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91.
等离子体仿真是研究等离子体放电特性的重要手段,特别是阳极层离子源,其放电结构的几何特性对等离子体特性的作用很难通过实验手段进行系统研究.然而,传统仿真模型一般是针对离子源进行整体建模,离子源的阴阳极几何轮廓形成的复杂求解域,导致模型的计算效率和收敛性较差.鉴于此,将离子源结构仿真与等离子体仿真分离,首先利用磁镜原理将离子源内外阴极大小、形状和相对位置等一系列阴极几何参数简化为磁镜比Rm和磁镜中心磁感应强度B0两个磁镜参数,并在此基础上,建立了高效粒子网格/蒙特卡罗模型,将收敛时间由1.00μs缩短到0.45μs,大幅提升了计算效率和稳定性.进一步利用该模型系统研究了阳极层离子源放电结构的几何特性对等离子体特性的影响规律,发现Rm=2.50, B0=36 mT时磁镜对等离子体约束效果最佳,当放电中心的位置与内外阴极间磁镜中心重合时,不仅能够输出高密度离子束流,同时可大幅减少阴极刻蚀,并保证内外阴极的刻蚀平衡. 相似文献
92.
众所周知,在柱形杆的扭转问题中,可以通过应力函数Ψ(x,y)求解具体问题.在本文中,令其中 u(x,y)为新引入的函数.利用专著[2]中的式(2.40),(2.44a),(2.38)和(2.52a),不难 相似文献
93.
即时定位与制图可以在线构建环境特征地图同时利用所建地图辅助定位,可以建立基于特征地图的的地形辅助全自主式导航系统。当GPS信号有效时,导航系统利用INS/GPS组合方式进行精确导航,同时在线建立特征地图,并不断更新修正地图。当GPS信号无效的时候,之前建立的地图用来修正惯导误差,约束惯导误差在一定的范围内,达到精确导航的目的。将及时定位与制图在线制图的功能引入组合导航系统使得该系统具有在线跟踪路标制图和限制系统误差扩延的能力,此性能通过计算机仿真得到验证。 相似文献
94.
95.
题1已知抛物线y2=4x及点P(2,2),斜率为1的直线l不过点P,且与抛物线交于点A和B,直线AP、BP分别交抛物线于另一点C和D.证明:AD与BC交于定点Q.文[1]分析了题1的"动源",并利用"动源"将上述问题演变成相关的三个问题,但未能彻底剖析"定因"与"动源"的关系,以致作者最后谈到,"由于运算量过大以及笔者自身的水平有限,未能完成:(1)能否将上述命题一般化;(2)能否将命题类比到椭圆、 相似文献
96.
97.
The title complex [Cd(IPA)L(H2O)]n(1,H2IPA = isophthalic acid,L = 1,4-bis(pyra-zole-1-ylmethyl)benzene) has been hydrothermally synthesized,and characterized by elemental analyses,IR spectroscopy,TGA and X-ray single-crystal diffraction.It crystallizes in the triclinic system,space group P1 with a = 9.3060(6),b = 10.2374(7),c = 11.9706(8) ,α = 73.804(6),β = 77.883(5),γ = 85.942(5)°,V = 1070.7(1) 3,Z = 2,C22H20CdN4O5,Mr = 532.82,Dc = 1.653 g/cm3,μ = 1.062 mm-1,λ(MoKα) = 0.71073 ,F(000) = 536,R = 0.0392 and wR = 0.0640 for 3751 observed reflections with I > 2σ(I).Crystal structure analysis showed that complex 1 has a 1D double chain structure,which is assembled together through strong O-H...O hydrogen bonding interactions between coordinated water molecules and carboxylate groups of isophthalate to form a 2D supramolecular network.In addition,the solid-state fluorescent spectrum of 1 exhibits strong emission at 364 nm. 相似文献
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99.
100.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献