平行板间方势阱偶极流体的结构性质研究

在密度泛函理论(DFT)框架下, 应用改进的基本度量理论(MFMT)表达硬球作用对自由能泛函的贡献, 根据统计力学理论结合加权密度近似(WDA)表达偶极作用对自由能泛函的贡献,得到了方势阱偶极流体在平行板间的密度分布表达式, 计算了偶极流体在两平行板间的密度分布, 并探讨了方势阱深度和宽度对体系密度分布的影响. 此外, 通过体系密度分布, 进一步分析了方势阱宽度和深度以及板间尺度与溶剂化力的关系.     

ZnS:Cr2+中局域晶格结构和自旋单态对零场分裂参量的贡献

在统一配体场耦合图像的基础上,构造了d⁴电子组态过渡金属离子在强场图像下包括所有自旋状态的210×210维完全能量矩阵.通过对角化完全能量矩阵,研究了Cr²⁺掺杂ZnS的局域晶格结构和Jahn-Teller能.理论计算结果与实验值符合非常好.同时,还研究了Cr²⁺掺杂ZnS后体系自旋单态对零场分裂参量的贡献.结果表明:自旋单态对二阶零场分裂参量D的贡献可以忽略,但是对于四阶零场分裂参量a和F的贡献却 关键词： 2+')" href="#">ZnS:Cr²⁺ 统一配体场耦合 自旋单态 Jahn-Teller能     

螺旋型薄膜介质平板Blumlein线实验

 为实现脉冲功率源小型化,设计了一种螺旋形薄膜介质Blumlein线,应用火花隙开关对其进行了放电实验研究,并对负载电压波形进行了分析。结果表明,开关电感会减缓脉冲前沿,电极直流阻抗使得负载输出电压效率显著降低,波形平顶趋于减小,分布电容耦合造成负载电压的预脉冲,而均压层不会影响传输特性,不会对负载电压波形造成影响。     

2-[[(4-吡啶)甲基]硫]-1H-苯并咪唑Ni(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构及热稳定性

本文报道了[NiL2(NCS)2(CH3OH)2](L=2-[[(4-吡啶)甲基]硫]-1H-苯并咪唑)配合物的合成,并通过IR、X-射线单晶衍射、热稳定性进行了表征。晶体结构测试表明:该配合物属于单斜晶系,空间群P21/n,晶胞参数:a=0.94420(12)nm,b=1.35733(17)nm,c=1.341 64(17)nm,β=97.983 0(10)°,V=1.702 8(4)nm3,Z=2,F(000)=748,Dc=1.407 g.cm-3,Final GooF=1.027,R1=0.046 8,wR2=0.107 1。中心Ni(Ⅱ)原子采用六配位,分别与2个2-[[(4-吡啶)甲基]硫]-1H-苯并咪唑上的2个N原子,2个硫氰酸根的2个N原子和2个甲醇分子上的2个O原子进行配位。在Ni(Ⅱ)基本配位单元之间存在N…H-O氢键,形成一维双链堆积结构。     

超声波提取-气相色谱/质谱联用分析烟叶中挥发性和半挥发性有机酸

采用超声波提取、硅烷化衍生、气相色谱-质谱(0C-MS)法,并以山梨酸和肉桂酸为双内标,建立了同时、快速分析烟叶中26种挥发性和半挥发性有机酸的方法.结果显示,所测定的26种有机酸中,工作曲线线性相关系数有23种在0.999以上;方法的相对标准偏差在0.87%～5.67%范围;回收率在83.5%～109.6%范围;方法...     

[C2MIM]+在碳纳米管中结构和性质的理论研究

采用密度泛函理论方法,系统研究了1-乙基-3-甲基咪唑离子 ( [C2MIM]+ ) 在三种不同管径的碳纳米管中的稳定结构、相互作用能和分子轨道性质. 研究表明,随着碳纳米管管径的增加,[C2MIM]+在碳纳米管内的稳定结构从居中的位置越发靠近碳纳米管的管壁,其与碳纳米管的结合能也从-45.52 kcal/mol降低到-39.45 kcal/mol. 通过分析[C2MIM]+在不同尺寸碳纳米管中的分子轨道排布,发现研究体系的HOMO轨道和LUMO轨道主要是局域在碳纳米管上,电子跃迁表现为π→π*,表明[C2MIM]+与碳纳米管之间为弱的范德华作用. 本研究为理解离子液体与碳纳米管之间的相互作用提供了重要的理论基础.     

