首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   162篇
  免费   131篇
  国内免费   163篇
化学   228篇
力学   19篇
综合类   2篇
数学   5篇
物理学   202篇
  2024年   2篇
  2023年   7篇
  2022年   5篇
  2021年   9篇
  2020年   4篇
  2019年   5篇
  2018年   13篇
  2017年   5篇
  2016年   11篇
  2015年   7篇
  2014年   16篇
  2013年   19篇
  2012年   17篇
  2011年   29篇
  2010年   10篇
  2009年   21篇
  2008年   18篇
  2007年   19篇
  2006年   21篇
  2005年   25篇
  2004年   17篇
  2003年   19篇
  2002年   18篇
  2001年   18篇
  2000年   13篇
  1999年   13篇
  1998年   24篇
  1997年   12篇
  1996年   3篇
  1995年   3篇
  1994年   10篇
  1993年   5篇
  1992年   6篇
  1991年   4篇
  1990年   4篇
  1989年   5篇
  1988年   3篇
  1987年   2篇
  1986年   3篇
  1985年   2篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
  1977年   1篇
  1958年   1篇
  1954年   1篇
排序方式: 共有456条查询结果,搜索用时 15 毫秒
361.
冲剪研究对钢筋混凝土平板和柱连接之间承载能力的评估以及核电厂中安全壳的安全计算和安全评估有重要意义。先前研究都忽略了跨深比对冲剪强度的影响,且现有设计准则中所用的方程量纲不一致,故大大限制了其使用范围和精度。给出了一个新的无量纲公式,考虑了钢筋数量、钢筋间距和跨深比的影响,可用于预测钢筋混凝土平板在冲头作用下的冲剪强度。结果表明,新方程与已有实验结果吻合得很好,且优于现有设计准则。  相似文献   
362.
利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因.基于(100)Si基应变PMOS反型层E-k关系,拓展应用该模型,首先获得了(100)Si基应变PMOS反型层价带第一子带等能图,然后给出了(100)Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型.本文的模型方案合理可行,可为Si基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.  相似文献   
363.
采用水热法制备了以对苯二甲酸和对氨基苯甲酸为配体的双配体Fe基MOFs材料(MIL-88B(Fe)),在浸渍一定量Cu物种后经氮气气氛焙烧得到活性组分均匀分散的CuFe基催化剂。通过改变2种配体的比例调控催化剂表面Fe活性物种的价态分布,并考察了其用于固定床反应器上CO_2加氢制C_(2+)醇的催化性能,结合X射线衍射(XRD)、H_2程序升温还原(H2-TPR)、N_2吸附-脱附、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等表征结果发现,对苯二甲酸与对氨基苯甲酸物质的量之比为5∶2时,催化剂表面低价态铁原子占比为71.27%,催化剂展现最优的催化活性,CO_2转化率为8.80%,总醇选择性为31.52%,其中C_(2+)醇的物质的量分数达到94.70%。  相似文献   
364.
第一性原理研究应变Si/(111Si1-xGex能带结构   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Sil1-xGex(x=0.1-0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电于有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎小变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化.此外,给出的禁带宽度与x的拟合关系同KP理论计算的结果一致,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.  相似文献   
365.
针对现有基于相位或正交幅度的模态匹配方法没有考虑正交位移过大的问题,提出一种结合正交控制与相位检测的模态自动匹配方法。首先,根据静态情况下陀螺敏感模态的正交力输入和正交位移输出的相位差信息,通过闭环控制调谐电压来实现模态匹配。同时,引入了正交控制环路,将正交位移控制在一个幅度较小且稳定的振动状态,从而提高匹配准确性,避免了高Q值陀螺在模态匹配时由于正交位移过大导致陀螺振乱的现象。最后,通过FPGA实现该控制系统,并进行了对比实验。实验结果表明,对于所采用的角振动陀螺,相比传统相位检测方法,该方法在确定调谐电压准确性方面提高了约60倍。  相似文献   
366.
樊建芬  肖鹤鸣 《结构化学》2001,20(5):339-343
1 INTRODUCTION Electron transfer is one of the most important reactions in chemistry. This fundamental reaction plays a crucial role in a myriad of processes including acid-base neutralization, electrophilic addition, and a score of enzymatic reactions. Ab initio molecular orbital methods are capable of providing information that can complement experimental data and circumvent solvent effects. The bimolecular system of NH_3 and H_2O has been extensively studied. Kollman et al.[1] report…  相似文献   
367.
平头弹丸正撞击下延性金属靶板的破坏模式   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
 对延性金属靶板在刚性平头弹丸正撞击下的破坏模式进行了研究。一般而言,延性金属靶板的破坏模式可以分为两种:带有总体变形的局部简单剪切破坏和局部化的绝热剪切冲塞破坏。首先基于Bai-Johnson热塑性本构关系建立了一个局部化的绝热剪切冲塞模型,然后结合描述带有总体变形的局部简单剪切破坏的Wen-Jones模型,找出了两种模型之间转化的临界条件。理论预测与文献中的实验结果吻合得很好。  相似文献   
368.
王冠宇  马建立  张鹤鸣  王晓艳  王斌 《物理学报》2011,60(7):77105-077105
本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考. 关键词: [110]/(001)单轴应变Si 有效态密度 本征载流子浓度  相似文献   
369.
SiGe HBT势垒电容模型   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
吕懿  张鹤鸣  戴显英  胡辉勇  舒斌 《物理学报》2004,53(9):3239-3244
在考虑SiGe HBT的势垒电容时,通常的耗尽层近似不再适用,应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容 模型应用于SiGe HBT频率特性模拟,模拟结果与实验结果符合得很好. 关键词: SiGe HBT 势垒电容 微分电容  相似文献   
370.
用PM3-MO法对2-叠氮-1,3,5-三硝基苯的热解机理进行了计算研究,基于统计热力学和过渡态理论求得该反应的热力学和动力学参数。结果表明,氧化呋咱机理下的热解活化能(103.750kJ/mol)比CNO2均裂反应活化能(205.415kJ/mol)小得多,且反应动力学参数的计算值与DSC实测值相符。400K以下C-NO2均裂反应的G值为负,热力学上可能发生,但速率常数为0s-1。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号