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21.
文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400~700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1~2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值. 相似文献
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以文献综述的方式解释概念转变的含意,指出物理概念转变的困难所在,提出解决概念转变的认知冲突策略,并提供了实施该策略的一些方案.然后列举初学电学的学生中存在的一些前概念,为设计认知冲突策略提供依据.最后阐述运用认知冲突策略时要注意的问题. 相似文献
23.
关于设计性物理实验的几个问题 总被引:3,自引:1,他引:2
对设计性物理实验的教育功能进行了探讨,并以“用电位差计校正毫安表”为例,介绍了如何对学生的动手能力进行评价. 相似文献
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珠算穿梭式加减法,是珠算界学者、专家在总结传统加减算法的基础上,根据珠算自身的性质,而改进推出的一种新的珠算加减打法,它不仅改进了传统加减法中手指逆向(自右向左)空回的缺陷,也大大地提高了珠算加减法的运算速度。但是,经过几年的实践,广大珠算爱好者们发现,珠算穿梭式加减法在进行逆向加减运算时, 相似文献
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28.
Schapery本构关系能够很好地描述材料的粘弹性变形,但其中存在着下面几个问题:(1)当材料的蠕变变形含有粘塑性变形时,直接引用Schapery本构方程是不准确的;(2)材料的蠕变一般有损伤产生,Scbapery本构方程不能体现损伤特征;(3)理论上讲,无论载荷的突变量多大,粘弹性变形总有一个时间过程,这一点与Schapery本构方程不一致;(4)Schapery本构方程的参数确定是由曲线来拟合,这种方法有很大的主观性,本文介绍了Schapery本构方程的推导过程,针对上述问题提出了一些修改意见。 相似文献
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Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement. 相似文献