CO2矿化反应基础研究 II．有机胺介质中碳酸化反应热力学研究

对有机胺介质中CaCl₂与二氧化碳的碳酸化反应进行了研究,在二氧化碳压力为2MPa~5MPa、CaCl₂浓度为1.31mol/L~2.44mol/L下考察了压力和浓度对该多相反应体系碳酸钙收率和有机胺萃取效率的影响。结果表明,碳酸化反应过程中碳酸钙收率和有机胺萃取效率随二氧化碳压力和CaCl₂初始浓度的增大而增加。结合Pitzer电解质溶液模型、二氧化碳溶解模型对该多相反应进行热力学平衡分析。有机胺的萃取平衡决定了HCl在有机相和水相的分配平衡,水相中H⁺浓度限制H₂CO₃解离,制约碳酸钙沉淀反应。CaCl₂浓度大小影响了HCO₃^-和CO₃²-的活度系数,对沉淀/溶解平衡也有一定影响。热力学平衡转化率与实验结果接近,表明该反应受化学反应平衡控制。     

一维链状三苯基锡肉桂酸酯配合物的合成、结构及量子化学研究

三苯基氯化锡与肉桂酸按物质的量比1∶1在苯和乙醇混合溶剂中反应合成了一维链状三苯基锡肉桂酸酯。经X-射线衍射方法测定了其晶体结构,配合物属单斜晶系,空间群为P21/c,晶体学参数a=1.281 28(9)nm,b=1.145 90(8)nm,c=1.829 01(4)nm,β=120.784(4)°,V=2.307 0(3)nm3,Z=4,Dc=1.431 g.cm-3,μ(Mo Kα)=11.27 cm-1,F(000)=1 000,R1=0.025 2,wR2=0.058 0。配合物通过肉桂酸羧基桥联,形成五配位的三角双锥构型的链状结构。对其结构进行量子化学从头计算,探讨了配合物的稳定性、分子轨道能量以及一些前沿分子轨道的组成特征。     

硫酸铝渣制备聚硅酸铝铁絮凝剂及应用性能研究

以硫酸铝渣为原料,研制出了一系列不同A1／Fe／Si物质的量比的聚硅酸铝铁絮凝剂（简称PAFsc）。考察了PAFSC的混凝、除浊、脱色等性能,并研究了A1／Fe／Si物质的量比、pH、投药量等因素对PAFSC性能的影响。处理模拟浊水时,当n（A1）／n（Fe）=2．0～4．0,n（M）／n（SiO2）=0．7～1．3时...     

Rashba效应和Zeeman效应对各向异性量子点中束缚磁极化子性质的影响

采用Pekar变分法和幺正变换相结合的方法研究了各向异性量子点中束缚磁极化子的Rashba效应和Zeeman效应.通过理论推导,得到束缚磁极化子基态能量的表达式.讨论了极化子基态能量与横向有效受限长度、纵向有效受限长度、磁场回旋共振频率、库仑束缚势的关系.由于晶体结构反演非对称性和时间反演非对称性,极化子能量发生Rashba自旋轨道分裂和Zeeman分裂.在强、弱磁场下,分别讨论了Zeeman效应和Rashba效应在能量分裂中所占的主导地位.由于声子和杂质的存在,极化子比裸电子态更稳定.     

用Cadion-CPB光度法测定水中痕量阴离子表面活性剂

研究了用于直接测定水相中痕量阴离子表面活性剂的新体系。在ＮａＯＨ介质中,１－（４－硝基苯基）－３－［４－（苯基偶氮）苯基］－三氮烯（Ｃａｄｉｏｎ）与溴化十六烷基吡啶（ＣＰＢ）形成离子缔合物（Ｃａｄｉｏｎ－ＣＰＢ）,当加入阴离子表面活性剂（ＡＳ）时,ＡＳ能定量置换出离子缔合物中的Ｃａｄｉｏｎ,而使吸光度下降。阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠（ＤＢＯＳＯ３Ｎａ）、十二烷基磺酸钠（ＤＯＳＯ３Ｎａ）、十二烷基硫酸钠（ＤＳＯ４Ｎａ）的表观摩尔吸光系数εｍａｘ分别为２．７４×１０４、１．１１×１０４、１．５０×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１,服从比尔定律的范围分别为０～４．１８、０～６．５４、０～５．７７ｍｇ·Ｌ－１。方法操作简便,用于测定合成水样及环境水样中痕量阴离子表面活性剂,结果满意。     

