4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO), 4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上, 按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元βijk的程序, 并以此为基础计算了BNPT-DTO, BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数, 从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系, 计算结果较好地说明了实验现象。     

低聚芴及其衍生物吸收和发射光谱性质的量子化学研究

用DFT/B3LYP方法对低聚物(PF)_2n和(PFDBO)_n(n=1-4)体系进行了全优化,计算得到两个系列低聚物的电离能P_I(v,a)、电子亲和势E_A(v,a)、空穴抽取能E_{HP和电子抽取能EEP等相关能量,并用ZINDO和TD-DFT方法计算其吸收光谱,分析了两系列总能量和HOMO-LUMO能隙随n递增的变化规律及对低聚物稳定性和光谱性质的影响,推断高聚物的发光性质.用CIS方法优化低聚物的S1激发态结构并分析其与发射光谱的关系.计算结果表明,这两个系列低聚物激发态结构中都有使所有骨架原子共平面的趋势.由于插入CH2OCH2,使PFDBO的七元环部分发生较大的扭曲(两个苯环间成42.5°±0.5°的二面角),致使有效共轭链被破坏、能带带隙变宽、吸收发射光谱波长变短.}     

含1,3-二硫-2叶立德烯的系列有机发色团的二阶非线性光学性质的理论研究

设计了12个含有1,3-二硫-2叶立德烯的具有二阶非线性光学性质的有机发色团,对所研究分子用AM1方法进行几何构型优化,用INDO/CI方法获得基态到各激发态的垂直跃迁能和振子强度,即电子光谱;在此基础上用SOS公式计算系列分子的二阶非线性光学系数β_ijk,并从微观上对这一系列分子进行比较,为进一步探索综合性能较好的NLO有机物提供了理论指导.     

二苯乙烯衍生物和二噻吩并噻吩衍生物的双光子吸收截面的理论研究

用AMI和INDO/CI理论方法,系统研究了二苯乙烯衍生物和二噻吩衍生物的结构和电子光谱。在正确的UV-vis光谱基础上,预测了双光子吸收峰的位置。用完全态求和(SOS)公式计算了三阶非线性光学系数及双光子吸收截面,并从微观上探讨了不同骨架以及不同取代基对双光子吸收截面的影响。     

"Met-Cars"外接氢化合物Ti8C12H4和Ti8C12H8的Ab Initio研究

用量子化学从头算方法，对Ｔｉ８Ｃ１２（Ｔｄ）进行了几何构型优化，结果表明，Ｔｉ３Ｃ１２（Ｔｄ）的化学动力学性质不稳定，化学性质活泼，在此基础上进行了其外接氢化物的性质研究，从理论上预测了Ｔｉ８Ｃ１２Ｈ４（Ｔｄ）和Ｔｉ８Ｃ１２Ｈ８（Ｔｄ）几何构型的稳定性和化学反应活性。由Ｔｉ８Ｃ１２（Ｔｄ）和Ｔｉ８Ｃ１２Ｈ８（Ｔｄ）稳定性分析得出：Ｔｉ８Ｃ１２Ｈ４（Ｔｄ）构型最稳定，而Ｔｉ８Ｃ１２Ｈ８（Ｔｄ）和Ｔｉ     

CH3与NO2的反应

用时间分辨傅立叶红外光谱法和量子化学计算，研究了CH3自由基与NO2的基元反应．由248 nm激光光解CH3Br或CH3I得到CH3自由基．首次观测到了振动激发的产物OH、HNO和CO2．另一产物NO也被证实．由此确定了反应通道CH3O+NO，CH2NO+OH 和HNO+H2CO．其中CH3O+NO是主要的反应通道．还用CCSD(T)/6-311++G(df,p)//MP2/6-311G(d,p)的方法对上述通道的机理在理论上做了研究．理论计算的结果与实验观察相符．     

共轭分子稳定性的判据——苯环的特殊稳定性和4n+2规则

判断共轭分子稳定性最初的标准就是共轭能DE,如丁二烯的DE=0.472|β|,说明它的能量要比只形成二个孤立的乙烯双键时的能量低,因此相对地比较稳定(指热稳定性,以下同)。 HMO给出共轭直链多烯烃第j个π分子轨道的能量E_j为     

5,12-二硫杂-7,14-二氮杂-5,7,12,14-四氢并五苯及其相关化合物二阶非线性光学性质的理论研究

在ZINDO方法基础上,按完全态求和(SOS)公式编制了计算分子二阶非线性光学系数β_ijk、β_u的程序.研究了不同取代基在5,12-二硫杂-7,14-二氮杂-5,7,12,14-四氢并五苯侧环取代衍生物及相关化合物的结构、光谱和二阶非线性光学性质。结果表明:侧环上取代推、拉电于基团对增大二阶光学非线性都有利;分子共平面,共轭作用强,对增大二阶光学非线性有利.     

N-取代吩噻嗪衍生物分子的结构和二阶非线性光学性质的理论研究

在ZINDO方法基础上, 按完全态求和(SOS)公式, 编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序。研究了各种取代基在吩噻嗪的氮上取代后衍生物的结构和二阶非线性光学系数。结论是N上取代推电子基对增大二阶光学非线性有利, N上取代吸电子基对增大二阶光学非线性不利。扩大共轭范围对增大二阶光学非线性有利。对上述结果在微观上给予了解释。     

C64H6的结构和光谱的理论研究

本文用INDO系列方法研究了C64H6的结构与光谱, 表明C64H6有C2v和Cs两种稳定构型, 其中C2v构型能量较低, 讨论其加成及环加成产物对称性的规律并与13C NMR谱的实验结果相结合。计算了两种构型的电子光谱, 对电子跃迁进行了理论指认,并讨论了C64H6谱带红移的原因, 理论计算结果与实验事实基本吻合。