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Equivalent oxide thickness scaling of Al2O3/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with ozone post oxidation
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Aluminum-oxide films deposited as gate dielectrics on germanium (Ge) by atomic layer deposition were post oxidized in an ozone atmosphere. No additional interfacial layer was electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy detected by the high-resolution cross-sectional transmission measurements made after the ozone post oxidation (OPO) treatment. Decreases in the equivalent oxide thickness of the OPO-treated Al2O3/Ge MOS capacitors were confirmed. Furthermore, a continuous decrease in the gate leakage current was achieved with increasing OPO treatment time. The results can be attributed to the film quality having been improved by the OPO treatment. 相似文献
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High-performance amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor nonvolatile memory with a novel p-SnO/n-SnO2 heterojunction charge trapping stack
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Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistor (TFT) memories with novel p-SnO/n-SnO2 heterojunction charge trapping stacks (CTSs) are investigated comparatively under a maximum fabrication temperature of 280 ℃. Compared to a single p-SnO or n-SnO2 charge trapping layer (CTL), the heterojunction CTSs can achieve electrically programmable and erasable characteristics as well as good data retention. Of the two CTSs, the tunneling layer/p-SnO/n-SnO2/blocking layer architecture demonstrates much higher program efficiency, more robust data retention, and comparably superior erase characteristics. The resulting memory window is as large as 6.66 V after programming at 13 V/1 ms and erasing at -8 V/1 ms, and the ten-year memory window is extrapolated to be 4.41 V. This is attributed to shallow traps in p-SnO and deep traps in n-SnO2, and the formation of a built-in electric field in the heterojunction. 相似文献
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针对价层电子对互斥理论中关于卤素、氧族等p区非金属元素作为配位原子提供电子数为1、0等未做明确说明的问题,通过数学公式推导解释了数字背后的意义,完善了将中心原子和配位原子按不同计算规则、更简便地计算价层电子对数的方法。应用推导出的简便价层电子对计算规则探讨了一种判断链状结构有机小分子的杂化类型的新方法,并讨论了长周期p区非金属元素的最外层s电子的钻穿作用对价层电子总数的影响以及利用电负性差异比较共价型分子键角大小时需要考虑多重键的影响等,对VSEPR法的应用做了有益补充。 相似文献
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分析了衍射光学元件实现共孔径相干合成的物理过程,建立了基于衍射光学元件的共孔径相干合成数学模型,推导了合成光束复振幅与入射光束和衍射光学元件相位分布之间的关系。提出用合成光束强度分布的均匀性作为评价函数的优化方法,获得了一维衍射合束器的相位分布。与文献报道的衍射光学元件分束器相比,可获得更高的合成效率。采用模拟退火算法结合随机并行梯度下降算法优化合束器设计,提高了计算效率,获得了多束衍射合束器的相位分布和合成效率。分析了单子束失效及合束器像差对合成效率的影响,结果表明:随着合束数量的增加,单子束失效对合成效率的影响逐渐减小;若使合成效率退化小于5%,衍射光学元件的波像差均方根值应控制在λ/28以内。 相似文献
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