全文获取类型
收费全文 | 45篇 |
免费 | 48篇 |
国内免费 | 22篇 |
专业分类
化学 | 36篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 10篇 |
物理学 | 65篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 2篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 8篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 2篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 8篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
排序方式: 共有115条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
本文首先介绍了基本多项式与多项式的根的个数的关系,然后得到了定理:对于闭域K上任意互素的多项式f(x),g(x),h(x),且不全为常数,以及任何自然数n(?)3,等式f(x)~n g(x)~n=h(x)~n永远不成立.并将此结论推广到整环上也成立. 相似文献
52.
53.
大口径平行光管光学设计和容差分析 总被引:1,自引:0,他引:1
大口径平行光管是光学系统检验的关键装置。大口径平行光管光学系统采用球面共轴系统结构,主镜为妒l500球面反射镜,次镜为无光焦度校正板组件,通过优化设计这种系统能够较好地消除系统像差。在设计视场内平行光管系统对532,6328,1319nm三个波长的波像差均小于M40(2=0.6328μm),不同视场对应的Strehl-ratio分别为0.9993,0.9963和0.9846。如图1所示。 相似文献
54.
对于一种广义Lorenz系统,通过线性变换和构造广义Lyapunov函数,给出了全局指数吸引集估计的新方法,并给出了最终界的精确估计式.最后,将结果应用到Chen系统和Lü系统的混沌控制中,给出了保持系统指数稳定的一种线性反馈控制,并且反馈控制律具有更少的保守性. 相似文献
55.
无机化学课程是高校化学及其近源专业一门重要的专业核心课程,教学内容中元素及其化合物的性质及应用部分知识点分散、信息量大,学生难以将化学反应原理等与具体的化合物性质、递变规律相结合,易产生畏难情绪,课堂教学效率低。本研究聚焦元素化学课程内容与教学模式的重构,通过梳理教学内容和有效的教学设计,以点带面,高效组织课堂教学,打破传统课堂对于课时数的依赖,同时帮助学生构建系统、完整的元素化学知识体系;通过TBL教学法的引入,建立“以学为中心”的理念和思路,强化学生自主学习的能力和效率,增强学生对相关理论知识的分析、理解、运用等综合能力,推动学生的价值增值。 相似文献
56.
Facing the growing data storage and computing demands, a high accessing speed memory with low power and non volatile character is urgently needed. Resistive access random memory with 4F~2 cell size, switching in sub-nanosecond cycling endurances of over 10~(12) cycles, and information retention exceeding 10 years, is considered as promising nex generation non-volatile memory. However, the energy per bit is still too high to compete against static random acces memory and dynamic random access memory. The sneak leakage path and metal film sheet resistance issues hinder th further scaling down. The variation of resistance between different devices and even various cycles in the same device hold resistive access random memory back from commercialization. The emerging of atomic crystals, possessing fin interface without dangling bonds in low dimension, can provide atomic level solutions for the obsessional issues. Moreove the unique properties of atomic crystals also enable new type resistive switching memories, which provide a brand-new direction for the resistive access random memory. 相似文献
57.
58.
Atomic Layer Deposition of Al2O3 on H-Passivated GeSi: Initial Surface Reaction Pathways with H/GeSi(100)-2 × 1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The reaction mechanisms of Al(CH3 )3 (TMA) adsorption on H-passivated GeSi(100)-2 × 1 surface are investigated with density functional theory. The Si-Ge and Ge-Ge one-dimer cluster models are employed to represent the GeSi(100)-2 × 1 surface with different Ge compositions. For a Si-Ge dimer of a H-passivated SiGe surface, TMA adsorption on both Si-H^* and Ge-H^* sites is considered. The activation barrier of TMA with the Si-H^* site (1.2eV) is higher than that of TMA with the Ge-H^* site (0.91 eV), which indicates that the reaction proceeds more slowly on the Si-H^* site than on the Ge-H^* site. In addition, adsorption of TMA is more energetically favorable on the Ge-Ge dimer than on the Si-Ge dimer of H-passivated SiGe. 相似文献
59.
60.