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设E是一致凸Banach空间,且具有一致Gteaux可微范数,C是E的一个非空闭凸子集,T是渐近非扩张映射.对于任意x∈C,本文引入Cesàro意义上的修正Ishikawa迭代:x0=x∈C,yn=γnun+δnxn+(1-γn-δ)n+11∑j=0nTjxn,xn+1=μnvn+αnγf(xn)+βnxn+[(1-μn-βn)I-αnA]n+11∑j=0nTjyn,n≥0在适当的条件下证明此迭代序列的强(弱)收敛性. 相似文献
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Four series of trifluorobenzoate liquid crystals have been synthesized. Their phase transition temperatures have been also measured by texture observation in a polarizing microscope and confirmed by DSC. The influence of the lateral fluoro-substitution and triple bond has been also discussed. 相似文献
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1IntroduInthispaperwestudyill(.)(l}xlsl(.)ll(:()noTI-1)ega,t]v(3s(>1lltionsfort,h(i1,woilo]lit,boundaryvalueproblemsu\ry;l;(:i.t>(v,>\,:t),:j:=fti-i'...ifn(j)>l),A>0isdcollstanta,f,dj'e(!'l,.,ti,fi<,,f(())<0(l.:i)111.of)i(lfllsifs{.1.l:)-(.I.2)havel,ecnsi… 相似文献
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We have proposed the Hamiltonian of a polaron bound to a donor impurity in semiconductor quantum wells (QWs) in the presence of an electric field. The couplings of an electron with the confined bulk like longitudinal optical (L0) phonons, halfspace L0 phonons and interface phonons are considered. In particular, the interaction of the impurity with the various phonon modes is also included. We have calculated the ionization energy of a bound polaron in Alxl Ga1-xl As/GaAs/Alxr Ga1-xr As asymmetric and symmetric QWs. Results are obtained as a function of the barrier height (or equivalently of Al concentration x),the well width, the electric field intensities and the position of impurity in the QWs. Our numerical calculations show clearly that the interaction between the impurity and the phonon field plays an important role in screening the Coulomb interaction. It is shown that for at hin well (<12nm), the cumulative effects of the electronphonon coupling and the impurityphonon coupling can contribute appreciably to the donor ionization energy and polarizability. 相似文献