半导体单晶生长过程中的位错研究

阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况.分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素,以及抑制位错增殖的措施.与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响.最后,对熔体单晶生长过程的位错研究进行了展望.     

ACRT-Bridgman法制备组份均匀的碲锌镉单晶体

采用加速坩埚旋转技术-Bridgman(ACRT-B)法制备了φ40 mm的结构较为完整的Cd0.96Zn0.04Te晶锭.利用红外分光光度计测定晶片的近红外透射曲线,最大斜率切线法测定截止波长(cut-off wavelength,threshold wavelength),进而计算截止能量和该点的Zn组份.绘制了晶片表面的组织图,以及晶锭轴向剖面的Zn组份等高线图.实验结果表明:ACRT方法显著改善晶体组份的轴向偏析和径向偏析,晶锭中部存在两个Zn组份轴向和径向皆均匀的区域,分别约占晶锭体积的37;和16;,对应于两个大的单晶晶粒,大部分区域Zn组分径向偏析几乎完全消失.     

壳聚糖制备新工艺及生产废水处理

研究一种制备壳聚糖的新方法——“一步法”，即将虾、蟹壳酸浸、碱煮、脱乙酰后直接制得壳聚糖，分析了操作中各步骤的溶液组成、处理温度和处理时间等因索对壳聚糖脱乙酰度和粘均分子量的影响，并通过正交实验对工艺参数进行了优化。采用自然沉淀、两次中和及活性污泥法组合处理壳聚糖生产废水，不仅能使处理后的废水达标排放，而且可完全回用，实现零排放。废水处理过程中产生的废渣水洗后经压滤，可作饲科。     

PMMA分散螺吡喃薄膜的微结构与光致变色行为

通过溶液成膜法制备了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)分散螺吡喃薄膜(SP-PMMA)和邻苯二甲酸二正辛酯(DOP)改性的聚甲基丙烯酸甲酯分散螺吡喃薄膜(SP-PMMA-DOP),系统研究了微结构对薄膜力学性能和光致变色行为的影响.结果表明,SP-PMMA和SP-PMMA-DOP薄膜均具有较好的力学性质,SP的"稀释效应"降低了PMMA的玻璃化转变温度(Tg),DOP的增容效应和增塑效应提高了SP在PMMA中的分散性,使PMMA的Tg进一步降低,薄膜韧性提高.SP-PMMA薄膜具有可逆的光致变色行为,DOP的加入显著提高了薄膜在常温下的光致变色和热褪色速率.     

基底表面构建单原子催化剂与催化性能研究进展

近年来,单原子催化剂因其较高的催化活性和选择性等优点而受到了人们的广泛关注.我们综述了以C,Si,Ti,Al为基底的单原子催化剂的制备方法,并对以不同材料基底制备单原子催化剂的制备方法、形成机理及优势特点进行了比较.通过对单原子制备、表征方法及催化活性的概述,以期对制备单原子催化剂提供一定的借鉴和指导.研究表明,单原子...     

室温离子液体中的有序分子组合体

评述了室温离子液体中形成有序分子组合体包括液晶、胶束、囊泡、微乳液和乳状液的研究进展,展望了这种新型有序体系的研究发展趋势.     

怎样提高数学运算水平

目前部分同学在解题运算中存在不少问题,主要表现在: (1)不顾目标,盲目计算。例如解“把直径为10的一个金属球熔化后,不计损失能做成多少个直径为5的小球?”不少人先算出大、小球的体积,然后作除法,而不会直接利用直径的立方比。又如,“设|a|≤1,求arccosa arccos(-a)的值”。多数人先求出此两角和的余弦值,从而判定其值为π。其实,根据余弦函数线及反余弦函数的主值区间,画个草图便可得出结果来。甚至,由a是常量,取a=0代入即可(此为85年高考题。要求直接写出结果)。再如,“用1、2、3、4、5这五个数字可以组成比20000大,并且百位数不是数字3的没有重复数字的五位数共有(A)96个;(B)78个;(C)72个;(D)64个(85年高考选择题)”。仔细审题不难看出这种数的个数多     

光弹性贴片法研究钢纤维活性粉末混凝土断裂性能

采用预制裂缝的三点弯曲试件,应用光弹性贴片法研究了不同纤维掺量活性粉末混凝土RPC200的断裂性能.实验获取了光弹贴片所显示的裂缝扩展全过程,由光弹性条纹分析了不同纤维掺量试件的初裂荷载及临界有效裂缝长度的变化规律.实验表明,利用光弹性贴片法可以有效的获取钢纤维混凝土裂缝扩展的全过程;随着钢纤维掺量的增加,试件的初裂荷载和峰值荷载得到相应提高,且峰值荷载呈近似线性的增加;当纤维掺量为1%时,临界有效裂缝长度值最大;纤维掺量继续增加,其分布均匀性下降,试件的韧性降低,临界有效裂缝长度减少.     

对称三对角矩阵QL算法的一种新位移

带位移QL算法是目前求解中小型对称矩阵特征值问题的有效方法之一[1,2,3]。常用的位移有(1)Rayleigh商位移;(2)Wilkinson位移;见[4,5]。以及两种位移的组合(3)RW位移。 本文提出了一种新的位移选取准则,称之为QL-3位移。每次迭代位移取为三阶顺序主子阵的一个特征值σ,满足|a_1~(k)-σ|≤|a_3~(k)-σ|,证明这种位移有整体收敛性。     

ZnS:Cu力致荧光薄膜在冲击压力作用下的光学响应规律及应用

力致荧光材料因具有发光亮度强、力致响应灵敏度高、稳定性良好以及无需外加电压或紫外光照射激活等特性而被广泛应用于应力传感、应力记录等领域。然而,国内外对力致荧光材料的动态冲击特性鲜有研究。通过高温固相烧结法制备了ZnS:Cu粉末,并利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪对其进行了表征。结果表明,ZnS:Cu粉末晶体具有纤锌矿结构,平均颗粒大小约为20μm。然后,通过ZnS:Cu粉末与水玻璃的混合物在靶板上涂覆形成约50μm的力致荧光薄膜。此外,通过轻气炮平板撞击实验,得到ZnS:Cu力致荧光薄膜的输出电压信号与冲击压力呈线性关系,与理论分析结果一致。最后,提出了两种基于力致荧光薄膜的测试方法:多点冲击压力测试方法和冲击波到达时间测试方法。其中,多点冲击压力测试方法可用于微小尺度以及大尺度炸药装药爆轰压力分布式测量,冲击波到达时间测试方法可用于冲击波速度和冲击波波阵面形状等参数的测量。