固体中原子间相互作用势能函数与碱金属、碱土金属弹性的电子理论

本文提出一个描述固体两原子间相互作用的综合型的势能函数,并用以建立了固体弹性的普遍理论,得出固体的Poisson比为(1/3).应用余氏经验电子理论和固体结合能理论,确定势能函数中的相关参数,计算了碱金属和碱土金属的体弹性模量和杨氏模量.理论值与实验值的相对误差.除铍较大外,其余都令人满意,且比他人的结果好.体弹性模量的相对误差一般在10％上下;杨氏模量在10—30％.文中初步论证了:在一级近似范围内,余氏理论和本文提出的弹性理论是有效的、可靠的.     

弹性非保守压杆的大幅度动力分析

本文讨论弹性非保守压杆的大幅度动力问题。导出了在一般非保守力作用下杆的非线性运动微分方程,并给出与此相应的拟Hamilton变分表达式,具体地分析了悬臂杆在大挠度下的动力特性,当挠度很小其高次项可以略去时,本文所得结论都能近似地退化为线性理论的结果。     

基于桥域理论的Cu单晶纳米切削跨尺度仿真研究

桥域方法是一种典型的跨尺度仿真研究方法.基于桥域理论,本文分析了原子和连续介质耦合区域的处理问题,即在耦合区采用不同的权重计算系统的能量,通过Lagrange乘子法对原子和连续介质位移进行约束.采用桥域方法,建立了单晶Cu米纳切削的跨尺度仿真模型,获得了单晶Cu纳米切削的材料变形机理.同时,研究了不同切削速度对纳米切削过程和原子受力分布的影响,仿真结果表明:随着切削速度的提高,切削区原子所受的力值增大,切屑变形系数减小,已加工表面变质层厚度增加.本文基于桥域理论,实现了Cu单晶纳米切削跨尺度的建模和仿真, 关键词： 桥域法 纳米切削 单晶Cu 切削速度     

自成核对聚对苯二甲酸1,3-丙二酯结晶行为的影响

The effects of self-seeding nucleation on the crystallization behavior and properties of poly( trimethylene terephthalale) were studied. Differential scanning calorimetry (DSC) results indicated that the crystallization temperature of paly(trimethylene terephthalate) increased obviously(increased about 20℃) after the process of selfseeding nucleation. The results of polarized light microscopy (PLM) showed that the spherulite size decreased markedly from 40μm to 8μm.     

电子转移反应的“逆转区”获得实验证明

美国阿冈国家实验室的J.R.Miller和芝加哥大学的G.L.Closs最近在研究分子内的电子转移过程时,证明了30多年前R.A.Marcus教授在研究电子转移理论时所预测的“逆转区”(Inverted Region)的存在。一般说来愈是放热的反应进行得愈快,而在所谓“逆转区”却与此相反:反应放热性增加,反应速率却下降。     

含2,4—二硫代乙丙酰脲分子片卡宾铁羰基簇合物的合成和结构

Ｆｅ３（ＣＯ）１２与５个２，４－二硫代乙内酰脲ＳＣＮＨＣ（Ｒ１）（Ｒ２）Ｃ（Ｓ）ＮＨ应制得通式为Ｆｅ３（ＣＯ）８（μ３－Ｓ）２（Ｌ）含卡宾配体的５个新铁羰基簇合物（１～５）对其进行了元素分析，ＩＲ、ＨＮＭＲ和ＭＳ表征，并用Ｘ射线衍射法测定了簇合物３的晶体和分子结构，表明２，４－二硫代乙内酰脲分子片配位基：ＣＮＨＣ（ＣＨ３）２Ｃ（Ｓ）ＮＨ的卡宾碳具有ｓｐ＾２成键特征，其Ｃ－Ｆｅ键长０．１８９８ｎｍ，     

导电聚合物与锂二次电池

本文对聚合物的锂二次电池原理，发展、应用前景及今后的展望做了评述．     

从一道试题的解答谈教师的责任

在一次测验中,我选了这样一道试题:证明 (·‘一七1奋万)(一:一气石参石)》誓 分析试卷时,我发现不少学生做错了,从学生的解答中,我感到一个教师的责任,不仅应该教学生“怎样做”,而且要教学生“不应该怎样做”.也就是说,既要教学生正确的一方面,还要教学生防止错误的一方面,有时,.反面的教育”会有其特殊的作用,它是不能用正面教育代替的.因此,在对上述试题进行分析评讲时,我除把几种不同的正确证法详述一遍之外,还详细地分析了几种错误解法. 第一种错误证法是:(“一+湍味)(一气石参百)》2 .1云下不互工二. 节S乞拄‘住个因式,和。:。十万…     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.