基于相变与悬链线连续相位调控的超构光子开关

针对超表面相位调控中的无源及离散特性,本文拟将等宽悬链线超构单元与非易失性相变介质结合,探索研究一种高效连续相位调制的双稳态相变有源波前超构开关.首先在9—10μm之间的宽带中红外波段实现了可动态切换的波前偏转开关;当相变层在非晶态和晶态之间切换时,入射光波前分别呈现异常反射和正常的镜面反射,即"开"或"关"两个偏转状态.其次展示了一种可动态切换的高阶贝塞尔光束开关:非晶态时,9.6μm波长垂直入射下交叉极化转换效率接近100%,产生正常的几何相位调控与二阶贝塞尔聚焦,即"开"态;而相变至晶态时,交叉极化与几何相位调控被"关"闭.本质上,自旋-轨道相互作用具有无色散的相位调控保证了该类器件的宽波段工作特性,在未来的有源光电子集成、光通讯等应用领域中具有重大潜力.     

类氢O、N离子入射Al表面俘获电子布居几率的理论与实验研究

利用“二态矢量模型”详细研究了高电荷态O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面时中间里德伯态的形成过程,给出了电子被俘获至不同量子数(n A=2-7)的几率,以及电子俘获至里德伯态最可能的离子-表面距离.计算结果表明,较大的主量子数nA对应较小的里德伯态几率,因此O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面时辐射的X射线主要来源于较小的n A至基态的退激.为了验证计算结果,测量了O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面的X射线发射谱,并运用FAC程序计算了不同高里德伯态退激到基态的跃迁能(np–1s).实验测量到O,N的K-X射线峰,其特征峰的中心值接近主量子数n=2至n=1的跃迁能,说明发射的X射线主要来源于2p–1s的跃迁,与“二态矢量模型”理论计算的几率一致.     

温度对马氏体和铁素体晶格常数影响规律

采用同步辐射技术研究了温度对马氏体和铁素体晶格常数的影响规律.研究结果表明,马氏体和铁素体的晶格常数均随着温度的升高而逐渐增大,但马氏体的衍射峰有分峰现象,而铁素体的衍射峰没有分峰现象.对马氏体的{110}和{200}衍射峰进行分峰处理,得到马氏体晶格常数a和c随温度升高逐渐增大,但晶格常数a的增大速度要大于c的速度,即马氏体的正方度逐渐降低.当温度升至500℃时,马氏体正方度c/a=1.铁素体的晶格常数随温度的变化规律与马氏体晶格常数a的基本相同,而与马氏体晶格常数c的明显不同,表明了温度对马氏体晶格常数的影响本质.除此以外,通过对同步辐射数据的分析,建立了马氏体和铁素体晶格常数随温度变化的数值方程.     

Characterization of the N-polar GaN film grown on C-plane sapphire and misoriented C-plane sapphire substrates by MOCVD

Gallium nitride (GaN) thin film of the nitrogen polarity (N-polar) was grown on C-plane sapphire and misoriented C-plane sapphire substrates respectively by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The misorientation angle is off-axis from C-plane toward M-plane of the substrates, and the angle is 2° and 4° respectively. The nitrogen polarity was confirmed by examining the images of the scanning electron microscope before and after the wet etching in potassium hydroxide (KOH) solution. The morphology was studied by the optical microscope and atomic force microscope. The crystalline quality was characterized by the x-ray diffraction. The lateral coherence length, the tilt angle, the vertical coherence length, and the vertical lattice-strain were acquired using the pseudo-Voigt function to fit the x-ray diffraction curves and then calculating with four empirical formulae. The lateral coherence length increases with the misorientation angle, because higher step density and shorter distance between adjacent steps can lead to larger lateral coherence length. The tilt angle increases with the misorientation angle, which means that the misoriented substrate can degrade the identity of crystal orientation of the N-polar GaN film. The vertical lattice-strain decreases with the misorientation angle. The vertical coherence length does not change a lot as the misorientation angle increases and this value of all samples is close to the nominal thickness of the N-polar GaN layer. This study helps to understand the influence of the misorientation angle of misoriented C-plane sapphire on the morphology, the crystalline quality, and the microstructure of N-polar GaN films.