7Li2分子23Πu激发态的解析势能函数、振动能级及其转动惯量

使用Gaussian03程序包中的“对称性匹配簇-组态相互作用”方法、在0.13—2.0nm的核间距范围内利用6-311 G(d,p)基组对7Li2(23Πu)分子的势能曲线进行了计算,同时使用最小二乘法将计算结果拟合成了解析势能函数.利用拟合出的解析势能函数并结合Rydberg-Klein-Rees方法,计算了该态的谐振频率,进而计算了该态的其他光谱常数,分别为Te=3.6701eV,De=1.0764eV,Re=0.3000nm,ωe=285.69cm-1,ωeχe=1.8351cm-1,αe=0.00942cm-1和Be=0.5340cm-1,其中光谱常数Te,De,Re和ωe的值与文献值相符很好.以得到的解析势能函数为基础,通过求解双原子分子核运动的径向Schr dinger方程,发现J=0时7Li2(23Πu)分子存在67个振动态,求出了相应于每一振动态的振动能级、振动经典转折点及转动惯量.     

中高能电子被甲烷及氯代甲烷散射的总截面

利用可加性规则，使用HartreeFock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势（由静 电势、交换势、修正极化势及吸收势这四部分组成），在较大的能量(30—5000eV)范围内对 电子被甲烷及氯代甲烷（CH₄，CCl₄，CHCl₃，CH₂Cl₂和CH ₃Cl）散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验结果及其他理论计算 结果进行 了比较.结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得结 果的精度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很 多.因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的总截面的计算准确度. 关键词： 电子散射 可加性规则 束缚原子 总截面     

激光场中极化势对电子-氦原子散射影响

构建含有极化势的静电屏蔽势和单纯的静电屏蔽势这两种原子势模型,应用第二玻恩近似（SBA）理论,分别对激光场中电子-氦原子散射截面进行了理论计算。对比实验结果发现含有极化势的静电屏蔽势给出的结果与实验符合较好。表明极化势在激光辅助电子-原子散射中起着重要作用。     

一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

SiN自由基X2∑+, A2Π和B2∑+ 电子态的光谱常数研究

采用内收缩多参考组态相互作用(MRCI)方法, 结合价态范围内的最大相关一致基aug-cc-pV6Z, 计算了SiN自由基X²∑⁺, A²Π 和B²∑⁺电子态的势能曲线. 采用Davidson修正来避免由于MRCI方法本身的大小一致性缺陷产生的误差. 为了提高计算精度, 进一步考虑了相对论修正和核价相关修正对势能曲线的影响. 本文的相对论修正是利用二阶Douglas-Kroll 哈密顿近似在cc-pV5Z基组水平进行的; 同时核价相关修正是在cc-pCV5Z基组水平进行的. 对这些势能曲线进行拟合, 得到各种水平下三个电子态的光谱常数(T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, α_e和B_e), 并详细分析了Davidson修正、相对论修正和核价相关修正对光谱常数的影响. 与其他理论结果和实验数据进行比较, 可知本文的结果更精确、更完整.     

中高能电子被分子的散射总截面与能量关系的研究

讨论了CO和CO2分子被电子散射的总截面与能量及其分子结构常数之间的关系, 证明了在不同的能量区间总截面与能量之间的关系不同, 但是在能量低于1 500 eV时可以利用键长、键角计算电子被分子散射总截面, 计算简便, 结果可靠, 并将CO2的结果与已有的拟合公式、实验数据进行了比较.     

一种不含自由参数的正电子吸收势

在准自由电子气模型的基础上得到一种不含自由参数的正电子吸收势，把它作为光学势的虚部，计算了能量在最小非弹性阀值到１００ｅＶ范围内正电子被Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ原子散射的总截面和能量为２００ｅＶ和３００ｅＶ时的散射微分截面，计算结果与实验进行了比较。     

10－5000 伏下电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3散射总结面的计算

利用可加性规则和光学势方法计算了能量在10-5000 eV范围内电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3的总结面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较，与这些结果符合得很好。对于CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3在1000eV以上没有实验数据，本文对实验研究提供了对比和预测的数据。     

量子场论方法在电子与分子碰撞中的应用

这是一种利用量子场论所进行的探究性的研究方法,在文章中,我们设 计了一种新的较为简单的电子-原子碰撞模型,将量子场论方法与光学势方法中的可加性规 则结合起来.利用这种模型,我们计算了e-H,e-He和e-Li的微分碰撞截面,获得了较满意的 结果.