不可压粘性流体浸入边界直接力法及软件实现

浸入边界法通过在N-S方程中施加体积力模拟不可滑移固壁边界及动边界,避免生成复杂贴体网格及动网格,极大地节省了网格建模时间及动网格计算消耗。本文提出一种新型附加体积力简化计算方法,将简化附加体积力以源项形式嵌入动量方程迭代中,通过用户自定义函数对CFD软件FLUENT二次开发,实现了浸入边界法和通用流体力学求解器的耦合计算。通过静止圆柱和动圆柱绕流数值模拟进行了验证,并探讨了插值函数对计算精度的影响。研究表明,通过引入浸入边界模型,能够提高计算效率,并实现结构网格背景下复杂边界和动边界的高效建模。     

光纤陀螺随机误差的滤波方案的探讨

范跃祖，宁文如，刘剑．光纤陀螺随机误差的滤波方案的探讨．数理统计与管理，１９９７，１６（４），２９～３２．光纤陀螺是新一代的光学陀螺仪，它的性能决定着惯性参照系统的精度。光纤陀螺的误差分为两大类。一类是有规律的，另一类是随机的。本文提出了两种新的用于光纤陀螺随机误差补偿的Ｋａｌｍａｎ滤波方案，考虑了两种随机模型：（Ⅰ）角速度变化为等随机的；（Ⅱ）角速度变化为等随机加速的。仿真结果表明，第二种方案对噪声起到了很好的抑制作用和滤波效果     

大功率光纤放大器分段泵浦方式下的理论分析

利用数值算法计算了掺镱双包层光纤放大器分段泵浦方式下的稳态速率方程组,分析比较了双端泵浦和多段泵浦方式下的最佳光纤长度,最高温度和效率,并采用遗传算法对分布泵浦功率的大小和每段光纤长度同时进行了优化。结果表明,通过优化,大功率分段泵浦光纤放大器获得了较为平坦的温度分布,与双端泵浦相比,大大降低了最高工作温度,斜率效率略有下降。     

大学物理实验数据分析与处理软件的研究与实现

本文针对开发计算机数据分析与处理软件来提高实验效率,保证实验教学的质量,介绍了软件的主要功能以及软件开发中遇到的一些问题和解决办法     

咖啡酸锗与hsDNA相互作用的光谱和电化学研究

通过测量咖啡酸锗(CAA-Ge)的荧光强度,并比较加入鲱鱼精DNA(hsDNA)后的荧光光谱和吸收光谱,以及循环伏安曲线变化,判断两者的作用方式,得到两者的本征结合常数达到5.23×104L.mol-1,且一个CAA-Ge分子可同时与6个hsDNA碱基对发生作用。并通过改变体系,进一步证明了两者的键合方式为嵌入和静电吸引为主的混合方式。     

新型有机空穴传输材料氟代四苯基联苯二胺的合成与表征

设计和合成了一种新型的有机空穴传输材料N,N'-二苯基-N,N'-双(2-氟苯基)-[1.1'-联苯]-4,4'-二胺(FTPB),通过熔点测试、元素分析、FTIR光谱和1H NMR谱等手段对其分子结构进行了表征.采用循环伏安法(CV)结合UV-Vis吸收光谱测试了其能级结构.结果表明,其HOMO能级为-5.36eV,带隙为3.20eV,有望成为优良的空穴传输材料.     

高功率激光反射镜的几个关键技术

 分析了制作高功率连续激光反射镜材料的热性能、缺陷及其加工工艺, 提出了制作高功率激光反射镜应考虑的几个关键问题: 反射镜材料的综合热性能比值S, 材料的微观结构、缺陷的大小和晶向的选择, 以及加工工艺的设计。并介绍了实验结果。     

低串扰的多波长光纤光栅色散补偿器

分析了光纤光栅色散补偿系统中的串扰，并比较了几种常用的多波长光纤光栅色散补偿器的串扰特性，结合串联的窄带光纤光栅和取样光纤光栅的优点，提出一种抑制光纤光栅色散补偿系统串扰的方法.它通过在邻近信道间引入随机时延差，既能改善取样光纤光栅的线性串扰特性，又能抑制交叉相位调制效应和四波混频等非线性串扰.使用该方法可以得到具有低串扰的多波长光纤光栅色散补偿器.     

Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials

Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane （HSQ） offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition （SOD）. In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 （decamethylcyclopentasiloxane） as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field.