200kV／100kA低抖动环轨式场畸变开关性能

对充气场畸变开关导通过程的分析表明低抖动高压强流开关的触发时延及其抖动与流注形成和传播途径的平均电场强度存在密切关系，开关结构设计中应使触发脉冲峰到达时流注形成和传播途径上具有较高的平均电场强度。同时，为了提高开关的电流承载能力，有效地结合了匀场火花隙和轨道开关的设计概念，研制了环形轨道式场畸变开关。     

催化动力学光度法测定痕量Fe(Ⅲ)的研究进展

论文探讨和论述了近年来催化动力学光度法测定痕量铁的研究进展。具体探讨和评述内容包括:比较催化光度法与原子吸收法、萃取光度法的优缺点;介绍催化动力学光度法的原理;评述催化褪色动力学光度法研究进展、催化显色动力学光度法研究进展、阻抑显色催化动力学光度法研究进展、阻抑褪色催化动力学光度法研究进展;包括指示反应及其条件、方法的检出限、干扰情况、测定范围、应用等。论文还探讨和展望了催化动力学光度法未来的研究方向和发展前景。内容包括:①对传统显色剂改性或合成新的高灵敏度、高选择性显色剂;②活性剂增敏研究;③加强相关催化机理的研究和探讨;④开展酶催化动力学光度法研究。     

纳米晶Nd—Fe—B基稀土永磁体的磁性能的微磁量子理论计算

从微磁学理论出发，利用铁磁体总自由能极小的变分法，导出了取向各向异性磁体的磁化强度满足的Ｂｒｏｗｎ方程，对取向的纳米晶双相交换耦合磁体，该方程类似于量子力学中的定态Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程，利用中心场问题的求解方法推导了Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ基稀土永磁体的成核场同时随两相晶粒尺寸的变化关系。数值计算结果表明，当两相晶粒尺寸小于某一临界尺寸时，可以获得磁性能优异的纳米晶稀土永磁体。所得结果可用于定性解释实验结果和指导巨磁能积纳米晶永磁体的制备。     

人造金刚石低压气相生长的相图计算

用非平衡热力学耦合模型计算了由CH₄/H₂，CO/H₂和乙炔火焰等气相体系生长金刚石的相图．与经典平衡热力学理论计算结果不同的是这些相图都有一个金刚石生长区存在．相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础，它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用．计算的相图与报道的实验结果基本相符，因而对金刚石气相生长的理论和实验研究具有重要的指导意义 关键词：     

闵氏几何法解析“双生子佯谬”及结果讨论

在闵可夫斯基四维时空中利用二维坐标图解析了双生子效应.特别对飞船转向所引起的同时线跃变而导致的地球人年龄的跃变作出了定量解析,得出了孪生子重逢时经历过加速运动的飞船人比可以看作为惯性系的地球人更年轻的绝对性结论.然后通过对解析结果的讨论并辅之以数值计算,给出了飞船往返飞行的两个不同阶段及全程在两个不同参考系的具体的观测结果.     

磺胺类药物pKa值的QSPR研究

采用三维全息原子场作用矢量(three-dimensional holographic vector of atomic interaction field,3DHo VAIF)对31种磺胺类药物进行结构表征,分别采用多元线性回归(MLR)和偏最小二乘回归(PLS)建立磺胺类药物与其p Ka值的定量结构-性质相关(Quantitative Structure-Property Relationship,QSPR)模型.以R(建模相关系数),Rcv(交互检验相关系数),RMSEF(拟合误差)和RMSEP(预测误差)作为衡量模型预测能力的标准,其值分别为0.950,0.926,0.547,1.18(MLR);0.896,0.783,0.595,0.919(PLS).结果表明三维全息原子场作用矢量能较好地表征该类分子的结构信息,所建模型具有良好的稳定性和预测能力;同时也指出了sp3杂化的N原子与sp2杂化的S原子之间的静电作用是影响磺胺类药物p Ka值的重要因素.     

金纳米结构表面二次电子发射特性

使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.     

N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型

对n／p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的1／f噪声特性进行了实验和理论研究.实验结 果表明，虽然nMOSFET的1／f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级，但是其噪声幅值均表现出和 有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律.基于该实验结果 ，认为MOSFET的1/f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷 阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子，在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致 沟道载流子迁移率的涨落.在这两种涨落机理的基础上，引入了氧化层陷阱的分布特征及其 与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式，建立了MOSFET l／f噪声的统一模型.实验结果 和本文模型符合良好. 关键词： 1/f噪声 MOSFET 氧化层陷阱 涨落     

衰荡腔测量中的腔参数选择

 基于谐振腔失调灵敏度参量随腔长的变化关系,提出了一种衰荡腔,它是由共焦腔将腔长缩短为原来的0.73得到的稳定腔。根据光束传输规律和失调腔矩阵方法,以及光腔衰荡法测量原理和曲线拟合方法,建立了腔长、腔镜角度失调下光腔衰荡法的反射率测量模型。通过数值模拟,研究了这种稳定衰荡腔中,腔微小失调对反射率测量结果的影响,并与相同失调情况下共焦衰荡腔的测量结果进行了对比分析。结果表明,这种稳定腔用作衰荡腔,测量结果受腔镜角度失调影响较大,而受腔长失调影响小;其长度较短,便于工程应用;衍射损耗较小,测量精度高。     

Orlicz-Bochner序列空间中的非l_n~((1))点与一致非l_n~((1))点（英文）

本文给出Banach空间中非l_n~((1))点和一致非l_n~((1))点的部分特征,在此基础上得到了Orlicz-Bochner序列空间中非l_n~((1))点和一致非l_n~((1))点的判据.