全文获取类型
收费全文 | 746篇 |
免费 | 203篇 |
国内免费 | 166篇 |
专业分类
化学 | 407篇 |
晶体学 | 16篇 |
力学 | 72篇 |
综合类 | 18篇 |
数学 | 123篇 |
物理学 | 479篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 43篇 |
2022年 | 55篇 |
2021年 | 45篇 |
2020年 | 26篇 |
2019年 | 51篇 |
2018年 | 38篇 |
2017年 | 36篇 |
2016年 | 51篇 |
2015年 | 46篇 |
2014年 | 80篇 |
2013年 | 57篇 |
2012年 | 60篇 |
2011年 | 34篇 |
2010年 | 40篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 34篇 |
2007年 | 30篇 |
2006年 | 41篇 |
2005年 | 28篇 |
2004年 | 20篇 |
2003年 | 31篇 |
2002年 | 16篇 |
2001年 | 23篇 |
2000年 | 18篇 |
1999年 | 14篇 |
1998年 | 11篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 12篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1978年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有1115条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
103.
The electroluminescence of GexSi1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved. 相似文献
104.
1 实验:浮力方向总是竖直向上的 在初中物理浮力的教学中,浮力的方向总是竖直向上的,教材中没有专门的实验直观显示,学生虽能理解浮力的方向是向上的.但理解浮力方向总是竖直向上的就有一定困难. 相似文献
105.
106.
107.
应用1H-1H COSY,NOESY,13C-1H COSY等2DNMR和DEPT技术,完成了赤霉酸甲酯(2),13-O-乙酰基赤霉素甲酯(3)及其3位差向异构体(4)的1H和13CNMR化学位移的全指定,并探讨了它们的相对构型,相关质子间的偶合常数也支持所得结果。 相似文献
108.
109.
用转镜式扫描光谱仪获得了微型环流器放电中不同时刻的氢等离子体的扫描光谱及氢原子光谱的H_α和H_β谱线的瞬时轮廓。根据谱线的多普勒展宽,测定了放电期间离子温度随时间的变化;亦观察了在发生破裂不稳定性时离子温度的变化。 相似文献
110.
设S 是序幺半群,借助环模理论以及半群S -系理论方法,在序S -系范畴中研究了弱拉回平坦性质。刻画了弱拉回平坦序S -系关于直积封闭的序幺半群类以及弱拉回平坦性质与其他性质一致的序幺半群类,讨论了循环序S -系具有拉回平坦覆盖的条件,进而推广了S -系的一些重要结果。 相似文献