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端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24~30℃,D1清亮点比M3提高了6~8℃,D1液晶态温区比M3加宽30~38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错. 相似文献
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含Sc*相硅碳烷树枝状分子液晶 总被引:1,自引:0,他引:1
树枝状化合物具有规整的结构,其分子体积、形状和功能基可在分子水平上精确控制[1].它的出现对于经典的有机高分子界是一个冲击,它是化学、生命科学和材料科学等多学科的交叉点,成为当前学术界的一大研究热点.我国这方面的研究起步较晚,至今仅有陈永明[2]、薄志山[3]和我们[4]曾报道过树状物. 相似文献
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光致变色液晶高分子研究(Ⅲ)──含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为 总被引:1,自引:0,他引:1
用热台偏光显微镜、X射线衍射和DSC研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷(PSI)的液晶性.将非介晶基元并入液晶均聚物,所得共聚物的液晶态类型不变,仍显示近晶型织构,在PSI共聚物中,保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为60mol%.在液晶性存在的范围内,共聚物的清亮点由130℃升至170℃,液晶共聚物的热稳定性随非介晶组分含量的增加而增强. 相似文献
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端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较. 相似文献
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含邻位羟基Schiff碱近晶相液晶中的高强向错张其震,崔利,孙继润(山东大学化学院,济南,250100)关键词高强向错点,近晶相纹影织构,液晶纹影(Schlieren)是向列相液晶织构的常见形式,某些近晶相液晶也可出现纹影织构,其特征为以消光黑点为中... 相似文献
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偶氮苯侧链共聚硅氧烷的合成及液晶行为的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
以苯酚、十一烯酸、正溴己烷、对硝基苯酚和二氯亚砜为主要原料 ,通过取代、还原、重氮化和偶合等反应 ,合成了一种新的液晶单体 4 己氧基 4′ 十一烯 [1 0 ] 酰氧基偶氮苯 ,并与聚 (甲基氢硅氧烷 )通过硅氢加成生成一种新的高分子液晶 .通过1 H NMR和IR对单体和聚合物的结构进行了表征 ,并证实了聚合物的硅氢化程度近于完全 .通过DSC和热台偏光显微镜 (POM)对单体和聚合物的液晶行为进行了研究 ,证明了都具有液晶性 相似文献
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