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用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃. 相似文献
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The melting and crystallization behavior have been investigated for an aromatic poly(azomethine ether) with non-linearly shaped molecular conformations. This polymer wasfound to undergo multiple melting processes and its phase transition behavior wasinfluenced sensitively by the thermal history of sample. A significant difference between thepolymer chain aggregation abilities of samples cooled from the different states wasobserved. The possible molecular morphology and aggregation models for describing thestructures of this polymer were proposed and discussed. The crystallization behavior of thesamples cooled from the partially isotropic state and the influence of cooling rate on it havealso been examined with DSC. 相似文献
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用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅 烷液晶(D_2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表 征D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基定.D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27-41℃,清亮点比M5降低17-18宽10-23℃.二 代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2-3℃,清亮点降低26-29℃,液 晶态温区减少℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错. 相似文献
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光致变色液晶高分子的研究(Ⅰ)—含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷… 总被引:2,自引:0,他引:2
用POM、DSC和WAXD研究了十一烯酸胆甾酯及含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷的液晶行为。单体呈现胆甾相的油条及螺旋织构,单致变近晶相的扇形织构和固-固相变。均聚物显示SA相的扇形织构。 相似文献
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侧基含偶氮基的硅氧烷梳状聚合物的光致变色性 总被引:10,自引:0,他引:10
本文研究了对十一烯酰胺基偶氮苯及其硅氧烷均聚、共聚的梳状聚合物在溶液或薄膜状态下的光致变色性和热回复性。它们的反、顺异构体组分比随光照时间趋于某稳定值, 该稳定的组分比与照射光波长有关。光异构反应是可逆的。比较了异构反应速率和异构转换率, 以聚硅氧烷共聚物PSII3A[侧基比(M1/M2)=1/9, M1是对十一烯酰基偶氮苯, M2是对十一烯酰氧对氧基苯酯]为最佳。升高温度能增进热回复异构。 相似文献
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报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc, 热回复异构化反应速率常数kH, 光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10-1 s-1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8 s-1, 因此, D3的光响应速度比后者快107倍. 相似文献
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端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24~30℃,D1清亮点比M3提高了6~8℃,D1液晶态温区比M3加宽30~38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错. 相似文献