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61.
在前期的研究中曾通过Ag掺杂降低Sm123/Sm211体系熔点,利用Nd123冷籽晶技术成功制备出具有理想织构的SmBCO/Ag单畴块材.但在实验结果中发现相比于未掺杂坯体,掺入Ag后的SmBCO坯体生长速率下降,在所考察的慢冷温区里,生长速率呈不断减小趋势,最终因自发成核而无法继续生长,使得SmBCO单畴区域局限于15×15mm2范围内.为了抑制单畴生长中的自发成核现象,本文研究了降温速率对SmBCO/Ag单畴自发成核的影响.在两组不同条件下的降温速率实验中发现,不同的降温速率对体系自发成核的抑制效果是不同的.利用降低降温速率,成功地将掺Ag SmBCO单畴面积从15×15mm2增大至26×26mm2. 相似文献
62.
在前期的研究中,利用NdBCO123冷籽晶技术成功制备出具有理想织构的SmBCO/Ag单畴块材.但由于高质量的Nd籽晶的供应难以得到保证,从而限制了SmBCO单畴块材的批量化制备.Ag可以降低SmBCO坯体的熔点,这为用SmBCO冷籽晶技术引导SmBCO/Ag坯体生长单畴块材提供了可能性.然而,实验中我们发现,坯体里面的Ag容易向籽晶内部扩散,导致籽晶熔融,对单畴块材的生长产生不利影响.为克服这困难,我们通过在坯体和籽晶之间加入一个SmBCO211缓冲层,有效地阻止坯体里面的Ag向籽晶扩散,成功实现了同质冷籽晶技术生长SmBCO超导单畴块材. 相似文献
63.
研究了Er1.0P5O14铒非晶玻璃的红外量子剪裁现象. 从吸收谱和激发光谱的计算比较中肯定了Er1.0P5O14非晶 玻璃的1537.0 nm红外荧光为多光子量子剪裁荧光. 从Er1.0P5O14非晶玻璃的可见和红外荧光发射光谱中发现激发2H11/2, 4G11/2和4G9/2能级所导致的4I13/2→4I15/2量子剪裁红外荧光很强;基于自发辐射速率、无辐射弛豫速率和能量传递速率等参数的计算,对其量子剪裁机理进行了分析.发现起源于基态的强下转换能量传递{2H11/2→4I9/2,4I15/2→4I13/2},{4G11/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2},{4G9/2→4F7/2,4I15/2→4I13/2}和{4G9/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2}是导致Er1.0P5O14非晶玻璃具有强的三光子和四光子量子剪裁红外荧光的原因.研究结果对改善太阳能电池效率有一定意义. 相似文献
64.
65.
不同X射线管电压下CsI和CsI(Tl)晶体的X射线辐照致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11~40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关. 相似文献
66.
The semiconductor CdSeS quantum dots (QDs) embedded in glass are analysed by
means of absorption spectra, photoluminescence (PL) spectra and
photoluminescence excitation (PLE) spectra. The peaks of absorption spectra
shift to lower energies with the size of QD increasing, which obviously
shows a quantum-size effect. Using the PLE spectra, the physical origin of
the lowest absorption peak is analysed. In PLE spectra, the lowest
absorption peak can be deconvoluted into two peaks that stem from the
transitions of 1S3/2--1Se and 2S3/2--1Se respectively.
The measured energy difference between the two peaks is found to decrease
with the size of QD increasing, which agrees well with the theoretical
calculation for the two transitions. The luminescence peak of defect states
is also analysed by PLE spectra. Two transitions are present in the PLE,
which indicates that the transitions of 1S3/2--1Se and 2S3/2--1Se are responsible for the defect states luminescence. 相似文献
67.
隔水套管波流联合作用下非线性动力响应 总被引:4,自引:0,他引:4
考虑流及波流联合作用,研究了深水套管的涡激非线性振动.将套管简化为梁模型,计及Morison非线性流体动力和涡激荷载,建立套管的涡激振动方程.采用Korolov函数求解套管的固有频率和模态,提出了计算涡激非线性动力响应的Galerkin方法,计算了160 m水深中170 m长套管的固有频率和模态,研究了流引起的主共振和波流联合引起的组合共振.计算结果表明波流联合作用下套管的动力响应明显增大,结果也揭示了波流联合激励下套管复杂的动力响应特性. 相似文献
68.
介绍了合成低维材料中最常用的两类液相方法:常压液相和非常压液相反应方法。在此分类的基础上,针对实验中控制产物形貌、获得零维或准一维纳米材料所采用的技术方法进行了分类介绍。 相似文献
69.
70.
射频相位参考线是粒子加速器的重要组成部分之一,为射频低电平控制系统(LLRF)、束流诊断系统、定时系统等提供稳定的相位锁定参考信号。为减少远距离传输过程中由环境温度变化导致的射频传输线中的射频相位漂移,多个加速器装置中已经采用射频相位参考线提供射频相位参考,这些相位参考的实现方案主要是基于恒温控制和基于光纤锁相。与这些方案相比,采用相位平均方法不仅可以保持长距离节点之间的相位稳定,而且更易于现场安装与维护。现有的带有锁相环(PLL)的终端短路方式实现相位平均参考线的方案仍有一些节点数量限制等方面的不足,本文对相位平均参考线结构进行了去除PLL的简化设计并进行了验证,以期增加更多的相位分配节点以及降低对射频器件参数的要求。对非PLL的单端输入终端短路相位平均方案与两端输入各节点间互为参考的相位平均方案分别进行了实验测试,结果表明两者的相位RMS精度可以达到0.1°~0.3°。并对不同的相位平均实现方案中相位不稳定的产生原因进行了分析,结果表明,除环境温度外,同轴线缆材质、合成相位与幅度的不平衡合成等也是重要影响因素。 相似文献