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本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度. 相似文献
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应用Yethiraj的加权密度近似泛函理论研究平板狭缝中方阱链流体的密度分布,系统的Helm holtz自由能泛函分为理想气体的贡献利剩余贡献两部分,其中剩余贡献部分分别采用刘洪 来等人建立的基于空穴相关函数的方阱链流体状态方程和Gil-Villegas等人提出的统计缔合 流体理论状态方程(SAFT-VR)结合简单加权密度近似计算.考察了不同链长、温度、系统密度 和壁面吸引强度下平板狭缝中方阱链流体的密度分布,并与Monte Carlo(MC)模拟结果进行 了比较.结果表明采用不同的状态方程对密度分布的计算有明显的影响,对于受限于硬壁狭 缝中的方阱链流体,温度和密度比较高时,两种状态方程计算的结果均与MC模拟符合得比较 好,在低温和低密度下效果变差,SAFT-VR方程的计算结果更接近于MC模拟结果.对于受限于 方阱壁狭缝中的方阱链流体,由于系统密度分布的非均匀性加强,采用两种状态方程计算的 结果均与MC模拟结果有一定偏差,寻找更合适的权重函数是进一步改进的关键.
关键词:
密度泛函理论
非均匀流体
密度分布
固液界面
方阱链 相似文献
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包层泵浦的L波段Er3+/Yb3+共掺光纤激光器 总被引:5,自引:4,他引:1
报道了一种工作波长在L波段的包层泵浦Er3+/Yb3+共掺光纤环形激光器. 环形腔内的激光工作介质为一段9 m长的Er3+/Yb3+共掺高掺杂光纤. 利用6个976 nm LD同时抽运前段Er3+/Yb3+共掺双包层光纤产生的放大自发辐射谱作二次抽运源, 使腔内增义谱由C波段移到L波段, 实现了L波段光纤激光器的稳定输出; 采用包层泵浦技术, 在抽运功率为3594.5 mW时, 测得泵浦入纤功率为2731.8 mW, 实现了输出连续功率最大518.4 mW,斜率效率达到19% 的激光输出; 所形成激光的工作波长为1613.94 nm, 激光光谱的3 dB带宽为1.5 nm, 边模抑制比接近于50 dB. 相似文献
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为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%~100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带. 相似文献
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双折射双频激光器频差特性分析 总被引:5,自引:0,他引:5
用激光原理和晶体光学原理分析了腔内加旋光晶体输出光的频差特性,分析表明:当晶片旋转时,理论计算的频差永远小于晶体两本征模通过晶片位相差所决定的频差,有一特殊因子G^2起作用。G^2的物理意义是激光本征模在晶体两本征模上的投影比平方。这表明一个激光本征模在通过晶体时是部分以快模形式,部分以慢模形式,实际位相延迟介于两者之间,由于两者都介于快模和慢模之间,因而实际频差小于由快模和慢模决定的频差,理论计 相似文献
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GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价 总被引:1,自引:1,他引:0
本文对GaAs光电阴极片UHV系统中原子级表面清洁方法做了研究,它们是:光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法,表面清洁效果用装于UHV系统中间在线俄歇检测,表面质量用Aa/GaAuger峰高进行比较,指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法:CS-离子轰击加退火法和热子背加热法。 相似文献
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