Tunneling current of the Coulomb-coupled quantum dots embedded in n-n junction

Taking account of the electron--electron (hole) and electron--hole interactions, the tunneling processes of the main quantum dot (QD) Coulomb-coupled with a second quantum dot embedded in n--n junction have been investigated. The eighteen resonance mechanisms involved in the tunneling processes of the system have been identified. It is found that the tunneling current depends sensitively on the electron occupation number in the second quantum dot. When the electron occupation number in the second dot is tiny, both the tunneling current peaks and the occupation number plateaus in the main QD are determined by the intra-resonance mechanism. The increase of the electron occupation number in the second dot makes the inter-resonance mechanism participate in the transport processes. The competition between the inter and intra resonance mechanisms persists until the electron occupation number in the second dot reaches around unity, leading to the consequence that the inter-resonance mechanisms completely dominate the tunneling processes.     

利用超球势曲线分析正电子与氦原子体系中的共振态

超球势曲线用来分析正电子氦原子体系中的共振态。利用插值方法得到交叉的势曲线,然后求解超球薛定谔方程。计算结果表明处于-0.07922 a.u.的共振是与Ps(n=2)态相联的,而处于-0.06888 a.u.的共振是与He（1s3s）态相关。     

大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能

采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti₃AlC₂制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene), 用扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌. 结果表明, 所制备的MXene材料具有大片、 单层及低缺陷等特点. 通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点. MXene膜的屏蔽性能测试结果表明, 8 μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6 dB, SSE/t值则高达19531.1 dB·cm ²·g ^-1. 推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.     

吡啶二羧酸修饰的稀土嵌入碲钨酸盐的合成及电化学生物识别性质

在乙酸钠水溶液中, 采用微波加热一步自组装策略合成了一系列罕见的2,6-吡啶二羧酸修饰的稀土嵌入Keggin型碲钨酸盐(PTEA)₇H₃K[RE₂(B-α-TeW₉O₃₃)₃W₃O₅(H₂O)₃(HDPA)]·22H₂O[RE=Ce³⁺(1), Pr³⁺(2), Nd³⁺(3), Sm³⁺(4); H₂DPA=2,6-吡啶二羧酸; PTEA=质子化的三乙醇胺]. 化合物1~4的聚阴离子由3个三缺位Keggin型 [B-α-TeW₉O₃₃]^8-构筑块通过1个{RE₂W₃O₅(H₂O)₃(HDPA)}¹³⁺异金属簇连接而成. 该异金属簇中, 2,6-吡啶二羧酸作为四齿配体与2个稀土离子(RE1和RE2)配位形成平面三杂环结构, 且RE1和RE2所在平面与W2, W2A, W16形成的平面互相垂直. 此外, 化合物1可与羧基化多壁碳纳米管(CMWCNT)复合形成1-CMWCNT复合材料. 该复合材料可以作为电极材料构建电化学生物传感器, 用于检测特定的DNA序列.     

界面捕捉Level Set方法的(AMR)数值模拟

在流体力学方程的计算中采用高精度WENO格式,用AMR(adaptive mesh refinement)方法提高流场局部分辨率,在采用Level Set函数标定物质界面的计算中用GFM(ghost fluid method)方法进行界面处理,尝试将AMR技术与界面追踪技术相互融合并应用于数值模拟,对不同的模拟结果进行了比较.     

谐振子的概率密度、概率流密度与时间的关系

以一维线性谐振子为例,对非定态情况,通过数值计算给出了不同时间的概率密度和概率流密度分布,并且讨论了概率密度和概率流密度随时间的变化的基本特征.     

机抖激光惯导圆锥误差补偿算法研究

随着陀螺技术的发展,激光惯导陀螺数据输出频率变高,常用圆锥误差补偿算法使得系统运算负荷较大且无法有效挖掘高频数据对圆锥误差的补偿潜力。针对上述问题,提出五子样二次迭代圆锥误差补偿算法,推导了五子样二次迭代优化算法公式,并与双回路二子样、三子样优化算法进行了对比计算。经研究表明,该算法在保证惯导数据更新频率的同时有效提高了圆锥误差补偿效果,且相对于目前常用算法,对系统造成的运算负荷较小。提高了激光惯导系统在圆锥运动等恶劣工作环境下的工作性能。     

微合金化元素Cu/Ti在L12-Al3Sc/Al界面的偏析行为

L1₂-Al₃Sc纳米析出相的热稳定性对于Al-Sc合金的耐热性意义重大.不同溶质原子在L12-Al3Sc界面的偏析行为可能对Al-Sc合金中L1₂-Al₃Sc析出相的热稳定性造成影响.本文针对过渡族微合金化元素Cu和Ti的L1₂-Al₃Sc/Al界面偏析,开展第一性原理能量学计算研究.结果表明, Cu和Ti均倾向于以替换方式偏析在界面Al侧,但偏析驱动力和偏析占位有明显差异.在给定温度下,基体浓度对界面偏析量也有重要影响.基体浓度越高,偏析驱动力越大,界面平衡偏析量或最大界面覆盖率越大.温度为600 K、基体原子浓度为1%时, Ti对偏析界面的最大覆盖率可达80%(0.8单原子层),而Cu不超过4%(0.04单原子层).     

10m3爆炸罐中甲烷燃烧爆炸发展过程

在大型多相混合物爆炸实验系统(10m3爆炸罐)中对甲烷/空气混合物在40J电火花点火条件下爆炸发展过程进行了实验和数值模拟研究.采用中心电火花点火,并在距点火点不同距离处设置4个压力传感器.得到下列实验结果:甲烷爆炸上、下限分别为13.9%、4.75%;甲烷浓度为9.5%的爆炸特性参数随距离变化规律;不同甲烷浓度对超压...