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801.
用不同方法对苯的XPS Shake-up谱进行了CNDO/S—CI计算,一种是用对称化(D_(6h))的基函数进行实芯隙(core—hole)离域模型的非等价核近似的计算,一种是在等价核近似下用实芯隙定域模型的约化对称(C_(2v))和非对称化进行计算。所有计算只考虑单电子激发的组态。在这些条件下,离域模型的结果要比定域模型的好。 相似文献
802.
小波图像去噪已经成为目前图像去噪的主要方法之一,在分析了小波变换的基本理论和小波变换的多尺度分析基础上,根据多尺度小波变换的多分辨特性,提出了过抽样M通道小波变换去噪方法,并将此方法用于星图降噪处理中,收到良好的效果. 相似文献
803.
以多晶硅薄膜为例综述MEMS材料力学性能测试的基本方法:压痕法,悬臂梁法 ,膜压力膨胀试验法及拉伸试验法,比较讨论了各自的优缺点,并介绍了该领域的最新进展。 相似文献
804.
将校正矩阵计算法用于单点pH配位滴定法中,同时测定了镍矿中Ni、Cu、Co的含量。讨论了方法原理,指定PH值的选择及常数矩阵的建立。对10个自配样和矿样进行了测定,获得满意结果。 相似文献
805.
806.
聚合物定向耦合电光开关的高频响应特性分析 总被引:1,自引:1,他引:0
应用耦合模理论、电光调制理论、保角变换法和镜像法,给出了分析聚合物定向耦合电光歼关高频响应特性的功率传输矩阵新方法,导出了输出功率、上升时间、下降时间、开关时间及截止开关频率的表达式.为了获得较低的传输损耗、较好的阻抗匹配、较小的开关电压以及较高的截止频率,优化设计了器件的波导结构和电极结构.模拟结果表明,所设计器件的开关电压为1.457 V,耦合长度为4.374 mm,开关时间为32.8 ps,截止开关频率为114.7 GHz.与点匹配法的计算结果和实验结果的对比表明,该理论分析方法具有较高的精度. 相似文献
807.
利用耦合模理论、电光调制理论和微环谐振理论,提出一个聚合物串联耦合双环电光开关器件模型,在1.55 μm谐振波长下对该器件进行了模拟和优化.结果为:微环波导芯截面尺寸为1.6×1.6 μm2,波导芯与电极间的限制层厚度为1.6 μm,电极厚度为0.15 μm,微环半径为15.2 μm,微环与信道间的耦合间距为0.14 μm,微环与微环间的耦合间距为0.6 μm,输出光谱的3 dB带宽约为0.06 nm,开关电压约为6 V左右,插入损耗约为2.2 dB,串扰约为-20 dB.所设计的双环电光开关较单环型电光开关不仅输出光谱更加平坦陡峭,非谐振光更弱,而且开关电压更低. 相似文献
808.
809.
利用冷靶反冲离子动量谱仪装置系统研究了20—40 keV He2+-He碰撞体系的态选择单电子俘获过程,实验获得了单电子俘获过程的态选择截面以及角微分截面.在所研究的能区范围,电子俘获到L壳层的截面最大,为主要的反应道,这与分子库仑过垒模型的反应窗理论的预测一致.实验测量的态选择截面与原子轨道紧耦合的计算结果很好地符合,与光谱方法的测量结果存在一定的差别,主要原因是光谱方法不能测量完整的反应通道信息.实验结果表明,总角微分截面在小角度范围主要来源于电子俘获到基态的贡献,在大角度范围主要来自电子俘获到激发态的贡献;电子俘获到基态的和激发态的角微分截面均出现振荡结构,这种振荡来源于电子俘获反应中分子轨道之间的相干效应.实验测量的角微分截面与其他实验和紧耦合方法的计算结果进行了比较和分析.
关键词:
冷靶反冲离子动量谱仪
态选择电子俘获
态选择截面
角微分截面 相似文献
810.