基于准点缺陷理论探索非晶合金蠕变机制

作为典型多体相互作用非平衡体系,如何明晰非晶合金多场耦合激励下变形机制,建立非晶合金变形行为、流动特性与微观结构特征本征关联始终是非晶合金力学性能的重要研究内容.本文以具有显著β弛豫行为的La_56.16Ce_14.04Ni_19.8Al₁₀非晶合金作为研究载体,通过开展宽温度应力窗口蠕变实验,着重考查了蠕变柔量、准稳态蠕变速率、特征弛豫时间、蠕变应力指数及蠕变激活能演变规律,系统研究了非晶合金蠕变行为与蠕变机制.基于准点缺陷理论分析了非晶合金蠕变行为由弹性向黏弹性及黏塑性逐步转变的过程,从微观结构演化角度构建了非晶合金蠕变行为完整物理图像.研究结果表明,非晶合金高温蠕变行为是一典型热力耦合、非线性过程,其潜在蠕变机制受控于温度、应力与加载时间.应力较低时,非晶合金蠕变机制对应于热激活单粒子流动.应力较高时,蠕变机制则对应于应力诱导局部剪切变形增强与温度诱导原子扩散等复杂耦合过程.非晶合金蠕变变形过程所涉及弹塑性转变源于非晶合金准点缺陷激活、微剪切畴经热力耦合激励形核长大、扩展与不可逆融合.     

时间为周期的抛物型问题的MGFE算法

本文在Hackbush于1979年提出的对时间周期抛物型问题的快速解法的基础上,结合外推算法,得到了一种快速高精度算法——MGFE算法.并从理论上证明了这一算法的收敛性.     

~(153)Dy高自旋态的能级结构及缺中子Dy核的形状随中子数与自旋态的变化

通过在束γ谱的实验研究,建立了~(153)Dy的非常高的自旋态的能级图,最高自旋态为81/2.所用核反应为~(122)Sn(~(36)s,5n),束流能量165MeV.在同质异能态(I=47/2)以上,能级结构展示出极端复杂的单粒子跃迁特性.对缺中子Dy核的形状随中子数N及自旋态I变化的系统性进行了讨论.     

计算模糊子群的等价类

在群同构意义下即可对经典子群进行等价分类.模糊子群是对经典子群的推广,将模糊子群用一系列水平子群形成的极大子群链来描述,由群的格可得极大子群链,模糊子群的分类就转化为极大水平子群链的等价分类.从子群的格的角度出发,得到了有限群的模糊子群等价类个数的具体范围.计算出阶为pq的有限群的模糊子群的等价类个数.     

保护的几丁寡糖及结构类似物的合成：复杂氨基寡糖合成的通用方法

建立了逐步合成具有重要生物活性的2-脱氧-2-氨基葡萄糖寡糖链的通用方法。采用邻苯二甲酰基保护氨基、硫代苯基为还原末端的离去基团,以氨基葡萄糖为起始原料,几种保护的几丁寡糖及结构类似物被合成：3-O-乙酰基-4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖-（1→4）-（3-O-乙酰基-6-O-苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基）-b-D-吡喃葡萄糖甲苷（4）、3-O-乙酰基-4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖-（1→4）-（3-O-乙酰基-6-O-苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖）-（1→4）-（3-O-乙酰基-6-O-苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基）-b-D-吡喃葡萄糖甲苷（6）、3-O-乙酰基-4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖-（1→3）-（4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基）-b-D-吡喃葡萄糖甲苷（8）、3-O-乙酰基-4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖-（1→3）-（4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基-b-D-吡喃葡萄糖）- （1→3）-（4,6-O-亚苄基-2-脱氧-2-邻苯二甲酰亚氨基）- b-D-吡喃葡萄糖甲苷（10）。所合成化合物通过核磁共振和质谱分析确证了其化学结构。     

氧化物分子束外延技术及其在关联材料电子态研究中的应用

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外延的技术关键,并以La1-xSrxMnO3薄膜为例,介绍了钙钛矿结构的氧化物薄膜生长和刻画.特别是文章作者通过建立超高真空下的原位样品传送系统,可把薄膜样品直接传送到角分辨光电子能谱仪中,实现了薄膜的原位电子结构测量.所测得的La1-xSrxMnO3的电子结构与能带计算结果较为相符.而此类立方结构的、不可解理材料的电子结构,过去往往是无法直接测量的.     

