碘化银胶体上四苯基卟啉金属配合物的表面增强拉曼光谱研究

研究了四苯基卟啉金属配合物（MTPP,M=Ag,Mg,Cu,Pd）在AgI胶体上的表面增强拉曼光谱（SERS）。结果显示MgTPP与基底发生金属交换生成AgTPP,而在PdTPP和CuTPP上则未发现金属交换。除卟啉环的振动外,一些苯环振动带也被显著增强。在1400～1600cm-1范围,PdTPP和CuTPP的SERS与AgTPP有很大差别,可能反映了吸附分子在次甲基桥碳原子Cm附近立体构型的差异。     

量子场作用下二能级原子的AC Stark效应

计算了处在粒子数态的单模量子场与二级原子相互作用时能级ＡＣ Ｓｔａｒｋ移动,平均能级移动值随场模波频变变化呈色散线型,随场模中光子数的增加会逐渐达到饱和。另外,还发现即使是场模中光子数为零,量子场仍能通过ＡＣ Ｓｔａｒｋ效应使原子能级发生移动。     

一价阳离子对卟啉二酸H_4~(2 )TSPP~(4-)J-聚集的影响

四— (对—磺酸基 )苯基卟啉 ( TSPP4-)作为超灵敏显色剂和电极修饰材料在光谱分析和电化学分析中有重要应用。它在酸性条件下以质子化二酸 H2 4TSPP4-的形式存在。七十年代 ,Paster-nack等人曾发现 H2 4TSPP4-的电子吸收谱随溶液 p H的改变产生复杂的变化 ,并推测与H2 4TSPP4-的分子缔合有关 [1] 。近年来 ,H2 4TSPP4-的分子缔合及其光谱性质重新引起人们的兴趣。基于光谱实验结果 [2 -6] ,一些作者认为 TSPP在强酸性条件下形成准一维的有序结构 ,类似于菁染料的 J-聚集体 ( Jelley- Scheibe聚集体 ) [3— 5 ] 。目前对 …     

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.     

The effect of single A1GaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si （111） substrates

High-quality and nearly crack-free GaN epitaxial layer was obtained by inserting a single AlGaN interlayer between GaN epilayer and high-temperature AlN buffer layer on Si (111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition. This paper investigates the effect of AlGaN interlayer on the structural properties of the resulting GaN epilayer. It confirms from the optical microscopy and Raman scattering spectroscopy that the AlGaN interlayer has a remarkable effect on introducing relative compressive strain to the top GaN layer and preventing the formation of cracks. X-ray diffraction and transmission electron microscopy analysis reveal that a significant reduction in both screw and edge threading dislocations is achieved in GaN epilayer by the insertion of AlGaN interlayer. The process of threading dislocation reduction in both AlGaN interlayer and GaN epilayer is demonstrated.     

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.     

氯原子光诱导能级移动和增宽

应用半经典的微扰论方法计算出了氯原子光诱导能级移动和增宽,其大小与光强成正比光频率为41018 cm-1时,氯原子初态3p52P03/2和3p52P01/2在非共振情况下,光移动分别为67.6和26.9 MHz/Wμm-2.当激光频率v接近3p52P03/2→4s2P3/2的跃迁频率时,氯原子基态3p52P03/2的|MJ,MI〉=|-1/2,3/2〉→|1/2,3/2〉超精细ESR谱线发生近共振频率光移动,大小量级为0.1 MHz/Wμm-2,能级增宽一般远小于光移动     

硒杂环化合物(4,5-苯并苤硒脑)在金表面上的自组装

为了寻求新的自组装单分子膜体系,构建新的功能膜,研究了具备平面型的大环共轭硒杂环化合物-- 4,5-苯并苤硒脑(苯并[c]硒二唑,简称苤硒脑)在金表面的自组装单分子膜.通过X射线光电子能谱(XPS)和电化学手段对其进行表征.XPS研究结果表明,自组装形成单分子膜后,苤硒脑分子中Se3d结合能从57.4 eV下降到57.1 eV;表明硒杂环化合物是通过金硒键固定在金表面上的;电化学循环伏安法实验表明,金电极表面上自组装该有机硒后, Fe(CN)63-/4-的氧化还原峰几乎完全消失;以四硼酸钠为底液,测得该化合物自组装在金表面上时,其还原电位在-0.66 V,与在溶液中用裸金电极测得的还原峰电位基本一致.     

高温闪烁晶体GSO:Ce的生长及其光谱性质

本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80;.     

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.