1-碘丙烷分子的电子动量谱学研究：自旋-轨道耦合效应与分子内轨道相互作用

利用不对称不共面电子动量谱仪,在2.5 keV碰撞能量下,采用高精度的SAC-CI方法计算了1-碘丙烷分子束缚能谱,同时采用Hartree-Fock、B3LYP/aug-cc-pVTZ(C,H)6-311G^**(I)方法计算其电子动量分布. 并对电离能峰进行了标示. 结合非相对论与相对论计算方法以及自然键轨道分析,对最外层两个轨道(碘的5p孤对)的自旋-轨道耦合效应与分子内轨道相互作用进行了比较. 两种相互作用对电子动量分布的不同影响是可观的. 实验结果与相对论计算的结果一致,表明1-碘丙烷分子内自旋-轨道耦合效应占主导.     

惊恐对鼠体组织损伤和中药保护机理的FTIR光谱法研究

首次利用微钻石衰减全反射傅里叶变换红外光谱法 (ATR/FTIR)研究了天敌惊恐对小鼠组织的损伤。结果表明 :惊恐后小鼠肾与足表面脂类化合物明显增高 ;服用补肾天然药物后 ,与正常对照组相比 ,脂类化合物变化不明显 ,进而说明药补可缓和压力 ,起到一定的调节作用。惊恐后小鼠心、肝和脑组织的红外谱没有变化 ,这是因为各个脏器对皮质激素的敏感程度不完全一样。     

Improvement of Atomic-Layer-Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal Nitridation

Fermi level pinning at the interface between high-h gate dielectric and GaAs induced by unstable native oxides is a major obstacle for high performance GaAs-based metal-oxide-semiconductor （MOS） devices. We demonstrate the improved Al2O3/GaAs interracial characteristics by （NH4）2S immersion and NH3 thermal pretreatment prior to A1203 deposition. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） analysis confirms that sulfuration of GaAs surface by （NH4 ）2S solution can effectively reduce As-O bonds while Ga-O bonds and elemental As still exist at Al2O3 /GaAs interface. However, it is found that N incorporation during the further thermal nitridation on sulfurated GaAs can effectively suppress the native oxides and elemental As in the sequent deposition of Al2O3. Atomic force microscopy （AFM） shows that the further thermal nitridation on sulfurated GaAs surface can also improve the surface roughness.     

基于“猫眼效应”的目标识别

 阐述了“猫眼效应”的基本原理，并在此基础上对“猫眼效应”进行了实验验证。实验结果表明，光电探测器的确存在“猫眼效应”。利用“猫眼效应”进行远距离的目标探测与识别能够简化系统并有效提高目标探测识别的概率，对今后选取合适的方案进行空间目标捕获、跟踪和瞄准有一定的参考意义。     

ZrO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

用密度泛函方法研究了ZrO₂在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理, ZrO₂的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl₄和H₂O交替的半反应. 两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径. 比较单羟基Si表面反应的反应焓变, 可以发现双羟基Si表面反应, 由于相邻羟基的存在, 对ZrCl₄的半反应影响较大, 尤其是化学吸附能增加明显. 而对于H₂O的半反应, 单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显. 使用内禀反应坐标(IRC)方法, 验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理. 另外, 发现随着温度的升高, 吸附络合物的稳定性降低, 其向反应物方向的解吸附变得容易, 而向产物方向的解离难度增加.     

Noether环上的幂稳定自由模

设I是Noether环R的投射理想, I^m=Iⁿ, m≠n. 该文证明, 有限生成投射右R - 模幂稳定自由当且仅当(1) 存在环S使得I^|m-n|( S ( R且有限生成投射S - 模是幂稳定自由; (2) 有限生成投射右R/I^|m-n| - 模幂稳定自由.     

基于偏联系数的公共部门公众信任度潜在发展趋势研究

随着政治民主化进程的发展,公众本位的价值取向在政府与公共部门改革中将会越来越重要,公众信任度将成为衡量公共部门绩效的终极指标.构建了公共部门公众信任度测评的指标体系,建立了一种基于多元联系数集对分析的综合评价模型,利用偏联系数理论对公共部门公众信任度的潜在发展趋势进行分析和预测.     

外场导致的分形体的结构及偶分布函数

用计算机模拟,研究了电场下的团簇—团簇凝聚(CCA)和扩散限制凝聚(DLA)的结构转变．结果显示,当电场由弱到强时,凝聚体从典型的无序向有序结构转变,即从DLA和扩散CCA分形体向沿电场方向的链状结构转变．凝聚体的偶分布函数显示．随着外场的增强,体系逐渐从局域有序向长程有序过渡．这些结果有利结构转变．凝聚体的偶分布函数显示．随着外场的增强,体系逐渐从局域有序向长程有序过渡．这些结果有利于加深人们对电场下CCA和DLA的认识和电场下胶体聚集现象的理解．     

亚心形四爿藻培养和产氢过程一体化平板光生物反应系统

利用整合了燃料电池的平板光生物反应器, 探讨了将亚心型四爿藻高密度培养和产氢两段工艺一体化集成的可行性. 在培养阶段通入体积分数为2%~5%的CO2可使藻细胞迅速增殖, 9 d内即可达到产氢要求的生物量(8.5×106 cell/mL). 通过叶绿素荧光参数分析, 选择2%的CO2培养的藻进行后续的产氢实验. 结果表明, PSⅡ活性和光合电子传递速率均随时间的推移而逐渐下降. 通过对产氢动力学曲线的分析, 计算出最大产氢速率为1.1 mL/(h·L), 持续产氢时间为60 h.     

Formations and morphological stabilities of ultrathin CoSi2 films

In this paper we investigate the formations and morphological stabilities of Co-silicide fihns using 1-8-nm thick Co layers sputter-deposited on silicon （100） substrates. These ultrathin Co-silicide films are formed via solid-state reaction of the deposited Co films with Si substrate at annealing temperatures from 450 ℃ to 850 ℃. For a Co layer with a thickness no larger than i nm, epitaxially aligned CoSi2 films readily grow on silicon （100） substrate and exhibit good morphological stabilities up to 600 ℃. For a Co layer thicker than 1 nm, polycrystalline CoSi and CoSi2 films are observed. The critical thickness below which epitaxially aligned CoSi2 film prevails is smaller than the reported critical thickness of the Ni layer for epitaxial alignment of NiSi2 on silicon （100） substrate. The larger lattice mismatch between the CoSi2 film and the silicon substrate is the root cause for the smaller critical thickness of the Co layer.