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41.
在氯化十六烷基吡啶存在下水杨基荧光酮与Te(IV)显色反… 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了阳离子表面活性剂氯化十六烷基吡啶(CPC)存在下,pH4.8的HOAc-NaOAc缓冲介质中,Te(IV)与过量的水杨基荧光酮(SAF)形成1:4的稳定佤合物,其最大吸收波长为534nm,表现摩尔吸光系数为1.47×10^5,Te(Ⅳ)浓度在0~8μm/25ml范围内遵守比耳定律,建立了水相测定硒中微量碲的吸光光度法,获得了满意的结果。 相似文献
42.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor 下载免费PDF全文
With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
43.
44.
45.
研究了具有HollingII类型功能反应的一捕食者有两个食饵的时滞系统,通过构造Lyapunov泛函得到了与时滞有关的系统全局渐近稳定的充分条件. 相似文献
46.
47.
48.
本文考虑了二阶半线性椭圆问题的Petrov-Galerkin逼近格式,用双二次多项式空间作为形函数空间,用双线性多项式空间作为试探函数空间,证明了此逼近格式与标准的二次有限元逼近格式有同样的收敛阶.并且根据插值算子的逼近性质,进一步证明了半线性有限元解的亏量迭代序列收敛到Petrov-Galerkin解. 相似文献
49.
50.