C2H4对臭氧氧化NO影响的试验研究

用管式反应器试验研究了碳氢对臭氧氧化NO的影响．试验在不同反应温度、[O3]／[NO]摩尔比以及碳氢浓度下进行．结果表明，C2H4对NO氧化成NO2有促进作用，在275℃时，NO氧化率和N02生成率有较明显提高．在[03]／[NO]=0．6，反应温度分别为常温、200℃和275℃时，加入400×10^-6C2H4，NO2生成率由56．5％、55．9％和38．0％分别提高到62．1％、60．0％和42％．在试验中，检测到了CO，当[O3]／[C2H4]为1．0时，在常温、200℃、275℃下，体系中CO浓度小于30×10^-6，说明C2H4确实参与了反应．C2H4对NO氧化的促进作用的机理是：在275℃时，臭氧分解速率显著提高，在氧存在的气氛下，烯烃易与O3反应，反应产生了更多活性很强的自由基（CH3O2、OH、HO2）等，而这些自由基均可与NO反应，从而弥补了由于臭氧自身分解的加速使NO氧化率的下降，即在加入C2H4后，在温度较高时仍能达到NO的较高氧化率．     

“要命”的细节调查

着眼大局的同时,能否关注尽职调查的相关细节,决定收购兼并的成败。AMR的彼得·豪森（Peter Howson）告诉我们如何把握尽职调查尺度。     

从记账开始

每天早晨，跑猪噜噜总是乐呵呵地跑步来到他的粮食店，“吱呀”一声，打开大门，“刷啦，刷啦”，把店里店外打扫得干干净净，“呼啦，呼啦”，把柜台、橱窗等擦得明明亮亮。忙碌而快乐的一天就此开始啦!     

基于FPGA的组合导航系统专用接口板设计

在低成本MIMU/MR/GPS组合导航系统中,为了解决不同设备之间因接口不同而不能直接进行数据交互的问题,设计了一种专用接口板。该接口板选用FPGA作为核心的控制器件,并辅助以单片机PIC18LF6520和少量的芯片,为符合不同协议规范的多种设备间数据传输提供通道,在各种设备间架起一座通讯的“桥梁”。经过跑车实验,证明了该接口板性能可靠,功能强大,具有一定的通用性。详细阐述了该接口板的硬件设计思想和基本工作原理,给出了FPGA和PIC18LF6520的软件编程逻辑流程图。     

微波强场中的光谱激发现象

本文报道了元素，化合物和放电灯在微波强场产生的激发现象。介绍了一种在微波强场中产生原子发射光谱的新方法。采用作者自行改制的微波激发装置，即可使固态的元素和化合物产生光谱辐射，也可使各种放电灯和气体光谱管得以激发，用一种装置实现了几种装置的功能，对于该方法存在的问题，文中也作了一定的说明。     

小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率

若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态, 则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性. 这种温度依赖性有两种类型, 且比捕获率的取值也可能相当高, 显示了与位错的很大不同. 关键词：     

用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

观察了Ge,Ge/Si交替外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象,并由此研究了Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Ge,Ge/Si超薄叠层的生长行为和生长特性。利用RHEED强度振荡,锁相控制生长了Ge(2ML)/Si(2ML),Ge(4ML)/Si(4ML)超薄超晶格。 关键词：