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991.
992.
We report a GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor (MOS-HEMT) with atomic layer deposited (ALD) Al2O3 gate dielectric. Based on the previous work [Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 063501] of Ye et al. by decreasing the thickness of the gate oxide to 3.5nm and optimizing the device fabrication process, the device with maximum transconductance of 150mS/mm is produced and discussed in comparison with the result of lOOmS/mm of Ye et al. The corresponding drain current density in the 0.8-μm-gate-length MOS-HEMT is 800mA/mm at the gate bias of 3.0 V. The gate leakage is two orders of magnitude lower than that of the conventional A1GaN/GaN HEMT. The excellent characteristics of this novel MOS-HEMT device structure with ALD Al2O3 gate dielectric are presented. 相似文献
993.
The difference in temporal structures of retinal ganglion cell spike trains between spontaneous activity and firing activity after contrast adaptation is investigated. The Lempel-Ziv complexity analysis reveals that the complexity of the neural spike train decreases after contrast adaptation. This implies that the behaviour of the neuron becomes ordered, which may carry relevant information about the external stimulus. Thus, during the neuron activity after contrast adaptation, external information could be encoded in forms of some certain patterns in the temporal structure of spike train that is significantly different, compared to that of the spike train during spontaneous activity, although the firing rates in spontaneous activity and firing activity after contrast adaptation are sometime similar. 相似文献
994.
轴角编码器测量中偏心带来的误差分析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了应运多面体和自准直光管组合测量高准确度编码器角度的原理和方法,具体分析了多面体中心和编码器轴中心偏心时对测量角度产生的测量误差,并对自准直光管光轴和多面体中心、编码器轴中心两者偏心连线不重合时产生的测量误差进行了分析,同时对两中心偏心的方向进行了判定.实验证明,多面体中心与编码器轴中心不重合时对测量将产生按正弦或余弦规律变化的系统误差,同时自准直光管光轴和两者中心连线不重合对测量结果将不会产生影响. 相似文献
995.
996.
998.
999.
1000.
为了更进一步了解CFB气化能力和碳利用率,本文报道了两种煤焦(西山焦煤飞灰,神木煤)以二氧化碳及氧气混合物为气化介质,在小型鼓泡流化床上进行气化反应的研究,并与相同气化条件下的循环流化床气化数据进行了比较。研究结果表明:在相同直径气化反应装置上,相同的气化条件下,循环流化床(CFB)的气化碳转化率、气化强度远远高于鼓泡流化床(BFB)的气化结果,但BFB的煤气中可燃气组成高于CFB的。CFB气化反应装置更适合于生产中、低热值煤气。 相似文献