高效液相色谱—电化学检测器测定羊水中儿茶酚胺

本文讨论了使用反相离子对高效液相色谱一电化学检测器分离和检测羊水中痕量儿茶酚胺的各种条件,在8min内完成了三种主要儿茶酚胺的分离,校正曲线的线性范围是(nmol/L):去甲肾上腺素(0.15～12.00);肾上腺素(0.13～6.50),多巴胺(0.15～12.5)。相对标准偏差小于2.2％。     

有机磷杀虫剂的研究Ⅲ.O-乙基N,N-二乙氨基硫代磷酰氯的合成及其与硫氢化鈉的反应

利用下列二法合成O-乙基N,N-二乙氨基硫代磷酰氯: 方法A: 方法B: 并试验它在不同溶剂中与硫氢化钠的反应。在无水乙醇中所得到的产物确定为O,O-二乙基N,N-二乙基硫代磷酰胺,产率在70％以上。     

舟曲大戟对映—贝壳松烯二萜研究

舟曲大戟(Euphorbia wangii)为大戟属植物,化学成分未见报道。本文报道从中分离得到的4个新对映-贝壳松烯型二萜,命名为舟曲大戟素A、B、C、D。 1 舟曲大戟素A(1)无色结     

怀念敬爱的周总理

团结起来到明天,英特纳雄耐尔就一定要实现—《国际歌》大地, 寒气疾吹。高天, 暴雪横飞。啊,一颗巨星 从天坠!我向苍天哭问: 江山涂血血几层? 血红江山守人谁?—天公倾泪, 痛哭失声声更悲。敬爱的周总理啊, 谁相信 您会花丛之中永长睡?大雁南去总有飞来时,青山春到还会更青翠。可是,敬爱的周总理啊, 为什么, 您竟一去永不归?莫不是 您又愤愤踏上长征路, 唤醒那, 安息雪山、书嗯草地、 世代永生的 革命先一辈?莫不是 您又登程去遵义, 牢记那, 两条路线斗争的风风雨雨, 我们党啊, 从此确立毛主席的英明指挥I莫不是, 您又飞越南洋去万隆,疾呼…     

希土固体发光

希土,通常是指周期表中从镧到镥并包括钪和钇在内的十七个元素。其中镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥十五个元素,又称为“镧系元素”。希土元素具有许多独特的化学性质和物理性质,被广泛地用于各个方面。在发光领域中     

乙型肝炎病毒核心抗原基因结构对其在大肠杆菌中表达的影响

本文将含乙型肝炎(以下简称乙肝)病毒(HBV)核心抗原(HBcAg)基因的1kbHhaI酶切HBV·DNA片段用BAL-31外切酶切除两端非编码区,连接EcoRI合成接头后插入到载体pUR222的EcoRI位点,转化受体菌后筛到一系列不同HBcAg表达水平的重组体。分析高表达和低表达重组体工作中,发现在同一乳糖启动子、核糖体结合部位(SD序列)和Lac Z基因N端第5氨基酸后连接的HBcAg基因,由于在ATG5′端上游—7至—35核苷酸区有一呈部分迥文的序列,当转录成mRNA时可形成一环茎二级结构,是否用BAL—31酶切除此结构对表达水平影响极大。高表达重组体HBcAg产量可占菌体总蛋白9％,低表达的只为其千分之一。本文并对此现象在原核细胞中表达真核基因的意义进行了讨论。     

无定形梳状高分子固体电解质的二重玻璃化转变及典型VTF…

研究了交替马酸酐共聚物多缩乙二醇酯（ＣＰ３５０）－ＬｉＮＯ３络合物的热行为及离子导电性。实验表明：ＣＰ３５０／ＬｉＮＯ３络合物在所研究的［Ｌｉ］／［ＥＯ］配比范围呈均相无定形并具有二重玻璃化转变。２个玻璃化转变温度均随盐含量的增加而上升。离子电导率随盐浓度的变化出现１个极大值，室温电导率最大可达３．７２×１０＾－５Ｓ／ｃｍ。导电行为呈典型ＶＴＦ特征。     

共轭烯的自由电子轨道线性组合方法

在处理共轭烯π电子体系的量子力学近似方法中,自由电子法(FEM)最为简便。尤其是只要知道共轭分子的链长,不需要任何其它经验参量就可用此法计算共轭分子的电子跃迁能。但是,由于这个模型相当粗糙,所以算得的共轭烯最长波长跃迁能和实验值相比偏差甚大(参见本文表2)。为了保持简单自由电子模型的优点,同时克服其粗糙性,我们采用对简单自     

杂原子Me－VPI－5（Me＝Mg，Ti，Sn，Si）相转变及其对Eu（Ⅲ）光谱结构的研究

用水热同晶置换法合成了杂原子磷酸铝分子筛Ｍｅ－ＶＰＩ－５（Ｍｅ＝Ｍｇ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｓｉ）．通过水相离子交换法掺杂稀土离子，考察了高温和高压下的相变行为．讨论了相变过程对稀土离子光谱的影响．随着温度升高，Ｅｕ（Ⅲ）Ｍｇ－ＶＰＩ－５先转变为Ｅｕ（Ⅲ）－ＡｌＰＯ４－８，然后又转变成致密的磷石英相．压力对Ｅｕ（Ⅲ）光谱结构具有显著影响．随着压力增加，Ｅｕ（Ⅲ）光谱结构发生规律性变化．     

偏硅酸镉的自激活发光

利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为0 58和0 61eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光.