全文获取类型
收费全文 | 6560篇 |
免费 | 1993篇 |
国内免费 | 2725篇 |
专业分类
化学 | 4439篇 |
晶体学 | 174篇 |
力学 | 636篇 |
综合类 | 336篇 |
数学 | 1481篇 |
物理学 | 4212篇 |
出版年
2024年 | 53篇 |
2023年 | 195篇 |
2022年 | 282篇 |
2021年 | 204篇 |
2020年 | 168篇 |
2019年 | 230篇 |
2018年 | 252篇 |
2017年 | 238篇 |
2016年 | 237篇 |
2015年 | 252篇 |
2014年 | 454篇 |
2013年 | 314篇 |
2012年 | 330篇 |
2011年 | 327篇 |
2010年 | 343篇 |
2009年 | 401篇 |
2008年 | 403篇 |
2007年 | 375篇 |
2006年 | 449篇 |
2005年 | 418篇 |
2004年 | 382篇 |
2003年 | 344篇 |
2002年 | 283篇 |
2001年 | 310篇 |
2000年 | 302篇 |
1999年 | 347篇 |
1998年 | 300篇 |
1997年 | 340篇 |
1996年 | 273篇 |
1995年 | 295篇 |
1994年 | 272篇 |
1993年 | 271篇 |
1992年 | 261篇 |
1991年 | 260篇 |
1990年 | 193篇 |
1989年 | 168篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 84篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 78篇 |
1984年 | 87篇 |
1983年 | 74篇 |
1982年 | 62篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 24篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 11篇 |
1965年 | 9篇 |
1958年 | 9篇 |
1957年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
952.
本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGe HBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGe HBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.
关键词:
SiGe HBT
集电结耗尽层
延迟时间 相似文献
953.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
954.
本文采用离散元方法,研究了双轴压缩的颗粒体系在刚性边界约束下,局部剪切带的形成和发展过程,注重分析了细观的体积分数、配位数、颗粒旋转角度等参数以及力链结构形态的演变.并从颗粒体系jamming 相图中J点附近的边壁压强和配位数随体积分数的标度规律出发,分析了剪切带内外的体积分数和配位数的变化.结果表明:剪切带形成于颗粒体系的塑性变形开始阶段,此时体系发生剪胀,颗粒体积分数减小,颗粒体系抵抗旋转的能力降低,开始出现细小剪切带,随着轴向应变的继续,细小剪切带发生连接,最终导致贯穿性优势剪切带形成
关键词:
颗粒物质
力链
双轴压缩
剪切带 相似文献
955.
莫晓虎 张建勇 张清江 Achasov Mikhail 蔡啸 傅成栋 Harris Fred 刘倩 Muchnoi Nikolay 秦庆 屈化民 王贻芳 徐金强 张天保 《中国物理 C》2011,35(7):642-655
Understanding the radiation background at the north crossing point (NCP) in the tunnel of BEPCII is crucial for the performance safety of the High Purity Germanium (HPGe) detector, and in turn of great significance for long-term stable running of the energy measurement system. Therefore, as the first step, a NaI(Tl) detector is constructed to continuously measure the radiation level of photons as background for future experiments. Furthermore, gamma and neutron dosimeters are utilized to explore the radiation distribution in the vicinity of the NCP where the HPGe detector will be located. Synthesizing all obtained information, the shielding for neutron irradiation is studied based on model-dependent theoretical analysis. 相似文献
956.
The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence. 相似文献
957.
958.
959.
将求解不可压缩流动的旋度形式压力校正格式从Stokes方程延拓到非定常不可压缩Navier-Stokes方程.在第一步需要求解一个线性的对流-扩散方程,在第二步求解一个Stokes问题.首先给出格式的稳定性分析,然后采用P_2—P_1元分别使用标准形式的压力校正格式和旋度形式的压力校正格式进行了数值模拟,模拟结果表明,对于速度的L~2,H~1误差,两种格式几乎一样,对于压力的L~2误差,旋度形式的压力校正格式略有改进. 相似文献
960.
用 R T P C R技术从 C S F V H C L V 株 F482 代感染兔脾的细胞总 R N A 中分段扩增出了 C S F V E2 基因特异的3 个部分重叠的 D N A 片段(大小分别为 499 bp、572 bp 和 245 bp),并将之分别克隆到p G E M T 载体上 经核苷酸序列测定和片段重叠完成了包含 E2 全长基因的 1 144 bp 序列的测定,其 G C含量为49.0% :核苷酸序列与国外报道的各株病毒的 E2 基因同源性分别为83.5% ~97.5% ;其推导的氨基酸序列的同源性也分别为89.3%~96.2% ,变异主要分布在 E2 蛋白的 N 半部分 相似文献