立方氮化硼薄膜的生长特性与粘附性研究

用X射线衍射技术、红外吸收光谱、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对热丝辅助射频等离子体化学汽相沉积法制备的立方氮化硼(c-BN)薄膜的生长特性和粘附性进行了研究.改变生长条件，在Si、不锈钢和Ni衬底上沉积c-BN薄膜，进而研究了c-BN薄膜的质量和生长条件与衬底之间的关系.实验发现，Ni衬底上生长的薄膜c-BN含量较高，且粘附性好.当Si衬底上溅射一层Ni过渡层，再生长c-BN薄膜，薄膜中c-BN含量提高，与Si衬底的粘附性也显著增强. 关键词：     

纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

研究了镶嵌在ＳｉＯ_２介质中的不同尺寸（４—１６ｎｍ）纳米Ｇｅ颗粒的Ｒａｍａｎ散射谱特征，与大块标准Ｇｅ晶体的散射峰相比，观察到了理论预期的纳米半导体粒子的Ｒａｍａｎ散射峰的宽化和红移现象．采用声子限域模型较好地解释了实验结果．探讨了ＳｉＯ_２介质基体作用于镶嵌Ｇｅ粒子的压应力以及纳米Ｇｅ粒子的表面界面效应对Ｒａｍａｎ散射光谱的峰形、峰位变化所产生的影响 关键词：     

采用新型激光散斑剪切干涉术直接测量物体表面位移导数

本文主要阐述了新型激光散斑技术,即散斑剪切技术,在精密计量,无损检验中的应用。通过对悬臂薄板弯曲变形的研究,充分证明该技术用于工业现场优于全息干涉法和Moire’法,具有广泛的潜力和经济价值。 本研究采用白光信息处理法来提取散斑图形中的条纹图形,比采用常规的激光信息处理法精度高得多,且经济、方便因而具有推广价值。     

等离子体化学气相沉积法制备氮化碳薄膜的研究

试图制备某一方面性能超过现有材料的新一代材料,一直是材料科学的一个发展方向。人们知道金刚石是硬度材料之王,然而美国Soienoe等报道:从经验模型和量子力学从头计算出发,预估碳氮之间的假想的共价化合物β-C_3N_4若能制备出来,它将是一种硬度接近或超过金刚石的超硬材料。同时从组成、结构和价键特点可以预测碳氮化合物的薄膜材料将会具有良好的绝缘掩蔽性能和异常高的热传导性能,因而将成为新一代的半导体或光、电器件的介质膜材料。     

关于发表科技论文的若干问题

 今年1月11日,中国科学报发表《1991年我国科技论文分析结果》,其中公布了在国际、国内发表论文数量多的个人名单.本刊主编吴水清致函他们中物理学专业作者,表示祝贺,并提出若干问题请他们解答.现根据本刊收到回信的顺序分期刊载,各位读者有什么问题和看法也欢迎发表.     

常微分方程若干周期解存在定理

我们考虑如下微分系统:其中X∈R~n,f关于(t,X)连续且保证解的存在唯一性,f(t+T,X)=f(t.X)(T>0) 再考虑(1)的特例(2):     

STRESS ANALYSIS IN CUBIC BORON NITRIDE FILMS BY X-RAY DIFFRACTION USING sin2 ψ METHOD

The boron nitride (BN) films containing cubic boron nitride (c-BN) and hexagonal boron nitride (h-BN) were prepared by radio frequency a ssisted thermal filament chemical vapor deposition. The stress and strain in BN films were investigated by X-ray diffraction analysis using the sin² ψ method. The results showed that both c-BN and h-BN in the same film have similar values of elastic strain, however, the compressive stress in c-BN is much greater than that in h-BN for the same film. Both stress and strain gradually decre ased with the increase of substrate temperature (T_s). The effective stress in the films calculated by the effective stress model increased with the increase of T_s. Furthermore, the dependence of effective stress in the films on T_s was also investigated.