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采用密度泛函理论中的UB3LYP方法,对Ta采用相对论校正赝势基组(SDD),C,O采用6-311+G(3d)基组,计算研究了气相中不同自旋态下Ta+活化CO2分解反应的微观机理.计算结果表明,Ta+活化CO2分解反应是典型的自旋禁阻反应,以五重态进入反应通道,经过五重态势能面到三重态势能面的系间窜越(ISC),最终产物TaO+,CO以三重态离开反应通道.运用Harvey方法优化出最低能量交叉点(MECP),并计算了MECP处的自旋-轨道耦合(SOC)常数(204.94cm-1),较大的SOC值说明了在MECP处的自旋-轨道耦合作用较强,势能面的交叉降低了自旋禁阻反应能垒,为反应提供了一条低能反应路径.运用Landau-Zener跃迁几率公式计算了MECP处系间窜越几率,较大的系间窜越几率说明了该自旋禁阻反应速率较快. 相似文献
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A new tripodal P,N ligand (C63H48N3O3P3) was prepared and characterized by elemental analysis, IR and single-crystal X-ray diffraction. The crystal belongs to the monoclinic system, space group P21/c with a = 13.013(3), b = 28.406(6), c = 14.911(3) A^°, β= 111.04(3)°, V= 5144.6(18) A^°^3 Z = 4, Dc = 1.276 g/cm^3, Mr = 987.95, λ(MoKa) = 0.71073 A^°,μ = 0.17 mm^-1, F(000) = 2064, R = 0.0786 and wR = 0.1545. A total of 43260 unique reflections were collected, of which 5112 with I 〉 2σ(I) were observed. The title compound has a central benzene ring, which is linked by -NH-CO- bonds to three 2-aminophenyltriphenylphosphium moieties, of which two with P(1) and P(2) centers are pointing to the same face of the central aryl ring, while the third one directs oppositely, forming a pseudo-propeller. In the crystal structure, there exist face-to-face π-π stacking interactions which increase the stability of the crystal structure. 相似文献
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高分子光伏材料聚对苯撑乙烯撑(PPV)由于低廉的价格, 容易加工的性能与可调的光学性能, 有可能成为新一代太阳能材料. 然而PPV较宽的带隙阻碍了PPV太阳能电池效率进一步提高. 合成了一种较低带隙的新型高分子光伏材料 PPV-PQ. 用NMR, FT-IR, 元素分析, GPC和TGA与循环伏安法对PPV-PQ进行了结构表征与性能检测, 并对它在氯仿溶液与固态薄膜下的紫外-可见吸收与荧光发射光谱进行了研究. 结果显示, 由于在固态下存在较强的分子间作用, 分子链的共平面性增加, 所以PPV-PQ无论是紫外-可见吸收, 还是荧光发射光谱, 在固态薄膜下都比在氯仿溶液里发生明显红移. 即使在浓溶液中, 分子链间也存在较强的作用力, 使得PPV-PQ荧光发射峰随溶液浓度的增加而发生红移. 紫外-可见光谱显示, PPV-PQ由于大体积的吸电子单元引起了较大的空间位阻, 最大吸收峰比PPV稍微蓝移, 但吸收却比PPV向长波延展, 带隙比PPV低, 只有1.92 eV. 循环伏安法结果表明PPV-PQ与PCBM两者的LUMO之间有足够的能量差异, 加上PPV-PQ与富勒烯衍生物C117共混物薄膜发生荧光猝灭, 都说明PPV-PQ上光激发电子能够转移到富勒烯衍生物上. 因此, PPV-PQ可以用作高分子光伏材料. 相似文献
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Flexible Cu(In,Ga)Se2 Thin-Film Solar Cells on Polyimide Substrate by Low-Temperature Deposition Process 下载免费PDF全文
The electrical and structural properties of polycrystalline Cu(In, Ga)Se2 films grown on polyimide (PI) substrates below 400℃ via one-stage and three-stage co-evaporation process have been investigated by x-ray diffraction spectra (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Hall effect measurement. As shown by XRD spectra, the stoichiometric CIGS films obtained by one-stage process exhibit the characteristic diffraction peaks of the (In0.68Ga0.32)2Se3 and Cu(In0.7Ga0.3)2Se. It is also found that the film structures indicate more columnar and compact than the three-stage process films from SEM images. The stoichiometric CIGS films obtained by three-stage process exhibit the coexistence of the secondary phase of (In0.68Ga0.32)2Se3, Cu2-xSe and Cu(In0.7Ga0.3)2Se. High net carrier concentration and sheet conductivity are also observed for this kind of film, related to the presence of Cu2-xSe phase. As a result, when the CIGS film growth temperature is below 400℃, the three-stage process is inefficient for solar cells. By using the one-stage co-evaporation process, the flexible CIGS solar cell on a PI substrate with the best conversion efficiency of 6.38% is demonstrated (active area 0.16cm^2). 相似文献
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