劳动教育在中考题中的渗透及其教学启示

为了探索数学教育与劳动教育在教学中有效融合的途径,本文以2022年江苏中考试题为依托,将涉及劳动教育背景的题目归纳总结为三类,并就其具有的跨学科价值与教学启示进行案例研究.研究表明：融合道路上的困境主要来源于教师教学、学生认知以及课程体系.相应地,促进融合的途径有挖掘数学学科中劳育的渗透点,完善课程体系以及提升教师教育技能.本研究为劳动教育融合数学教育提供了可行的教学方案与建议,具有现实意义.     

对-叔丁基-杯[4]芳烃键合硅胶及其它硅胶基质键合固定相的色谱保留性质

利用线性溶剂化能相关,在相同色谱条件下,研究了对-叔丁基-杯[4]芳烃键合硅胶固定相与其它硅胶基质键合固定相的反相色谱行为。结果表明,对-叔丁基-杯[4]芳烃键合硅胶固定相和其它固定相在保留机理上有很大不同。控制溶质保留的两个主要因素不是溶质的体积和氢键受体碱性,而是溶质的过剩摩尔折光率和氢键给体酸性。r系数值较大说明π-π作用对溶质的保留贡献较为明显,说明该新固定相对高极化率溶质如稠环芳烃具有较高的选择性。     

含酯基聚合物液相色谱填料的制备与性能

采用新的聚合工艺制备了用于高效液相色谱的双甲基丙烯酸乙二醇酯-苯乙烯-二乙烯苯共聚物柱填料.该球形聚合物的料径为5±2μm,测定了渗透性、理论塔板高度和选择性等柱参数,并与文献中类似填料的数据作比较.此种含酯基聚合物柱效较高、刚性好、渗透性强,适于分离芳胺、酚类和环己酮过氧化物等中等极性混合物.     

《高分子物理》目标问题导向线上教学初探与实践

《高分子物理》(第5版)是高分子材料与工程专业本科生的核心课程,课程包含高分子和高聚物为对象的全部物理知识,内容多而杂,且要求学生具备良好的空间想象力和抽象的分析能力,因此,学生往往难以抓住重点,学习效果较差.本文结合线上教学和"举一反三"教学方式的特点,提出了目标问题为导向的教学模式,采用问题驱动-自由探讨-内容讲授...     

PICA法制备用于高效液相色谱的锆胶基质柱填料

迄今 ,硅胶基质固定相在 HPLC领域仍占据主导地位 ,但由于它的 p H使用范围窄 ,尤其在碱性条件下基质逐渐溶解 ,其使用受到限制 [1] .为此 ,寻找稳定性能高的新基质成为当前色谱学研究的热点之一 ,二氧化锆因具有良好化学稳定性和机械强度而受到关注 .目前 ,制备微米级、球形和多孔二氧化锆基质柱填料的常用方法有两种 :(1 )油乳化法 (OEM) ;(2 )聚合诱导胶体凝聚法 (PICA) .OEM法操作简单 ,但制备的二氧化锆微球粒径分布宽且孔径较小 .Carr[2 ,3] ,Unger[4 ] ,Rassi[5,6 ]和 Kawahara等[7,8] 在用 OEM法制备二氧化锆微球方面做了…     

TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究

透明半导体铟锡氧化物(ITO)作为电极能够降低光导开关电极边缘电流集聚效应和提高脉冲激光的利用率。本文通过在ITO与GaN界面之间分别插入10 nm的Ti与TiN,研究Ti、TiN对ITO与GaN欧姆接触性能的影响。I-V测试结果表明,随着退火温度升高,插入TiN的光导开关一直保持欧姆接触特性,而插入Ti的光导开关由欧姆接触转变为肖特基接触。通过TEM测试发现,当以Ti作为插入层时,ITO通过插入层向插入层与GaN的界面扩散,在接触界面形成Ti的氧化物及空洞。透射光谱显示,不同退火温度下插入Ti层的透过率均低于38.3%,而以TiN作为插入层时透过率为38.8%～55.0%。因此含有TiN的光导开关具有更稳定的电学性能和更高的透过率,这为GaN光导开关在高温高功率领域的应用提供了参考。     

氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景.目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展.本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用.最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望.     

利用玻纤厂烟气脱氟副产物合成莫来石晶须北大核心CSCD

以氢氧化铝和二氧化硅为莫来石前驱体,玻纤厂烟气脱氟副产物作为助剂合成莫来石晶须。采用了X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了热处理温度和助剂含量等对莫来石晶须合成的影响。结果表明助剂的加入对莫来石的合成有显著的促进作用,当助剂添加量为5wt%时,莫来石化的开始和完成温度和文献报道相比分别降低了约100℃和300℃,并且莫来石晶粒为晶须形貌。助剂含量为5wt%的样品在1400℃热处理两小时制备的莫来石晶须的长径比可达20。     

利用玻纤厂烟气脱氟副产物合成莫来石晶须

以氢氧化铝和二氧化硅为莫来石前驱体,玻纤厂烟气脱氟副产物作为助剂合成莫来石晶须。采用了X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了热处理温度和助剂含量等对莫来石晶须合成的影响。结果表明助剂的加入对莫来石的合成有显著的促进作用,当助剂添加量为5wt%时,莫来石化的开始和完成温度和文献报道相比分别降低了约100℃和300℃,并且莫来石晶粒为晶须形貌。助剂含量为5wt%的样品在1400℃热处理两小时制备的莫来石晶须的长径比可达20。