用AFM和XPS研究LiBq4/ITO的表面和界面

用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4／ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现Cls谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对Bls谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从Cls谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。     

Gammasphere上裂变丰中子核核结构若干前沿领域的新进展(Ⅱ:第三和第四部分)(英文)

使用Gammasphere多探测器系统对252Cf裂变源瞬发γ射线进行γ-γ-γ和γ-γ(θ)符合测量,A～100(Z～40,N56)丰中子核区关于形状过渡、形状共存和形状突变的深入研究获得了新的进展。奇-Z核的系统研究揭示了从Z=39(Y)同位素的轴对称大四极形变到Z=43(Tc),44(Ru)和45(Rh)同位素中具有中等四极形变之大三轴形变的过渡。Nb(Z=41)同位素具有过渡核的特征。根据邻近同位素和同中素带交叉信息的系统性及推转壳模型(CSM)计算,Tc和Rh偶-N同位素中观察到的带交叉产生于一对h11/2中子的转动顺排。首次观察到100Nb(Z=41,N=59)的高自旋能级纲图和形变态,从而证实了100Nb中的形状共存,并确认,在Nb同位素链上,基态形状突变发生于N=58(球形)到N=59(大形变);而在Sr(Z=38),Y(Z=39)和Zr(Z=40)各同位素链上,基态形状突变均发生于N=59(球形)到N=60(大形变)。100Nb具有大形变基态,同现有理论预言相矛盾,其大形变的基态及转动带所具有的很大的和不规则的转动惯量具有重要的理论意义。对奇-质子Cs(Z=55)和La(Z=57)丰中子同位素八极激发的详细研究,发现了141,143,144Cs同位素链上电二极矩D0随中子数增加而减小的急剧变化,此前在145,147La中观察到的电二极矩D0的较缓和的减小似乎亦很陡地下延至148La。在Cs和La同位素中观察到的电二极矩D0的急剧下降很可能同偶-质子核146Ba和224Ra中观察到的电二极矩D0的急剧下降相类似,后者已获反射非对称平均场壳修正理论的成功解释。实验证明,141Cs具有很大电二极矩D0。141Cs和142Xe中观测到的很大的电二极矩D0和仅在141Cs中观察到的电二极矩D0的simplex量子数相关性需要进一步的理论研究。根据转动频率比值ω-(I)/ω+(I)的检定,同Xe同位素一样,认定Cs同位素中包括号143Cs的八极激发为八极振动,而在La同位素中存在八极形变。     

通过自由基串联环化反应合成4-喹诺酮类化合物

4-喹诺酮结构广泛存在于天然产物和药物分子中. 本工作以易得的N-芳基-O-炔丙基氨基甲酸酯为原料, CO为羰基源, 发展了一种高效、模块化合成4-喹诺酮结构的方法. 氨基甲酸酯底物经2-碘酰基苯甲酸(IBX)氧化产生酰胺氮自由基, 进而发生自由基串联环化反应得到4-喹诺酮结构.     

基于高阶角向偏振拉盖尔高斯涡旋光束强聚焦的三光链结构

依据角向偏振涡旋光束强聚焦有径向分量的结论,修正了角向偏振涡旋光束的强聚焦场公式,重新研究了高阶角向偏振拉盖尔高斯涡旋光束经过衍射光学元件和高数值孔径透镜后的强聚焦特性。结果发现,在焦平面附近获得了新的三维三光链结构(沿着光轴方向的一条三维主光链和对称的两条三维傍轴次光链),详细分析了入射光束缔合拉盖尔多项式的径向模数和光束的拦截比、衍射光学元件结构和聚焦系统的数值孔径对三光链的影响。结果表明,径向模数的改变会破坏三光链结构,通过调控衍射光学元件结构和拦截比可以重新获得对称性更高的三光链结构,从而实现对三光链结构的高自由度调控。