LD激发的ZnWO4:Er3+晶体上转换发光

采用Czochralski法生长出ZnWO₄:Er³⁺(Er=0.02mol)单晶,测量了吸收光谱和激发光谱。在波长966nm功率500mW的激光二极管(LD)激发下观察到上转换发光。强度最大的发射峰位于547和558nm,发射光谱分析表明,上转换激发过程与双光子步进吸收有关。     

晶化时间及硅源对SAPO-5分子筛的结构及模板剂状态的影响

通过改变硅源和晶化时间的方法,采用水热法合成了系列SAPO-5分子筛材料,用X光衍射(XRD)和²⁷Al MAS NMR对产物的晶相结构进行表征,用¹³C CP MAS NMR研究了不同阶段的产物中模板剂的存在状态。结果可见:以SiO₂凝胶为硅源时;薄水铝石反应物有较高的活性,在48h的晶化时间内,延长晶化时间有助于SAPO-5分子筛的完整结晶,当晶化时间超过48h时,其中已形成的SAPO-5的结构部分被破坏,并转化为SAPO-34.且SAPO-34的量随晶化时间的延长而增多。当以Si(OEt)₄为硅源时,铝反应物的反应活性较低,在72h的晶化时间范围内,延长晶化时间有助于SAPO-5产物的形成,使其结构愈加完整,在SAPO-5分子筛的形成过程中,模板剂的状态随分子筛结构的变化而变化,由于三乙胺(Et₃N)模板剂中的甲基和亚甲基所处位置不同,其弛豫时间受分子筛结构的影响较大,可用其中甲基的¹³C MAS NMR诺线的强度及化学位移来表示分子筛结构的完整性。     

染料敏化太阳电池工艺参数的优化

染料敏化纳晶TiO2薄膜太阳电池的性能受TiO2浆料组成、薄膜厚度、烧结工艺、染料浸渍时间、导电玻璃类型以及电极处理工艺等因素影响是很明显的.通过对上述各工艺参数的研究,探讨了它们对电池性能的影响规律,获得了最佳的工艺参数组合.     

Yb^3＋对Tm^3＋间接敏化与基质晶格关系

Yb^3 敏化Tm^3 有两种方式,一种是直接敏化上转换,另一种是间接敏化上转换。前种直接采用980nm激光激发,而后者可用807nm激光激发,无疑后者有利于提高上转换发光的量子效率。由于基质晶格的晶体场强度不同,对称性有高有低,造成的稀土离子的能级分裂不同,通过分析双掺BaY2F8,Cs3Yb2C19等材料的光谱资料并结合生长的双掺Yb^3 ,Tm^3 :ZnWO4单晶光谱的实际测试与分析,提出了Yb^3 和Tm^3 间的间接敏化共振能量传输的新观点,并具体分析了能形成这一上转换机制的条件。与间接敏化非共振能量传输不同,一是Yb^3 的^2F5/2→^2F7/2的跃迁应与Tm^3 3H4→^1G4能级间隔尽可能接近;二是Yb^3 激发态能级^2F5/2与Tm^3 的^3H4能级尽可能接近。这要求基质材料的晶体场场强要弱,对称性要低。间接敏化共振能量传输极有可能引起光子雪崩上转换,这将为探索实用上转换激光晶体提供有益经验。     

一氧化氮在Nafion-钴席夫碱膜修饰电极上的电催化氧化及其测定

将一种杂环席夫碱N,N′-2 ,6 -二乙酰吡啶缩双苯胺和Nafion修饰在铂电极上 ,然后与钴 (Ⅱ )反应 ,得到Nafion -钴席夫碱膜修饰电极。实验结果表明 ,该修饰电极具有良好的机械、化学和电化学稳定性 ,对生物分子一氧化氮的电化学氧化有显著的催化作用。以1.5次微分线性扫描伏安法测定一氧化氮 ,当浓度在2.8×10-6～8.4×10-8 mol/L范围时 ,氧化电流与浓度有良好的线性关系 ,抗坏血酸、精氨酸及亚硝酸根不干扰测定。     

Imperfect bifurcation of systems with slowly varying parameters and application to Duffing's equation

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎＰｈｙｓｉｃｓ,Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ,ＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＬｉｆｅＳｃｉｅｎｃｅｅｔｃ.,ｔｈｅｒｅｅｘｉｓｔｓｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎｐｒｏｂｌｅｍｗｉｔｈａｐａｒａｍｅｔｅｒ ｘ=ｆ(ｘ ,λ)　　 (ｘ∈Ｒｎ,λ∈Ｒ) ,(1 )ｗｈｅｒｅλｉｓａｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｐａｒａｍｅｔｅｒｏｆｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎａｎｄｆ(ｘ ,λ) ∈Ｒｎｉｓａｎｎ＿ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｖｅｃｔｏｒｆｉｅｌｄ .Ｔｈｅｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎｐｒｏｂｌｅｍｗｉｔｈａｃｏｎｓｔａｎ…     

掺镨钒酸钆晶体的研究

生长了新型激光晶体Pr:GdVO4,经XRD分析可知生长的晶体与纯GdVO4晶体结构一致,晶体质量良好.室温下测试了晶体400～3000 nm范围内的吸收光谱.通过对吸收光谱研究,发现σ谱图中各吸收峰吸收强度更大,宜选择入射光传播方向和电矢量均垂直于光轴的方向进行激光实验.采用404 nm的激发源抽运Pr:GdVO4晶体,测试其荧光光谱,发现其在可见波段有宽且强荧光发射(604 nm、616 nm),对应于1D2→3H4.比较不同浓度晶体的荧光谱,荧光强度呈现如下趋势:0.5;>0.7;>0.32;.     

TiCl4处理对TiO2薄膜显微结构以及染料敏化太阳电池性能的影响

本文通过粉末涂敷法制备了纳米TiO2多孔膜,并用40 mM的TiCL4水溶液对多孔膜进行了表面处理,发现TiCl4处理对多孔薄膜的显微结构有重要影响.通过纳米TiO2多孔膜的表面形貌分析,发现TiCl4处理降低了薄膜因高温烧结而出现的"龟裂"现象,同时薄膜中微空洞数量增加,分布更均匀,进而显著提高了染料敏化太阳电池的光电转化效率.     

X射线连续谱晶体单色器的分辨率

本文讨论了在连续X射线谱的情况下,例如EXAFS谱时,晶体单色器的能量色差。根据连续谱强度随能量变化很小的特点,将其强度看作一常量,提出了计算平晶及Johann,Johansson弯晶单色器平均分辨率的计算方法。同时也指出了以往文献中关于Johann法反射几何分析的一些不当之处。并证明Johann法能得到比过去人们所估计的好得多的分辨率。 关键词：     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：