同步辐射在分子科学中的若干应用

同步辐射具有波段广、强度高、方向性好，偏振度高和脉冲持续时间短等许多优点，已在许多学科中发挥了重要作用，适合于分子研究的同步辐射的能量范围为６ｅＶ－１ｋｅＶ，现在人们最常用的是６－１００ｅＶ，即真空紫外波段。分子在这种高能量光子作用下，被激发到很高的电子态，或者产生电子、离子及中性碎片。测量这些产物，可能获得有关被研究对象的能态、吸收截面、电离效率、能量转移、电离能、离解能、反应通道等重要信息。     

二维分子动力学程序（MDP）的并行与优化

基于消息传递并行程序设计平台MPI,结合当前微处理器的高性能特征,探讨了二维分子动力学数值模拟程序的优化和并行,且具体应用到高速碰撞物理模型问题。其中,串行优化的性能提高了两倍,并行效率在由8台高性能微机构成的微机机群上。均大于90％。     

石墨炉原子吸收光谱法测定催化有机残液中的微量铑

硝酸于聚四氟乙烯闷罐中消解样品 ,石墨炉原子吸收光谱法测定催化有机残液中的微量铑 ,相对标准偏差为 6 .2 %,回收率为 96 .5 %— 1 0 5 .4 %。方法简便、快速 ,分析结果令人满意。     

紫外-可见吸收光谱法现场监测聚苯胺的电化学降解

采用紫外-可见吸收光谱法现场监测了苯胺电化学聚合时的动力学降解过程,简单、直观地显示了阳极电位、酸度和苯胺浓度对降解过程的影响,结果表明,阳极电位越正、酸度越强、苯胺浓度越大,聚苯胺的降解速度越快。该方法得到的结果与聚苯胺膜在空白溶液中采用循环伏安法研究其降解动力学时得到的结果类似。     

用落体法测重力加速度的实验方案选择

重力加速度是物理学中一个重要的参量.地球上各地区的重力加速度的数值随地理纬度、海拔高度和地质结构的不同而不同.重力加速度的测量不仅在物理中具有重要意义,而且对于研究地层结构和探查地下资源都有实用价值,因此,细致地测量和准确地计算重力加速度是十分必要的.测量重力加速度的方法多种多样,本文利用自由落体原理,借助光电门测重力加速度.为减小误差对具体实验操作及数据处理方法的选择进行深入探讨.     

低能离子注入宫颈癌细胞的红外光谱分析

利用离子注入机所产生的低能N+模仿宇宙中低能离子作用于人宫颈癌细胞(HeLa cell),探索其对人类细胞的影响及作用机制。因实验中的低能离子产生和加速要在真空中进行,细胞在离子注入同时将受到真空的影响,为此研究人员利用石蜡油保护细胞以防止注入时的水份蒸发。注入处理完毕后收集细胞,采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)分析真空和低能N+束注入后细胞中大分子的相对含量、构型及其构象变化等方面的信息。结果表明：(1)不同处理后的样品在3 300 cm-1附近吸收谱带存在明显差异。对照样品的特征峰位为3 300 cm-1,而其他样品中除了注入5×1014 N+·cm-2外,红外吸收峰均向长波数方向移动,真空2×1015 N+·cm-2样品的频移尤为明显至3 420 cm-1处。(2)与对照样品相比较,各处理样品的1 378 cm-1处吸收峰峰位均向长波数方向频移。(3)处理样品相对于对照样品而言,2 360 cm-1处吸收峰均向长波数方向移动。该结果说明低能离子注入处理可以引起细胞中核酸、蛋白的含量和构象变化。     

Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation

By formation of an intermediate semiconductor layer (ISL) with a narrow band gap at the metallic contact/SiC interface, this paper realises a new method to fabricate the low-resistance Ohmic contacts for SiC. An array of transfer length method (TLM) test patterns is formed on N-wells created by P⁺ ion implantation into Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. The ISL of nickel-metal Ohmic contacts to n-type 4H-SiC could be formed by using Germanium ion implantation into SiC. The specific contact resistance ρ_c as low as 4.23× 10^-5~Ωega \cdotcm² is achieved after annealing in N₂ at 800~°C for 3~min, which is much lower than that (>900~°C) in the typical SiC metallisation process. The sheet resistance R_sh of the implanted layers is 1.5~kΩega /\Box. The technique for converting photoresist into nanocrystalline graphite is used to protect the SiC surface in the annealing after Ge⁺ ion implantations.     

254 nm低通滤光片的研制

根据紫外光学系统的设计要求,在K9基底上研制了254 nm高反射率、可见光谱区高透过率的低通滤光片.根据膜系设计理论,通过针法优化,获得了干涉型低通滤光片的膜系;对电子束蒸镀HfO_2和MgF_2材料进行了研究,解决了材料喷溅的问题,减少了薄膜的吸收;采用考夫曼离子源,通过优化工艺参数,提高膜层致密性,解决了光谱曲线漂移的问题,改善了成膜质量.     

润滑油对超临界压力CO_2对流换热特性影响

本文对含有少量润滑油对冷却条件下水平细圆管中超临界压力二氧化碳的对流换热特性进行了实验研究,并与相应不含润滑油的工况及已有经验关联式进行对比。实验结果表明,润滑油会使冷却工况下超临界压力二氧化碳的对流换热恶化,尤其是二氧化碳温度在准临界温度附近时,恶化现象更显著。本文提出了用于计算含润滑油时冷却工况下超临界压力二氧化碳对流换热的经验关联式,其计算结果与90%以上实验数据的偏差在25%以内。     

用电流源法测量非线性元件的伏安特性

本文报导了一种新的用于测量非线性元件伏安特性的实验电路，该电路采用的是以电流为信号变量的电流模式测量电路，并分析与比较了该电路与传统的以电压作为信号变量的电压模式测量电路的不同．