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ICP—AES方法快速测定工业硫酸中的砷和铁含量 总被引:1,自引:0,他引:1
本文所述方法是工业硫酸定量稀释,直接雾化进入ICP激发,测定其中睡铁的光谱强度和含量。 相似文献
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A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
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The electroluminescence of GexSi1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved. 相似文献
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1 实验:浮力方向总是竖直向上的 在初中物理浮力的教学中,浮力的方向总是竖直向上的,教材中没有专门的实验直观显示,学生虽能理解浮力的方向是向上的.但理解浮力方向总是竖直向上的就有一定困难. 相似文献