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31.
1—酰基—4—氯环己烷与取代芳烃的区域与立体选择性反应 总被引:2,自引:0,他引:2
从环己烯合成了1-酰基-4-氯环己烷,发现在其在AlCl3催化与苯,氯苯,溴苯等优先生成反式1-芳基-4-酰基环己烷,与联苯反应时选择性较差。 相似文献
32.
合成了新的O-(硫杂蒽酮-[2]-基)-氧乙酸及其稀土配合物. 通过元素分析, IR, 1H NMR, UV, DTA-TG和13C NMR谱对其结构进行了表征. 研究表明: 配体羧羰基脱质子后与金属离子配位, 2位氧原子也与金属离子配位, 配合物中含有一定量的配位水, 配合物为非电解质类型. 同时, 研究了O-(硫杂蒽酮-[2]-基)-氧乙酸稀土配合物对质粒DNA的切割作用. 结果表明: 铕的配合物对DNA的切割较明显, 且当配合物浓度增加时, 质粒DNA的超螺旋构型逐渐减少, 而缺刻、开环型构型逐渐增多. 在相同条件下, Eu(III)离子对质粒pBR322DNA几乎没有切割作用; 配体O-(硫杂蒽酮-[2]-基)-氧乙酸对质粒pBR322DNA也有切割作用, 但配合物EuL3对质粒pBR322DNA的切割作用明显强于配体, 表明稀土离子Eu(III)与配体生成配合物后有较好的协同切割作用. 相似文献
33.
34.
以Eu^3+为荧光探针研究(LaO)3BO3的结构 总被引:5,自引:0,他引:5
利用多晶X射线衍射法研究了(LaO)3BO3合成的工艺条件和结构。以少量Li2CO3作助熔可在较低温度和较短反应时间内制备出(LaO3)BO3纯物相。(LaO)3BO3属单斜晶系,空间群为P21/m或P21。根据Eu^3+荧光光谱以5D0→7F2电偶极跃迁为主及5D0→7FJ(J=0、1、2、3、4)跃迁的谱峰数并结合空间群中各个等效点的对称性,推断La^3+在(LaO)3BO3中所处格位的点对称 相似文献
35.
Zn-Al-Ce三元类水滑石的制备及性质研究 总被引:8,自引:1,他引:8
采用共沉淀法,水热合成层状化合物一硝酸根柱撑锌铝铈三元类水滑石,分别测定了各种单一金属盐溶液及M^2 /M^3 摩尔比为2,Ce^3 /Al^3 摩尔比为0.25的混合金属盐的NaOH滴定曲线,并利用XRD对不同条件下合成产物进行物相分析。实验结果表明:在M^2 /M^2 =2,Ce^3 /Al^3 =0.07~0.50,pH=5.8~6.5条件下进行多种离子共沉淀,并经120℃、6h水热处理后,均能合成结构单一的ZnAlCe—HTLLcs,利用TG—DTlA、FT—IR、ICP对合成物进行了表征,筛选出适宜的合成条件,并对HTLcs层状结构的热行为进行初步研究,结果表明ZnAlCe—HTLcs热稳定性较差,层间结合水、层板羟基及层间客体物种(NO3^-)失去温度在240℃左右,易于转化为复合氧化物,将此复合氧化物应用于NO的催化?肖除反应,680℃下NO的转化率高达近100%。 相似文献
36.
针对夫兰克-赫兹实验中反复发现的板极电流随控制栅电压的增大先增大后减小这一非单调性变化趋势,就控制栅电压对板极电流的作用机理展开实验探究与理论分析.在说明控制栅电压通过抑制空间电荷限流效应而对板流起增大作用外,本文着重基于冉绍尔-汤森效应、分子动理论、傅里叶导热定律及碰撞空间与碰撞概率理论揭示了控制栅电压通过削弱阴极本底电流与增大碰撞概率对板极电流的减小作用,并结合阴极发射理论提出了上述双重作用在控制栅电压不同变动范围内的主导性互换机制,最终形成了完整的控制栅电压对板流的双重对立作用机理. 相似文献
37.
38.
三聚氰胺甲醛树脂具有良好的耐热性和胶接强度大等特点,因此被广泛应用于木材加工用的胶粘剂、涂料的固化剂、纸张湿强剂中。但是三聚氰胺的刚性三嗪环结构会导致三聚氰胺甲醛树脂存在硬脆、力学性能差、强度低、拉伸和弯曲性能差等缺陷。上述缺陷限制了三聚氰胺甲醛树脂在某些领域中的应用。为了扩大其应用范围,三聚氰胺甲醛树脂的增韧问题得到了越来越多的关注。本文主要综述了小分子增韧和高分子增韧两种主要方法,其中小分子增韧又包括异氰脲酸酯增韧、二元醇增韧、二元醛增韧、胺类增韧以及多种小分子协同增韧。高分子增韧包括聚多元醇增韧和聚氨酯增韧。此外,还介绍了生物质增韧、硅烷增韧等其他几种方法,并阐述了上述方法的增韧机理。 相似文献
39.
为构造一类扰动Kadomtsev-Petviashvili (KP)方程的级数解,利用同伦近似对称法求出三种情形下具有通式形式的相似解以及相应的相似方程.而且,对于第三种情形下的前几个相似方程,雅可比椭圆函数解亦遵循共同的表达式,这可以产生形式紧凑的级数解,从而为收敛性的探讨提供便利:首先,对于扰动KP方程的微扰项,给定u关于变量y的导数阶数n,若n≤1(n≥3),则减小(增大)|a/b|致使收敛性改善;其次,减小ε,|θ-1|以及|c|均有助于改进收敛性.在更一般情形下,仅当微扰项的导数阶数为偶数时,扰动KP方程才存在雅可比椭圆函数解. 相似文献
40.
本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上. 相似文献