全文获取类型
收费全文 | 416篇 |
免费 | 90篇 |
国内免费 | 188篇 |
专业分类
化学 | 334篇 |
晶体学 | 19篇 |
力学 | 27篇 |
综合类 | 20篇 |
数学 | 89篇 |
物理学 | 205篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 11篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 30篇 |
2017年 | 17篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 21篇 |
2014年 | 42篇 |
2013年 | 21篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 20篇 |
2010年 | 24篇 |
2009年 | 22篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 25篇 |
2006年 | 34篇 |
2005年 | 38篇 |
2004年 | 38篇 |
2003年 | 36篇 |
2002年 | 32篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 14篇 |
1999年 | 20篇 |
1998年 | 14篇 |
1997年 | 15篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 14篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 11篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
1977年 | 2篇 |
1975年 | 2篇 |
排序方式: 共有694条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor 下载免费PDF全文
With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
62.
63.
64.
研究了具有HollingII类型功能反应的一捕食者有两个食饵的时滞系统,通过构造Lyapunov泛函得到了与时滞有关的系统全局渐近稳定的充分条件. 相似文献
65.
66.
67.
本文考虑了二阶半线性椭圆问题的Petrov-Galerkin逼近格式,用双二次多项式空间作为形函数空间,用双线性多项式空间作为试探函数空间,证明了此逼近格式与标准的二次有限元逼近格式有同样的收敛阶.并且根据插值算子的逼近性质,进一步证明了半线性有限元解的亏量迭代序列收敛到Petrov-Galerkin解. 相似文献
68.
69.
文 [1 ]给出了一个关于kn的不等式猜想 ,猜想的右侧不等式是 :正整数n ,k >1 ,则nk 2时 ,( 1 )式成立 .为证明上述结论 ,先给出两个引理引理 1 [贝努利 (Bernoulli)不等式 ]若x >- 1且k是正整数 ,则 ( 1 +x) k≥ 1 +kx .等号当且仅当x =0时成立 .利用二项式定理易证引理 1 .引理 2 [2 ] 若 - 1 相似文献
70.
余弦定理在四面体的一个推广 总被引:2,自引:1,他引:1
余弦定理 在△ABC中 ,设内角A ,B ,C的对边分别为a ,b ,c,则b2 =a2 c2 - 2accosB .( 1 )文 [1 ]给出了余弦定理在四面体的一个推广如下 :定理 1 在任意四面体中 ,它的一个面的面积的平方 ,等于其他三个面的面积的平方和 ,减去这三个面中每个面的面积与它们所夹二面角的余弦的积的和的两部 .文 [2 ]给出了余弦定理在四边形的一个推广如下 :定理 2 设凸四边形ABCD的四边长依次为AB=a ,BC=b ,CD=c,DA =d ,两对角线长AC =p,BD =q ,则(pq) 2 =(ac) 2 (bd) 2 -2abcdcos(B D)(2 )本文给出余弦定理在四面体的一个有别于定理 1的推… 相似文献