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71.
对薄膜介质层绕式Blumlein线的特性参数进行了理论分析。采用Pspice软件对电路模型进行了计算,分析了开关电感、寄生电阻对负载输出波形的影响。结果表明:开关电感的存在使得负载波形前沿变缓,后延波形扭曲变差,寄生电阻会影响负载的电压输出效率。采用模拟软件对传输线中的电磁场分布进行了计算,结果表明薄电极边缘场畸变以及折叠弯曲部分的场变化是绝缘介质耐压必须考虑的因素。基于此理论分析,设计制作了一种新型薄膜介质Blumlein线,绝缘材料为聚酯薄膜,单层薄膜厚100μm,电极为厚50μm的铜皮,单元模块设计耐压50 kV。进行了三级模块串联叠加实验,充电25 kV,匹配负载输出60 kV,脉冲上升沿80 ns,脉冲宽度200 ns。 相似文献
72.
用Ar气作保护气体 ,气压保持在一个标准大气压 ,用Nd :YAG脉冲激光烧蚀Al靶获得等离子体。利用时空分辨技术 ,采集了激光脉冲能量在 5 2 ,92 ,115和 14 5mJ情况下等离子体辐射的时空分辨谱。详细描述了 115mJ时等离子体的辐射特征 ,简要分析了其他脉冲能量下Ar的特征辐射规律。根据这些脉冲能量下Ar 特征谱线的分布规律 ,简要论述了Ar气体电离与激光脉冲能量的关系。讨论了环境气体电离机制 ,并对结果进行了简单解释。结果发现 ,在本实验采用的能量范围内 ,较高的脉冲能量更容易使环境气体电离 ,产生较强的Ar 离子辐射 ,且Ar 辐射持续时间较长。 相似文献
73.
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368nm左右。PL结果表明,在850—1050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr^3+的热激活能为5.8eV。 相似文献
74.
主要介绍了合成和鉴别107号元素的新同位素265Bh的实验装置、实验方法以及实验结果.目标核265Bh是由能量为135MeV的26Mg离子轰击243Am靶,通过融合蒸发反应而产生. 反应产物首先由He-jet系统传输到装有数个探测器对的转轮收集测量系统,然后依靠母子核遗传关系通过观察新同位素和它们已知子核261Db和257Lr之间的a衰变的关联,来实现对新核素的鉴别. 实验测得265Bh的a衰变能量为(9.24±0.05)MeV, 半衰期为0.94+0.70 -0.31s. 从该实验得出的265Bh的a衰变能量和半寿命能够与理论预言一致. 相似文献
75.
一种基于畸变等效曲面的图像畸变校正 总被引:8,自引:0,他引:8
介绍了一种图像畸变的等效曲面模型,用于修正由于光学系统或图像传感器产生的畸变。分析了球形畸变模型的原理,推导出基于球形模型的畸变校正公式,并给出了基于球形模型的畸变校正的具体实现方法,通过实验对这种畸变校正的效果进行了验证。这种曲面畸变模型的校正具有实现简单,不需求解方程组等优点,并可以推广到其他曲面,具有比较广泛的实用性。 相似文献
76.
基于跟踪度的Gabor小波特征跟踪方法的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
图像的边缘包含了目标的大量特征信息。利用Gabor小波可以从目标图像中提取具有特征位置、角度和尺度的参数。利用这些参数可以重建除均值以外的所有图像信息。图像边缘与均值无关。根据重建图像边缘线段的长度和边缘拟和度以及特征点的个数,提出了跟踪度的概念,分析了跟踪度的性质,并在跟踪度准则指导下确定了跟踪的特征点个数。仿真实验证明,跟踪度反映了目标特征跟踪的可靠程度,提供了跟踪精度的客观标准,为选择特征点个数、平衡计算复杂度和跟踪精度提供了客观的依据。通过对目标进行姿态变换和大面积遮挡的跟踪实验证明,当跟踪度达到0 95以上时就可以稳定地跟踪目标。 相似文献
77.
78.
由于含时波包方法具有经典的直观又不乏量子力学的准确 ,选择含时波包方法来处理F +CH2 D2 →CH2 D/CHD2 +DF/HF反应 .把半刚性振转子 (SVRT)模型应用到该反应体系中 ,研究了两个通道中该反应从基态反应物开始在修正过的J1(MJ1)势能面上计算出来了反应几率、积分截面、速率常数 .反应几率随能量变化的图的数值结果给出了振荡结构 ,这些振荡结构是可以和动力学振荡联系起来的 .而这些振荡结构在积分截面随着能量变化的图中就被反应几率求和后的平均结果所掩盖了 .速率常数和实验结果的比较也得到了较好的结果 . 相似文献
79.
The THGEM detector without and with a CsI has been tested successfully. The optimal parameters of THGEM have been determined from eight samples. The UV photoelectric effect of the CsI photocathode is observed. The changing tendency related to the extraction efficiency (εextr) versus the extraction electric field is measured, and several electric fields influencing the anode current are adjusted to adapt to the THGEM detector with a reflective CsI photocathode. 相似文献
80.