A位具有混合价态的钙钛矿氧化物Eu1—xKxTiO3（x=0.2,0.32）的高 …

以ＴｉＯ２和Ｅｕ２Ｏ３为原料,利用固相反应法在４．０ＧＰａ和１０９０℃下合成了钙钛矿氧化物Ｅｕ１－ｘＫｘＴｉＯ３（ｘ＝０．２,０．３２）。ＸＲＤ测量表明样品为立方结构。＾１５１Ｅｕ Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测试给出同质异能移位分别为～０ｍｍ／ｓ和～－１３ｍｍ／ｓ的两个吸收峰,表明Ｅｕ离子为＋２和＋３混合价。在４８０和６４８０Ｇ的磁场范围内只观察到一个线宽为３１４０Ｇ、ｇ因子为２．００的信号,这是由Ｅｕ     

GaN HEMT器件结构的研究进展

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。     

三维高斯拟合激光光强快速衰减算法

为缩短衰减倍率调整的时间,提高激光参数测试的效率,提出激光光强快速衰减算法。衰减倍率精确调整量由当前衰减倍率和采集到的光斑光强真实的最大灰度值共同决定。当因光电接收器件(CCD)饱和造成采集光斑图像失真时,即衰减倍率过小时,由于激光光斑的光强通常满足高斯分布,通过对光斑图像进行处理,去除饱和部分光强信息,对剩余部分光强信息利用最小二乘法进行三维高斯拟合,还原出激光光斑光强的真实分布并获得最大灰度值;当衰减倍率过大时,根据采集光斑图像可以直接获得当前最大灰度值,最后通过计算获得最佳的衰减倍率调整值,实现了激光光强快速准确的调整。算法的有效性通过步进电机带动的双轮可变衰减器及CCD配合得到验证。     

掺磷的硅中电子自旋共振

本文叙述了在室温、液N₂和液H₂及其降压温度下,利用3厘米波段双重调制波谱仪对掺磷原子浓度为～10¹⁵—～10¹⁸/厘米³的硅样品进行的电子自旋共振研究,文中还简述了低温控制系统。实验观察到传导电子、表面缺陷中心和电子-核超精细结构谱线,以及有效电子-施子核对的互作用谱线,并获得相应的g因子。在14°K下,得到施主核上电子波函数幅度的平方|Ψ(0)|²和电子-核超精细互作用常数α_D,与G.Feher在1.25°K下利用电子-核双共振方法得到的结果相近。     

掺铒光纤吸收增加光学双稳态

报道了的掺铒光纤中观测到的吸收增加非线性和无腔光学双稳运转。双稳是低功率的（亚毫瓦级）。分析了掺铒光纤吸收增加双稳态产生的机理     

玉米作物多光谱图像精准分割与叶绿素诊断方法研究

为了快速获取大田玉米作物长势信息, 基于多光谱图像开展了大田玉米叶绿素指标的非破坏性诊断研究。应用自主开发的2-CCD多光谱图像感知系统, 在田间采集玉米冠层可见光［Blue(B), Green(G), Red(R);400～700 nm］和近红外(Near-infrared: NIR, 760～1 000 nm)图像, 并使用SPAD同步测量样本叶绿素指标。采集后图像经自适应平滑滤波处理后, 进行图像玉米植株提取。为了选择最优算法实现玉米植株与杂草、土壤背景的分割, 首先比较了最大类间方差(OTSU)分割算法和局部阈值处理分割算法, 选取了基于局部统计的可变阈值处理方法对玉米NIR图像进行初步分割, 进而采用区域标记算法进行精细分割, 分割准确率达95.59%。将分割结果应用于玉米植株可见光图像R, G, B各通道, 从而实现了玉米植株多光谱图像中可见光图像的整体分割。基于分割后R, G, B和NIR四个通道的玉米冠层图像, 提取了各通道图像灰度均值(ANIR, ARed, AGreen和ABlue)并计算了归一化植被指数(NDVI)、比值植被指数(RVI)和绿色归一化植被指数(NDGI)作为光谱特征参数, 建立了玉米冠层叶绿素指标诊断的偏最小二乘法回归模型。结果表明, 建模R2达0.596 0, 预测R2达0.568 5, 该方法通过玉米多光谱图像特征参数评估叶片叶绿素含量, 可为大田玉米长势监测提供支持。     

高压下三种脂肪酸甲酯液相导热系数的实验研究

生物柴油是新型环境友好型替代能源,其主要成分为碳数分布在C6～C24的长链脂肪酸酯.利用瞬态单丝法导热系数测量系统在272～352K温度范围内、0.1～15 MPa压力范围内对三种生物柴油组成成分壬酸甲酯、庚酸甲酯和己酸甲酯的液相导热系数进行了实验测量,并将导热系数拟合成关于温度和压力的方程,壬酸甲酯、庚酸甲酯和己酸甲...     

1P波激发态粲介子和底介子的质量劈裂

应用线性Regge轨迹和相对论夸克模型,研究了低激发态单重介子谱,并解释了这些激发态的窄质量劈裂源自轻夸克的相对论效应.计算了自旋宇称为J+(J=0,1,2)的单重介子(D,Ds,B,Bs)P波的质量,并建议存在O+态的,未被实验发现的B介子和Bs介子,其质量分别为5659 MeV和5788 MeV.计算表明,Ds0(...     

Tunable spectral shift of high-order harmonic generation in atoms using a sinusoidally phase-modulated pulse

High-order harmonic generation (HHG) from an atom illuminated by a sinusoidally phase-modulated pulse is investigated by solving the time-dependent Schrödinger equation. The spectral shift that occurs in atomic HHG can be achieved easily using our laser pulse. It is shown that the photon energy of the generated harmonics is controllable within the range of 1 eV. The shift of the frequency peak position is rooted in the asymmetry of the rising and falling parts of the laser pulse. We also show that by varying the phase parameters in the frequency domain of the laser one can adjust and control the shift in atomic harmonic spectra.     

Degradation mechanisms for a-InGaZnO thin-film transistors functioning under simultaneous DC gate and drain biases

Degradation of a-InGaZnO thin-film transistors working under simultaneous DC gate and drain bias stress is investigated, and the corresponding degradation mechanism is proposed and verified. The maximum degradation occurs under the bias stress condition that makes the electric field and electron concentration relatively high at the same time. Trapping of hot electrons in the etching-stop layer under the extended drain electrode is proven to be the underlying mechanism. The observed degradation phenomena, including distortion in the transfer curve on a logarithmic scale and two-slope dependence on gate bias on a linear scale, current crowding in the output curve, and smaller degradation in transfer curves measured under large drain bias, can all be well explained with the proposed degradation mechanism.