类玻璃高分子材料的制备和性能研究进展

针对热固性塑料不能重复使用的特点,人们在交联共价网络的基础上成功制备了新型类玻璃高分子(vitrimer)材料。共价自适应网络按照机理可以分为两种,一种为解离共价自适应网络,以最为典型的DielsAlder反应为代表,其在材料的重复使用、自修复等方面有着广泛的运用;另一种为结合共价自适应网络,常见为基于酯交换机理,它也正是vitrimer材料所使用的结构基础。本文主要对比研究了vitrimer材料的特征并基于酯交换、转氨基化、烷基转移、DNA序列等不同机理来论述了近几年vitrimer材料的研究进展。     

MOCVD Growth and Characterization of Epitaxial AlxGa1-xN Films

We study the growth of AlxGa1-x N epilayers on （0001） sapphire by low-pressure MOCVD, using a lowtemperature AIN buffer. By varying the input flow rates of trimethylgallium （TMGa）, we obtain crack-free AlGaN films in the whole range of composition. A linear relationship between gas and solid Al content is observed. The structural properties of the layers （x =0- 1） are investigated by x-ray diffraction, atomic force microscopy （AFM） and scanning electron microscopy （SEM）. It is found that a two-direction growth appears along the c-axis and the （1011） directions for x ≥ 0.45. From the results of Raman spectroscopy, we suggest that the compressive stain and the lack of mobility orAl adatoms can induce the formation of （1011） grains.     

高速逆流色谱分离长瓣金莲花中的黄酮类物质

长瓣金莲花为毛莨科植物金莲花(TrolliuschinensisBunge)的干燥花,具清热解毒之功效,临床观察表明,金莲花水浸膏片对急性阑尾炎、痢疾、上呼吸道感染及绿脓杆菌感染等有较好的疗效[1]。现代药理研究表明该花的水煎液对多种细菌有明显的抑制作用。其中抑菌有效成分为总黄酮,主要为荭草甙和牡荆甙[2]。本实验首次尝试用高速逆流色谱(HSCCC)分离长瓣金莲花中的黄酮类物质,并成功地得到一纯化学成分,通过红外光谱确证其为牡荆甙。1　实验部分1.1　仪器、材料与试剂　　GS10A2型高速逆流色谱仪,包括S1007单缸柱塞泵和8823A紫外检测器(北…     

泥石流本构模型及动力学模拟研究现状综述

由于泥石流动力学过程的复杂性,其本构模型及数值模拟研究仍然存在众多的难点问题。本文根据大量的文献资料和实例研究,对目前泥石流本构模型和动力学模拟研究现状和存在的问题进行了综合论述,主要包括:(1)已有泥石流动力学本构模型原理及适用性问题;(2)已有数值模拟方法的实现及选择应用;(3)泥石流动力学复杂环境效应研究,复杂地形和水文环境条件下的泥石流应力分布、动能传递等。最后对泥石流动力学G IS模拟的前景进行了讨论。     

An improved design for Al Ga N solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization

To enhance the avalanche ionization, we designed a new separate absorption and multiplication AlGaN solarblind avalanche photodiode(APD) by using a high/low-Al-content AlGaN heterostructure as the multiplication region instead of the conventional AlGaN homogeneous layer. The calculated results show that the designed APD with Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.45)Ga_(0.55)N heterostructure multiplication region exhibits a 60% higher gain than the conventional APD and a smaller avalanche breakdown voltage due to the use of the low-Al-content Al_(0.3)Ga_(0.7)N which has about a six times higher hole ionization coefficient than the high-Al-content Al_(0.45)Ga_(0.55)N. Meanwhile, the designed APD still remains a good solar-blind characteristic by introducing a quarter-wave AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors structure at the bottom of the device.