件为|γ|≤(m+1)/(4(m-1))(|m|>1),从而当取m充分接近1时,可得到任意大的稳定性条件,并且保持截断误差阶不变。数值例子验证了理论分析的结果。     

矩形网程序用于具有球流的高温气冷球床堆计算的方法

介绍了高温气冷球床堆中燃料球在曲线流道中流动的情况和一种用矩形网程序来计算具有曲线网问题的方法.该方法已用于HTR-10MW实验堆的物理计算中.该方法也能推广到其它具有物质流动的曲线网的问题中.     

石墨炉原子化器中原子化过程的研究——Ⅳ.石墨管衬底材料对锗原子化的影响

本文研究了标准石墨管、涂钨和涂锆石墨管中锗原子吸光度,吸收信号形状和原子消失速度的变化。实验表明,在涂钨和涂锆石墨管中锗的分析灵敏度有较大的提高。同时实验测得在涂钨石墨管中锗的出现温度为1770K。按公式ΔH°=γTapp求得锗的ΔH°=106.2kcal/mol。它与锗的升华热89.5kcal/mol相近。因此,在涂钨石墨管中锗原子的形成是GeO₂被碳化钨还原成金属锗,随后锗的升华。