多层导体超导电缆的交流输电特性

在完成设计和制造我国第一组并网运行的超导电缆系统的工作中，我们对不同结构的超导电缆短样样品的交流载流特性进行了系统的研究，内容包括层电流均流特性、电缆失超特性、失超恢复特性、电缆载流能力和抗短路冲击能力等．结果表明，对多层螺旋导体结构的超导电缆，影响其输运电流在各导体层分布的主要因素是邻近效应．由于其零电阻特性，在相同的结构中，超导体表现出比常规导体大得多的临近效应．显著的邻近效应使多层导体结构的超导电缆的均流问题变得更加复杂．此类超导电缆有很强的抗短路电流冲击能力，能够承受高于额定电流20倍以上的短路电流，并且有很好的超导性能恢复能力．由于交流超导电缆的电压与电流相位差对电阻的变化非常敏感，所以可以被用作判断失超的预警参数用来避免热溃式失超的发生．     

自注入式固体Ce~(3+)∶LuLiF_4激光器中紫外亚纳秒脉冲序列的产生

提出一个注入式结构，它可以用在各种脉冲激光器中产生短脉冲序列。在这个结构中，从短腔种子激光器产生单一的亚纳秒脉冲，这个种子脉冲在同一增益介质中被再生放大，直到增益衰减到最小。用一个１０ｎｓ脉冲激光器泵浦固体激光介质Ｃｅ３＋∶ＬｕＬｉＦ４，直接地，被动地产生了紫外亚纳秒脉冲序列。     

讨论函数奇偶性时应注意的问题

在国内出版的高等数学教科书上,大都有这样一道证明题;不论f(x)是定义在区间(-l,l)内的怎样的函数,则f(x) f(-x)是一个偶函数,f(x)-f(-x)是一个奇函数.这道习题,笔者所看到的题解和学生的作业,大都是这样证明的:     

Absence of Charge-Resonance-Enhanced Ionization in Attosecond Pulse Photoionization： Numerical Result on One-Dimensional H2^＋

We present a numerical result of photoionization rate for the one-dimensional molecular hydrogen ion model exposed to intense light of 1 × 10^16-2×10^16 W/cm^2, 55-as pulse duration, and 800nm wavelength. In contrast to the previous calculation result of charge-resonance-enhanced ionization for lower intensity and much longer pulse, our result exhibits an ionization saturation. The numerical results are interpreted in the field-dressed potential picture as over-the-barrier liberation of electrons. This extremely short pulsewidth and relatively high field phenomenon requests experimental demonstration.     

部分填充手征等离子体波导的电磁波

 把麦克斯韦方程和电磁场分解成横向和纵向分量, 导出了简明的一般性的手征等离子体填充的任意截面波导的波动方程和横向纵向场的关系式。对于部分填充手征等离子体波导, 导出了它的色散方程。这一方程的数值解给出了HE₁₁, EH₀₁和HE₂₁模式的色散图。随着手征等离子体填充面积的增大, EH₀₁模式的色散曲线向更高的频率移动。随着手征导纳的增加, 传播常数减小。     

THE FRACTAL BEHAVIOUR OF CRACK PROPAGATION IN BRITTLE MATERIALS

In this paper we try to show how a reasonable equation for crack propagation in brittle materials naturally leads to self-affine or statistically self-similar failure structures. We argue that the fractal behaviours of crack propagation in brittle mate-rials are in essence determined by the scale-invariance of the Fokker-Planck equation. This approach provides a good illustration for understanding the microscopic origin of fractal behaviour in real materials.